為了更好地理解對(duì)功率密度的關(guān)注，讓我們看看實(shí)現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出，效率、尺寸和功率密度之間的特殊關(guān)系是顯而易見的。
2020-08-20 11:12:14
2068 
在本文中，我們將討論一些設(shè)計(jì)技術(shù)，以在不影響性能的情況下實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:541594 
推動(dòng)器件小型化趨勢(shì)。 更高功率密度的重要性 更高的功率密度對(duì)于滿足各地日益增長(zhǎng)的能源需求以及市場(chǎng)對(duì)更小、更高效的電源的持續(xù)需求至關(guān)重要。半導(dǎo)體供應(yīng)商已經(jīng)成功地從標(biāo)準(zhǔn)硅基器件中獲得了大量利用，硅基器件將繼續(xù)成為電源系統(tǒng)的重要組成
2023-11-16 13:28:339930 
為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來(lái)并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:033982 
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件，但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點(diǎn)介紹三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)。
2025-09-23 09:26:332066 
XP Power正式宣布推出兩款超寬輸入范圍、高性價(jià)比、高功率密度的DC-DC轉(zhuǎn)換器，適用于鐵路牽引和鐵路車輛。
2019-02-22 08:34:255300 URA/B_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對(duì)更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。
2020-08-04 11:13:351889 日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 和信號(hào)完整性以提高系統(tǒng)級(jí)保護(hù)和精度。 ? 在這些趨勢(shì)之外，功率密度越來(lái)越高也是一個(gè)不爭(zhēng)的行業(yè)趨勢(shì)，如果能在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率，就能以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)級(jí)性能。隨著功率需求的增加，電路板面積和厚度日益成為限制
2022-11-29 01:04:002449 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）電源模塊功率密度越來(lái)越高是行業(yè)趨勢(shì)，每一次技術(shù)的進(jìn)步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會(huì)越來(lái)越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 09:30:523461 ? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求，而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線
2024-03-14 11:07:581205 
功率mosfet 在中國(guó)IC市場(chǎng)中有很大的市場(chǎng)，2010年預(yù)計(jì)整個(gè)MOSFET的市場(chǎng)收益大于160億。主要的應(yīng)用使數(shù)據(jù)處理如： 臺(tái)式電腦，筆記本，還有家電，汽車和工業(yè)控制。。功率MOSFET 按分裝
2011-03-07 14:30:04
通過對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
MOSFET和開關(guān)頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導(dǎo)通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應(yīng)用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過厚的低
2016-10-10 10:58:30
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd基于重量與體積，BLDC功率密度大于PMSM
2019-05-11 19:39:49
解決方案更高的功率密度和更高的效率。無(wú)鉛RoHS封裝新增PowerTrench器件，豐富了FAI中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrenchMOSFET產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿足
2012-04-28 10:21:32
克服了上述問題，可實(shí)現(xiàn)高功率密度、高效率 (達(dá) 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開關(guān)電容器控制器內(nèi)置 4 個(gè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價(jià)值在于為工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
我們?cè)谠O(shè)計(jì) 11kW、800V平臺(tái)OBC 時(shí)，為實(shí)現(xiàn) 4kW/L 的高功率密度目標(biāo)，發(fā)現(xiàn) 傳統(tǒng)牛角電容體積過大 導(dǎo)致布局困難，請(qǐng)問 永銘LKD系列 是否有滿足 高耐壓 且 體積小 的解決方案？
2025-12-02 09:24:46
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
擴(kuò)展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計(jì)用于太陽(yáng)能光伏逆變器、電動(dòng)車/混和動(dòng)力電動(dòng)車（EV / HEV）充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等
2018-10-29 08:51:19
在PFC電路中使用升壓轉(zhuǎn)換器提高功率密度
2022-11-02 19:16:13
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開關(guān)頻率，減小體積無(wú)源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來(lái)了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無(wú)減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-03-01 09:52:45
設(shè)計(jì)帶來(lái)更低的溫升更高的可靠性。 那么，在設(shè)計(jì)過程中如何才能提高電源模塊產(chǎn)品的功率密度呢?工程師可以從下面三個(gè)方向入手：第一，工程師可以在線路設(shè)計(jì)過程中采用先進(jìn)的電路拓樸和轉(zhuǎn)換技術(shù)，實(shí)現(xiàn)大功率低損耗
2016-01-25 11:29:20
