威兆半導(dǎo)體推出的VS4604AP是一款面向40V低壓超大功率場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-31 17:14:45
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Technologies EiceDRIVER? 1200V半橋柵極驅(qū)動器.pdf 產(chǎn)品概述 這兩款器件屬于2ED132x系列，能夠在半橋配置中控制最大阻斷電壓為+1200V的IGBT或SiC MOSFET功率器件。其獨(dú)
2025-12-20 11:30:021308 ，近期推出了全新的OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET技術(shù)，為我們帶來了諸多驚喜。今天，我們就來深入探討這一技術(shù)及其在三相功率逆變器板上的應(yīng)用。 文件下載： Infineon
2025-12-20 10:35:06517 EVAL-COOLSIC-2kVHCC評估板：2000V CoolSiC? MOSFET的理想測試平臺 在電力電子領(lǐng)域，工程師們一直在尋找性能更優(yōu)、可靠性更高的功率器件及測試方案。今天，我們就來深入
2025-12-19 17:00:15445 OptiMOS? 5 Linear FET 2, 100 V IPT017N10NM5LF2 MOSFET深度解析 作為電子工程師，我們在設(shè)計中常常需要挑選合適的MOSFET來滿足特定的應(yīng)用需求
2025-12-19 09:35:06504 威兆半導(dǎo)體推出的VS2622AE是一款面向20V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持2.5V邏輯電平控制，采用PDFN3x3封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-18 17:42:57173 
CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2：高性能碳化硅MOSFET的卓越之選 在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代，功率半導(dǎo)體器件的性能對于各類電子系統(tǒng)的效率、可靠性和性能表現(xiàn)起著至關(guān)重要
2025-12-18 13:50:06202 探索IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2：高性能與多功能的完美結(jié)合 在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和可靠性。今天
2025-12-18 13:50:02214 威兆半導(dǎo)體推出的VS3622DP2是一款面向30V低壓場景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用PDFN5x6封裝，適配雙路低壓大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一
2025-12-15 09:51:07218 
威兆半導(dǎo)體推出的VS2N7002K是一款面向60V低壓小信號場景的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低功率信號開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型小信號
2025-12-12 15:43:13301 
：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4級超級結(jié)功率MOSFET。這款200 V、480 A
2025-12-12 11:40:40376 
安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)宣布推出采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業(yè)應(yīng)用的電源封裝技術(shù)帶來突破。這款新品為電動汽車、太陽能基礎(chǔ)設(shè)施及儲能系統(tǒng)等市場的高功率、高電壓應(yīng)用提供增強(qiáng)的散熱性能、可靠性和設(shè)計靈活性。
2025-12-11 17:48:49736 威兆半導(dǎo)體推出的VS3640AA是一款面向30V低壓小電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用DFN2x2封裝，適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-10 11:48:31227 在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們來詳細(xì)探討Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD這款N溝道功率MOSFET，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。
2025-12-08 16:38:38548 
威兆半導(dǎo)體推出的VS6604GP是一款面向60V中低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-08 10:59:34252 
在電子工程領(lǐng)域，功率模塊的性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和可靠性。今天，我們就來深入了解一下 onsemi 推出的 NXH80T120L2Q0S2G/S2TG, NXH80T120L2Q0P2G 功率模塊，看看它有哪些獨(dú)特之處。
2025-12-04 10:35:53413 
作為一名電子工程師，在為電動汽車（xEV）應(yīng)用設(shè)計 DC - DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電器時，合適的功率 MOSFET 模塊至關(guān)重要。今天就為大家詳細(xì)解析 onsemi 的 SiC 功率 MOSFET 模塊 NVXK2PR80WXT2。
