沖電氣（OKI）向安森美半導(dǎo)體歐洲工廠提供排氣處理設(shè)備，既能完成常壓CVD制膜過(guò)程的排氣處理又同時(shí)確保制膜穩(wěn)定性，支持客戶(hù)生產(chǎn)過(guò)程的環(huán)保。

　　沖電氣（OKI）報(bào)道，沖電氣集團(tuán)（OKI）旗下的提供可靠性評(píng)估和環(huán)保技術(shù)服務(wù)的沖工程技術(shù)株式會(huì)社（社長(zhǎng)：淺井裕，總公司：日本東京都練馬區(qū)，以下簡(jiǎn)稱(chēng) “OEG”）向半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）公司（社長(zhǎng)：Keith Jackson，總公司：美國(guó)亞利桑那州鳳凰城）歐洲工廠提供常壓CVD※1生產(chǎn)設(shè)備用排氣處理設(shè)備“KGT-3MM-AP”。該設(shè)備不僅能夠處理常壓CVD生產(chǎn)設(shè)備所使用的特殊氣體的危害，還可以控制排放氣體保持一定的壓力，保證CVD膜生產(chǎn)線的穩(wěn)定生產(chǎn)，為客戶(hù)生產(chǎn)過(guò)程中的環(huán)保作貢獻(xiàn)。

圖 排氣處理設(shè)備“KGT-3MM-AP”

　　Power FET※2和IGBT※3等半導(dǎo)體絕緣膜的生產(chǎn)，常壓CVD生產(chǎn)設(shè)備不可或缺。但該生產(chǎn)設(shè)備使用SiH4※5、PH3※6、B2H6※7等對(duì)人體有害的氣體，所以必須進(jìn)行排氣處理。OEG的排氣處理設(shè)備“KGT-3MM-AP”采用的是濕式處理方式，可以高效處理CVD制膜過(guò)程中使用的特殊氣體和粉末。設(shè)備內(nèi)部采用特種不銹鋼過(guò)濾器，不但提高了有害氣體處理能力，而且結(jié)構(gòu)上不容易發(fā)生堵塞，因此不維修也可以長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)營(yíng)。另外，內(nèi)部過(guò)濾器采用特殊構(gòu)造，易于清潔，降低設(shè)備維修管理負(fù)擔(dān)而得到好評(píng)。并且，壓力控制微壓計(jì)也是為CVD制膜所使用氣體而開(kāi)發(fā)的，排氣扇變頻控制實(shí)現(xiàn)了常壓CVD制膜過(guò)程中不可或缺的排氣壓力控制，保證長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。

　　三年前，作為天谷制作所（社長(zhǎng)：吉岡獻(xiàn)太郎，總公司：日本埼玉縣越谷市）生產(chǎn)的連續(xù)常壓 CVD生產(chǎn)設(shè)備所配備的排氣處理設(shè)備，OEG向安森美半導(dǎo)體提供了“KGT-3MM-AP”。該設(shè)備連續(xù)作業(yè)無(wú)故障保證了CVD膜的穩(wěn)定生產(chǎn)，其壓力控制方式和排放有害氣體的處理性能等得到安森美半導(dǎo)體的好評(píng)，再次被該公司歐洲工廠采用。采用該設(shè)備不僅可以確保其歐洲工廠NSG※8、PSG※9、BPSG ※10等CVD膜的膜層厚度的穩(wěn)定，還促進(jìn)工廠提高產(chǎn)量，削減排氣處理費(fèi)用。

　　OEG排氣處理設(shè)備的生產(chǎn)制造已有近30年的歷史，有為日本和***的半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池生產(chǎn)廠家提供設(shè)備的豐富業(yè)績(jī)。此次是為歐洲客戶(hù)提供設(shè)備，還計(jì)劃將來(lái)開(kāi)拓東南亞市場(chǎng)。

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　　【用語(yǔ)解釋】

　　※1. CVD：（Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積），是沉積方法的一種，在加熱主板上生成各種材質(zhì)的薄膜。

　　※2. Power FET：（Power Field-Effect Transistor）是為處理大電力MOSFET※4而設(shè)計(jì)的，和其他電源設(shè)備比較，其開(kāi)關(guān)速度快，在低壓區(qū)的轉(zhuǎn)換功效高，因此多用于200V以下的開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器等。

　　※3. IGBT：（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)，用于電流控制。

　　※4. MOSFET：（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體三極管）是場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的一種，多采用二氧化硅材料，多用于集成電路。

　　※5. 硅烷（SiH4）：（silane，SiH4）分子量為32.12，是無(wú)色有臭氣體，是用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的特殊氣體的代表。

　　※6. 磷化氫（PH3）：（phosphine ，PH3）是一種無(wú)色、劇毒、易燃的氣體，無(wú)機(jī)化合物。是半導(dǎo)體生產(chǎn)原料混合氣體的原料，有時(shí)也用于n形硅的InGaP（銦鎵磷）半導(dǎo)體生產(chǎn)。

　　※7. 乙硼烷（B2H6）：（diborane，B2H6）是硼氫化合物，無(wú)色有臭味氣體，是重要的半導(dǎo)體材料。主要用于聚合催化劑和還原劑及火箭推進(jìn)劑等。易燃、易爆、劇毒。

　　※8. NSG（None-doped Silicate Glass）膜：不含磷和硼等不純物質(zhì)的二氧化硅（SiO2）膜。

　　※9. PSG（Phospho silicate glass）膜：含磷的硅氧化膜。

　　※10. BPSG（Boro-phospho silicate glass）膜：含硼和磷的硅氧化膜。