實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
封裝中容納更多的硅，從而實(shí)現(xiàn)比分立QFN器件更高的功率密度。這些器件還具有帶裸露金屬頂部的耐熱增強(qiáng)型DualCool?封裝。因此，盡管仍存在一些情況，即電動(dòng)工具制造商可能更傾向于使用TO-220 FET來(lái)
2017-08-21 14:21:03
怎么測(cè)量天線輻射下空間中某點(diǎn)的電磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
星期二海報(bào)對(duì)話會(huì)議下午3:30- 下午5:30智能功率模塊PP013改善15A / 600V智能功率模塊的系統(tǒng)級(jí)功率密度Jonathan Harper，安森美半導(dǎo)體Toshiyuki Iimura
2018-10-18 09:14:21
整個(gè)壽命周期成本時(shí)，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會(huì)帶來(lái)總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無(wú)減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
%和39%。改善導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積（優(yōu)值系數(shù)，F(xiàn)OM），不僅能夠提高總體的系統(tǒng)效率，還能夠使DC/DC轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更高的開關(guān)頻率。為驗(yàn)證從TrenchFET III到TrenchFET
2013-12-31 11:45:20
電動(dòng)工具中直流電機(jī)的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無(wú)刷直流（BLDC）解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓?fù)渫ǔ８鶕?jù)雙向開關(guān)的使用與否實(shí)現(xiàn)一個(gè)或兩個(gè)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-08-01 08:16:08
PCB 上。 在這些解決方案中，電源解決方案和其余系統(tǒng) PCB 功能之間往往存在相互競(jìng)爭(zhēng)空間的需求。 由于電源需要采用龐大笨重的元器件，這樣可能會(huì)難以將所有元器件集中于電路板級(jí)解決方案，從而導(dǎo)致功率密度
2018-12-03 10:00:34
采用微型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2019-09-17 08:43:00
，提升MOSFET器件在電能轉(zhuǎn)換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度，同時(shí)確保在苛刻環(huán)境下開關(guān)過程中的抗沖擊耐量，實(shí)現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理和電機(jī)控制。
2024.04.24
銳駿Super Trench
2024-09-23 17:07:50
開發(fā)人員來(lái)說，功率密度是一個(gè)始終存在的挑戰(zhàn)，對(duì)各種電壓下更高電流的需求（通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線）帶來(lái)了對(duì)更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過一個(gè)單極里的多個(gè)放大器，將電壓從高達(dá)48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
如果您想根據(jù)功率密度比較電源，則需要對(duì)這個(gè)簡(jiǎn)單的定義作出充分的說明。這里的輸出功率是指轉(zhuǎn)換器在最壞的環(huán)境條件下可以提供的連續(xù)輸出功率。環(huán)境溫度、最大可接受外殼溫度、方向、海拔高度和預(yù)期壽命都可能會(huì)影響相關(guān)功率能力…
2022-11-07 06:45:10
中紅外激光功率密度探測(cè)單元的研制
摘要:采用室溫光導(dǎo)型ＨｇＣｄＴｅ探測(cè)器，研制了可用于中紅外激光功率密度測(cè)量的探測(cè)單元，主要包括衰減片、探測(cè)器
2010-04-28 16:05:36
11 用改進(jìn)的PQFN器件一對(duì)一替換標(biāo)準(zhǔn)SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強(qiáng)，并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。在以并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MOSFET應(yīng)用中，采用增強(qiáng)型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個(gè)組件代替一個(gè)并聯(lián)的組件對(duì)。
2011-03-09 09:13:026854 麥瑞半導(dǎo)體公司(Micrel, Inc.)推出了面向高功率密度直流—直流應(yīng)用的新型SuperSwitcher II(TM)系列集成MOSFET的降壓穩(wěn)壓器產(chǎn)品。
2012-02-03 09:09:121193 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中，提高效率和功率密度是設(shè)計(jì)人員面臨的重大挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體研發(fā)了智能功率級(jí)（SPS）模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:012749 高功率密度逆變電源研制，有需要的下來(lái)看看
2016-03-25 13:57:2020 TrenchFET? 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，為移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子和電源提供了更高的功率密度和效率。
2017-04-25 15:58:551806 2017成都電源集成技術(shù)和高功率密度設(shè)計(jì)研討會(huì)”是由商務(wù)部支持，中國(guó)電子展組委會(huì)策劃主辦，電源網(wǎng)及重慶電源學(xué)會(huì)協(xié)辦的專業(yè)電源研討會(huì)。
2017-07-05 14:58:021411
意法半導(dǎo)體新款的MDmesh? MOSFET內(nèi)置快速恢復(fù)二極管
提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度
2017-09-21 16:31:256599 通過對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。 分析顯示，在研發(fā)功率
2017-11-24 06:21:01944 
TI高功率密度電源設(shè)計(jì)中的散熱解決方案-上篇
2018-08-24 00:10:003829 設(shè)計(jì)超高功率密度的小功率AC-DC電源
2018-08-16 01:30:008377 MOSFET 逆變器的功率密度，探討了采用軟開關(guān)技術(shù)的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關(guān)頻率下的零電壓開關(guān)三相逆變器及硬開關(guān)三相逆變器的損耗分布和關(guān)鍵無(wú)源元件的體積， 討論了逆變器效率和關(guān)鍵無(wú)源元件體積與開關(guān)頻率之間的關(guān)系。 隨著開關(guān)頻率從數(shù)十 kHz 逐漸提升至