2025-12-03 16:13:24632 
在電子工程師的日常工作中，為特定應(yīng)用選擇合適的功率模塊至關(guān)重要。今天，我們就來深入探討onsemi的NVXK2VR40WXT2這款1200V、40mΩ、55A的三相橋功率模塊，看看它在xEV車載充電器（OBC）應(yīng)用中能帶來怎樣的優(yōu)勢。
2025-12-03 15:52:29550 
在電動汽車（xEV）應(yīng)用領(lǐng)域，車載充電器（OBC）的性能至關(guān)重要，而功率 MOSFET 模塊作為其中的核心組件，其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和可靠性。今天，我們就來深入了解一下 onsemi 的 NVXK2VR80WXT2，一款專為 xEV 應(yīng)用的 OBC 設(shè)計的碳化硅（SiC）3 - 相橋功率模塊。
2025-12-03 15:41:55371 
在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能和特性對電路設(shè)計起著至關(guān)重要的作用。今天我們來深入了解一下onsemi推出的NTBLS0D8N08X，這是一款80V、0.79mΩ、457A的單N溝道功率MOSFET，它在多個方面展現(xiàn)出了卓越的性能。
2025-12-03 11:42:19455 
近日，國民技術(shù)正式推出新款安全芯片N32S035，該產(chǎn)品是一款即用型的物聯(lián)網(wǎng)安全元件解決方案，主打硬件級高安全能力與緊湊型設(shè)計，在芯片級提供可信根，能夠?yàn)槲锫?lián)網(wǎng)系統(tǒng)開箱即用地提供先進(jìn)的端到云安全能力。面向物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、身份認(rèn)證、數(shù)據(jù)加密等應(yīng)用場景，提供從芯片到系統(tǒng)的全方位安全保護(hù)。
2025-12-01 15:17:29291 ）連續(xù)波功率：50 W（典型）線性度：IIP3 ≥ 65 dBm（@ 2 GHz）工作溫度：-40 °C ~ +85 °C供電：5 V，驅(qū)動電流約 50 mA封裝：16-PQFN (4 × 4 mm
2025-12-01 09:02:41
納芯微正式推出新一代線性位置傳感器 MT911x與MT912x系列。新品面向無人機(jī)、3D打印機(jī)、手持穩(wěn)定器、工業(yè)自動化設(shè)備等對位置檢測精度與響應(yīng)速度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場景，兼具高精度、高帶寬、低功耗與小型封裝優(yōu)勢，為多種位置感知需求提供更可靠、更靈活的解決方案。
2025-11-27 16:04:44320 。NTTFD1D8N02P1E MOSFET還具有低 ~RDS (on)~ ，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，另外還具有低~QG~ 和電容，可最大限度地降低驅(qū)動器損耗。該MOSFET采用PQFN12小尺寸 (3.3mm x 3.3mm)，設(shè)計緊湊。NTTFD1D8N02P1E器件適用于直流/直流轉(zhuǎn)換器和系統(tǒng)電壓軌。
2025-11-24 13:40:06394 
應(yīng)用。該器件的漏極-源極電壓為80V，連續(xù)漏極電流為299A。安森美NVBLS1D2N08X MOSFET采用H-PSOF8L封裝。
2025-11-24 09:29:21317 
) 2mm x 2mm封裝，在-4.5V時提供僅45mΩ的R ~DS(on)~ ，從而降低了導(dǎo)通損耗，并提高了熱性能。NxJS3151P設(shè)備的最大漏極電流為-3.3A，漏源電壓額定值為-12V，非常適合
2025-11-22 10:27:55880 
，PCB布局，特別是貼片封裝功率MOSFET管，要在源極、漏極管腳充分敷設(shè)銅皮進(jìn)行散熱。功率MOSFET管數(shù)據(jù)表的熱阻測量通常有一定限制條件，如元件裝在1平方英2OZ銅皮電路板上進(jìn)行測量，實(shí)際應(yīng)用中，源
2025-11-19 06:35:56
仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及TO-220F封裝適配性，適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器
2025-11-17 14:37:39200 
Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為
2025-11-14 10:32:18365 
仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65D是一款面向650V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-11 09:23:54216 中科微電推出的N溝道MOSFET ZK150G05T，以150V耐壓、51A連續(xù)電流、TO-252-2L薄型封裝為核心標(biāo)簽，精準(zhǔn)匹配3-8kW級中壓場景的功率控制需求，其參數(shù)設(shè)計與應(yīng)用表現(xiàn)，為理解中壓小功率器件的適配性發(fā)展邏輯提供了典型樣本。
2025-11-04 16:27:15481 
及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續(xù)）和455V（瞬態(tài)）的TOLL封裝新產(chǎn)品
2025-10-31 11:00:59297 有超低柵極電荷、±30V柵極-源極電壓、83W總功耗、全球R~DS(ON) x 面積以及全球品質(zhì)因數(shù)（~ FOM）。該MOSFET的工作結(jié)溫范圍為-55°C至150°C，采用DPAK（TO-252）A2型封裝。典型應(yīng)用包括反激式轉(zhuǎn)換器、LED照明以及平板電腦和筆記本電腦。
2025-10-27 14:24:41381 
DRV83x2 是高性能、集成的三相電機(jī)驅(qū)動器，具有先進(jìn)的保護(hù)系統(tǒng)。
