**1.**前言

大部分從事后端設(shè)計的同行應(yīng)該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項目經(jīng)理、封裝同事等才會接觸這一部分內(nèi)容。為啥要聊這一塊呢？首先看下完整的供電路徑（如下圖）：板級電源模塊（VRM：Voltage Regulator Module）的電流經(jīng)過PCB上的引線到達PCB的電源平面，通過Bump到達封裝的管腳，再通過封裝基板到芯片的PAD，再通過芯片內(nèi)的電源網(wǎng)絡(luò)到達晶體管電源的端口，地的回路和電源類似，電源和地的電流路徑形成了完整的供電路徑。

上圖的供電路徑等效電路圖如下圖所示，可見在VRM對晶體管供電的過程中，由于每一段供電路徑都有等效的電阻、電感、電容，所以每一段也都有相應(yīng)的電壓降。

當(dāng)整體考慮電源分布時，實際上涉及芯片上和芯片外的問題，這些問題從直流到直流轉(zhuǎn)換器開始，包括PCB，電源分布（power plane），封裝、插槽、電源管腳或焊接塊等，最后是與門的連接。正確的電源網(wǎng)格設(shè)計需要系統(tǒng)設(shè)計工程師、熱學(xué)設(shè)計師、系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計師、電路板設(shè)計師和芯片設(shè)計者的共同工作。這個問題需要整體優(yōu)化而不僅是局部的芯片級優(yōu)化。

后端工程師只需要分析Die+PKG部分（但是應(yīng)該記住這僅是整個設(shè)計問題的一部分），整體電源網(wǎng)絡(luò)仿真分析應(yīng)由封裝或者系統(tǒng)的同事完成，因此本文討論的范圍限于Die+PKG部分，如下圖：

2.封裝上的電壓降

在納米尺寸設(shè)計中，除了計算芯片的電壓降外，還要考慮與封裝相關(guān)的電壓降?？傠妷航档拇笮total 由電源凸點到邏輯門單元之間等效電阻R及封裝導(dǎo)線的電感值L決定，并由歐姆定律決定Vir，chip = IR，I為通路電流，Vl = Ldi/dt，則Vtotal值如下所示。

封裝電感對電壓降的影響，如下圖所示的兩種封裝形式，其中圖（a）為DIP（dual in-line）封裝，圖（b）為BGA（ball grid array）封裝，前者的封裝電感為1-2nH，而后者的封裝電感為0.1-0.2nH.

假設(shè)20mA的電流在200ps內(nèi)通過電源網(wǎng)絡(luò)給內(nèi)部節(jié)點供電時，其消耗在DIP和BGA封裝導(dǎo)線上的電壓降和地彈的總值（作用于兩條線路）分別計算得400mV和40mV：

由此可見，隨著工藝的發(fā)展，core供電電壓在下降，從0.9V（65nm） 0.8V（16nm） 0.75V（7nm），封裝導(dǎo)線所產(chǎn)生的電壓降變得尤其突出，需要通過封裝形式的改進減小電壓降的值。在數(shù)?；旌闲酒杏绕湟⒁猓瑪?shù)字core邏輯部分不管是die內(nèi)電源走線還是PKG上的走線，都要保證足夠強壯，不能認為數(shù)字邏輯部分instance比較少只要連起來就可以了。