2025-10-11 15:32:0337 設(shè)計(jì)超高功率密度的小功率AC-DC電源
2019-05-13 06:21:005835 
URB_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對(duì)更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。
2019-10-22 13:48:242607 
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率而設(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務(wù)網(wǎng)站上供應(yīng)這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:383580 通過對(duì)同步交流對(duì)交流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管 （MOSFET）參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2020-08-07 18:52:000 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。 為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面： 降低損耗 最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇 有效的散熱 通過
2020-10-20 15:01:151460 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面：降低損耗，最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇，有效的散熱，通過機(jī)電
2020-11-19 15:14:0011 LTM4600-10A DC/DC uModule在緊湊的封裝中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:175 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。
為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面：
降低損耗
最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇
有效
2022-01-14 17:10:262447 功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實(shí)現(xiàn)，如今能滿足世界日益增長(zhǎng)的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實(shí)現(xiàn)。
?
為何選擇GaN？
當(dāng)涉及功率密度時(shí)，GaN為硅MOSFET提供了幾個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，
2021-12-09 11:08:162256 
在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高功率密度，軟開關(guān)和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:453361 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2022-05-31 09:47:063203 
(MOSFET)，因?yàn)樗軌蝌?qū)動(dòng)更高的功率密度和高達(dá) 99% 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 效率。但由于其電氣特性和它所支持的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨著與硅甚至其他寬帶隙技術(shù)（如碳化硅）不同的一系列挑戰(zhàn)。
2022-07-29 14:06:521635 
電力電子領(lǐng)域的各種應(yīng)用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設(shè)計(jì)用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當(dāng)今空間受限的高功率汽車應(yīng)用。
2022-08-09 08:02:114328 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《240W高功率密度高效LLC電源.zip》資料免費(fèi)下載
2022-08-09 14:21:5468 功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡(jiǎn)介
2022-10-31 08:23:243 一般電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)，電機(jī)本體以有效比功率指標(biāo)評(píng)價(jià)，逆變器以體積功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)；一般乘用車動(dòng)力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)，而商用車動(dòng)力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評(píng)價(jià)。
2022-10-31 10:11:216549 用氮化鎵重新考慮功率密度
2022-11-01 08:27:301 和信號(hào)完整性以提高系統(tǒng)級(jí)保護(hù)和精度。 在這些趨勢(shì)之外，功率密度越來(lái)越高也是一個(gè)不爭(zhēng)的行業(yè)趨勢(shì)，如果能在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率，就能以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)級(jí)性能。隨著功率需求的增加，電路板面積和厚度日益成為限制因
2022-11-29 07:15:101577 本文將介紹實(shí)現(xiàn)更高電源功率密度的 3 種方法，工藝技術(shù)創(chuàng)新、電路設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)化、熱優(yōu)化封裝研發(fā)
2022-12-22 11:59:591604 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）電源模塊功率密度越來(lái)越高是行業(yè)趨勢(shì)，每一次技術(shù)的進(jìn)步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會(huì)越來(lái)越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 07:15:022248 基于WAYON維安MOSFET高功率密度應(yīng)用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:351525 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:203471 
功率MOSFET手冊(cè)-中文版201808-The_Power_MOSFET_漢...