由于 R 較低 ~DS（開）~ 功率MOSFET和智能柵極驅(qū)動設(shè)計，這些電機(jī)驅(qū)動器的效率可達(dá)97%。這種高效率使用更小的電源和散熱器，并且這些器件非常適合節(jié)能應(yīng)用。
2025-10-21 10:41:48575 
PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關(guān)器件能夠提供增強(qiáng)的動態(tài)均流功能，專為需要并聯(lián)多個匹配MOSFET的高功率48 V應(yīng)用設(shè)計。此類應(yīng)用涵蓋叉車、電動滑板車、代步設(shè)備等電動交通工具的電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)，或高功率工業(yè)電機(jī)。
2025-10-10 11:22:27700 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通電
2025-09-18 18:19:141109 ### 一、IR9351-VB 產(chǎn)品簡介IR9351-VB 是一款采用 DFN6(2X2)-B 封裝的雙 P-通道 MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻和高效的開關(guān)性能。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為
2025-09-02 15:57:19
### IR8342-VB 產(chǎn)品簡介IR8342-VB是一款采用DFN6(2x2)封裝的單N溝道MOSFET，具有30V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS）。其低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)能力
2025-09-02 15:50:43
### 一、產(chǎn)品簡介IR6276-VB 是一款采用 DFN6 (2x2)-B 封裝的雙 N-溝道 MOSFET，具有高效能、低導(dǎo)通電阻的特性，適用于要求緊湊設(shè)計和高性能的應(yīng)用。其VDS 最大值為
2025-09-02 15:47:38
### 一、IR6242-VB 產(chǎn)品簡介IR6242-VB 是一款采用 DFN6 (2x2) 封裝的單一 N 溝道 MOSFET，專為高效率和低功耗應(yīng)用設(shè)計。其主要特性包括 30V 的漏源電壓
2025-09-02 15:45:18
DRV84xx、DRV89x2和DRV82x2寬電壓、大功率驅(qū)動器非常適合用于各種工業(yè)應(yīng)用。該器件采用控制EVM所需的圖形用戶界面 (GUI)。
2025-08-20 09:54:341051 
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，英飛凌最新推出的CoolSiCMOSFETGen2系列產(chǎn)品，單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新
2025-08-19 14:45:005067 
碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動汽車等領(lǐng)域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154 
合科泰HKT系列產(chǎn)品推出新品N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用SGT屏蔽柵技術(shù)，其中HKTS80N06采用新款TOLL4封裝優(yōu)化散熱，產(chǎn)品均符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，以低導(dǎo)通電阻和高電流承載，可適配封閉環(huán)境應(yīng)用，如儲能電池包BMS和車載OBC應(yīng)用。
2025-08-12 16:54:001608 
AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容 HU3PAK封裝 的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域的深度分析： 一、T2PAK-7兼容HU3PAK封裝的核心優(yōu)勢 頂面散熱設(shè)計 熱管理優(yōu)化
2025-08-10 15:11:061220 
【2025年8月1日，德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝
2025-08-01 17:05:091506 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于白光 LED 應(yīng)用的高效 1x/1.5x/2x 模式電荷泵相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有用于白光 LED 應(yīng)用的高效 1x/1.5x/2x 模式電荷泵的引腳圖、接線圖、封裝
2025-07-29 18:30:00
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于白光 LED 應(yīng)用的高效 1X/1.5X/2X 電荷泵相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有用于白光 LED 應(yīng)用的高效 1X/1.5X/2X 電荷泵的引腳圖、接線圖、封裝手冊
2025-07-25 18:34:31
致力于高性能電力電子芯片與數(shù)字能源解決方案創(chuàng)新的——廣芯微電子（廣州）股份有限公司今日宣布，基于自主研發(fā)的 UM3242F高性能工業(yè)實(shí)時微處理器芯片 ，成功開發(fā)出新一代 2x520W并網(wǎng)型微型逆變器參考開發(fā)平臺 。
2025-07-21 10:07:533938 
圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開關(guān)、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522287 