2023-02-20 19:30:510 對(duì)于電源管理應(yīng)用程序而言，功率密度的定義似乎非常簡(jiǎn)單：它指的是轉(zhuǎn)換器的額定（或標(biāo)稱）輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積，如圖1所示。
2023-03-23 09:27:491977 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來(lái)巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢(shì)，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:272254 
幾乎每個(gè)應(yīng)用中的半導(dǎo)體數(shù)量都在成倍增加，電子工程師面臨的諸多設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)都?xì)w結(jié)于需要更高的功率密度。
2023-07-11 11:21:34892 
ST-ONEMP與意法半導(dǎo)體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。 MasterGaN技術(shù)包含意法半導(dǎo)體的集成柵極驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導(dǎo)體GaN技術(shù)的開關(guān)頻率比傳統(tǒng)硅 MOSFET更高，使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011 
主體結(jié)構(gòu)采用SPM的結(jié)構(gòu)，極槽布置布置采用：12極18槽，最高轉(zhuǎn)速20000rpm，功率密度52.43kW/L，磁鋼型蛤采用：N50，硅鋼材料采用：Arnon 5
2023-10-08 10:48:511468 
點(diǎn)擊 “東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 碳化硅（SiC）是第3代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)和高功率密度、高電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)越的物理性能，應(yīng)用前景廣闊。 目前，東芝的碳化硅
2023-10-17 23:10:021787 
模塊的高效率、高功率密度和高可靠性的挑戰(zhàn)需要通過持續(xù)的模塊改進(jìn)來(lái)支持。阻斷電壓為 1700V 和 3300V 的全 SiC MOSFET 模塊已從研究階段成功開發(fā)到量產(chǎn)，并滿足最高的牽引質(zhì)量、可靠性和性能標(biāo)準(zhǔn)。 封裝和芯片移位 近年來(lái)，下一代高功率
2023-10-24 16:11:301871 
隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來(lái)的是，增加的電子設(shè)備使得汽車對(duì)電力運(yùn)作的需求日益攀升，這無(wú)疑對(duì)電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:061580 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:382051 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:281095 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:451652 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中，功率密度是一個(gè)不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:072526 
? 在處理激光光學(xué)時(shí)，功率和能量密度是需要理解的兩個(gè)重要概念。這兩個(gè)術(shù)語(yǔ)經(jīng)?；Q使用，但含義不同。表1定義了與激光光學(xué)相關(guān)的功率密度、能量密度和其他相關(guān)術(shù)語(yǔ)。 表1：用于描述激光束和其他電磁輻射
2024-03-05 06:30:223768 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度
2024-03-20 08:13:051068 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS25981-提高功率密度.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-08-26 09:34:041 超高功率密度LED是大功率LED的細(xì)分領(lǐng)域，憑借小體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)高亮照明、高可靠性及長(zhǎng)壽命等優(yōu)勢(shì)，逐漸在車用照明、車載HUD、舞臺(tái)照明、特種照明等多個(gè)領(lǐng)域嶄露頭角，為市場(chǎng)帶來(lái)了更智能、更便攜、更高
2024-12-05 11:40:121260 
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