Wolfspeed 推出新型頂部散熱（TSC） 碳化硅 MOSFET 和肖特基二極管 優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗 Wolfspeed 正在擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二極管分立
2025-07-09 10:50:321361 
新品采用ThinTOLL8x8封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ，33mΩ產(chǎn)品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件產(chǎn)品線現(xiàn)擴(kuò)充ThinTOLL8x8封裝
2025-07-08 17:08:311019 的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，5.9 GHz C-V2X 和 802.11p DSRC 高功率前端模塊真值表，5.9 GHz C-V2X 和 802.11p DSRC 高功率前端模塊管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-02 18:34:12
【 2025 年 7 月 1 日 , 德國慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSiC
2025-07-02 15:00:301604 
新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝（TO-263-7），該系列導(dǎo)通電阻（RDS
2025-07-01 17:03:111321 Semiconductor推出的 BMS065MR12EP2CA2 碳化硅(SiC)MOSFET模塊，憑借其低損耗、高耐溫及高功率密度等特性，為商空熱泵的能效升級提供了創(chuàng)新解決方案。
2025-06-19 16:44:44676 
專為高功率密度應(yīng)用而設(shè)計的 DFN3.3x3.3 源極朝下封裝，采用創(chuàng)新的柵極中置布局技術(shù)，可大幅簡化 PCB 走線設(shè)計。 日前，集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商
2025-06-18 15:18:491438 
問題。今天的文章將會主要聚集在G2的導(dǎo)通特性上。在MOSFET設(shè)計選型過程中，工程師往往會以MOSFET常溫下漏源極導(dǎo)通電阻RDS(on)作為第一評價要素。RDS(o
2025-06-16 17:34:51710 的CoolSiCMOSFET650V和1200VGen2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，進(jìn)一步提升了MOSFET的主要性能指標(biāo)，擁有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性價比提高了15%，是各種
2025-06-09 17:45:191086 ”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。
2025-05-22 14:51:22901 
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)性。
2025-05-14 15:39:301341 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別為30、40和60 mΩ。這些器件
2025-05-09 19:42:5351531 近日，基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲能等
2025-05-09 11:45:401018 
2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅(qū)動板：解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能 2CD0210T12x0驅(qū)動板不僅是SiC MOSFET的“智慧大腦”，更是電力電子系統(tǒng)邁向高效與可靠的核心
2025-05-06 10:54:02729 
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其成為便攜式設(shè)備、信號開關(guān)和ESD敏感電路的理想選擇。
2025-04-29 18:14:34
0 2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其
2025-04-27 16:59:26
這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗，并針對 5V 柵極驅(qū)動應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。2mm × 2mm SON 為封裝尺寸提供出色的熱性能。
2025-04-15 17:08:38699 
的晶體管外形無引線 (TOLL) 封裝，將 德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅(qū)動器與先進(jìn)的保護(hù)功能相結(jié)合。 中國上海（2025 年4 月 9 日）— 德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長的電源需求。隨著高性能計算和人工
2025-04-09 14:38:46516 
飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產(chǎn)品族）。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232 )封裝技術(shù)，稱為X.PAK。這種封裝技術(shù)的創(chuàng)新之處在于其頂面冷卻設(shè)計，使得設(shè)備在高功率應(yīng)用中能夠有效散熱，極大地提升了整體性能。新推出的X.PAK封裝尺寸緊湊，只有1
2025-03-20 11:18:11963 
Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL）推出兩款先進(jìn)的表面貼片封裝選項(xiàng)，擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的高功率MOSFET產(chǎn)品組合。全新的 GTPAK
2025-03-13 13:51:461305 
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2025-03-12 17:15:121 英飛凌(Infineon)近日宣布，擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736 
HMC596LP4(E)是一款低成本4x2開關(guān)矩陣產(chǎn)品，采用無引腳QFN 4x4 mm表貼封裝，可用于衛(wèi)星/DBS、LNB和200 MHz至3000 MHz的多路開關(guān)。 開關(guān)上集成由正電壓控制的4位解碼器。 該開關(guān)可用于75 Ω或50 Ω系統(tǒng)。
2025-03-07 16:50:271511 
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2025-03-07 10:55:500 Integrations（納斯達(dá)克股票代號：POWI）今日推出新款HiperLCS?-2芯片組，可實(shí)現(xiàn)輸出功率翻倍。新器件采用更高級的半橋開關(guān)技術(shù)和創(chuàng)新封裝，可提供高達(dá)1650W的連續(xù)輸出功率，效率超過98%。該產(chǎn)品系列的這一新品主要面向工業(yè)電源以及電動踏板車和戶外電動工具的充電器，其高效率和
2025-03-06 15:32:11729 
美國加利福尼亞州圣何塞，2025年3月5日訊 – 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號：POWI）今日推出新款HiperLCS-2
2025-03-06 10:59:531176 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1754SI-X N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-05 17:31:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTD1534MFJ-X N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 17:21:331 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTD1534RFJ-X N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
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2025-03-01 15:19:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT3810FP-X N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-28 18:04:000 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT4201FL-X N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-28 17:44:401 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTS1534FJ-X N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-28 17:38:391 德州儀器（TI）提供的一種新的驅(qū)動器集成氮化鎵（GaN）功率級產(chǎn)品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳（QFN）封裝中實(shí)現(xiàn)，該封裝尺寸為12mm x 12mm。這種擴(kuò)大的QFN封裝可以從GaN
2025-02-25 10:36:391037 
公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
2025年2月18日，鼎陽科技推出新一代任意波形發(fā)生器SDG3000X系列，此系列產(chǎn)品具有16-bit垂直分辨率，最高200MHz輸出頻率，1.2GSa/s采樣率，每通道最大存儲深度40Mpts，并采用了創(chuàng)新的EasyPulse和TrueArb技術(shù)，顯著降低波形抖動。
2025-02-19 09:11:411206 
近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點(diǎn)。新型
2025-01-13 11:41:38957 
圣邦微電子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低導(dǎo)通電阻，單通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封裝的 MOSFET 器件。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過電壓保護(hù)開關(guān)，電池充放電開關(guān)和直流-直流轉(zhuǎn)換器。
2025-01-08 16:34:241182 隨著現(xiàn)代工業(yè)技術(shù)的快速發(fā)展，功率電子器件在能源轉(zhuǎn)換與控制領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。Toshiba 推出的MG400Q2YMS3 碳化硅 (SiC) N 溝道 MOSFET 模塊，憑借其卓越的性能
2025-01-06 14:57:13985 
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