電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/程文智）這幾年GaN和SiC等第三代半導(dǎo)體器件的商用化進(jìn)展還不錯(cuò)，GaN器件在快充上開始大規(guī)模應(yīng)用，SiC器件也在汽車上嶄露頭角?，F(xiàn)在大家對第三代半導(dǎo)體器件的前景非?？春?，很多
2021-12-27 09:01:00
6634 可編程邏輯器件伴隨著半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展而不斷發(fā)展，其發(fā)展可以劃分為以下4個(gè)階段。
2021-08-17 09:16:0010854 
(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MTSI，以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導(dǎo)
2022-05-19 16:03:513914 
在電子工業(yè)的歷史中，硅(Si)已經(jīng)穩(wěn)定地成為半導(dǎo)體元器件的首選材料。從普通的晶體管到今天高度集成的芯片，硅都起到了不可替代的作用。但為什么在眾多元素和化合物中，人們會(huì)選擇硅作為制造半導(dǎo)體元器件的主要材料呢？本文將深入探討硅背后的秘密和它在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的無與倫比的地位。
2023-08-08 10:12:3510401 
金剛石作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，近年來成為大家關(guān)注的熱點(diǎn)。盡管在材料制備、器件研制與性能方面取得了一定進(jìn)展，但半導(dǎo)體摻雜技術(shù)至今沒有很好解決。氫終端金剛石由于具有典型的二維空穴氣被廣泛應(yīng)用于微波
2023-08-17 09:47:183244 
我國科學(xué)家成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。我國氧化鎵領(lǐng)域研究連續(xù)取得突破日前，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
《電子電路分析與設(shè)計(jì)：半導(dǎo)體器件及其基本應(yīng)用》主要內(nèi)容：電子學(xué)是研究電荷在空氣、真空和半導(dǎo)體內(nèi)運(yùn)動(dòng)的一門科學(xué)（注意此處不包括電荷在金屬中的運(yùn)動(dòng)）。這一概念最早起源于20世紀(jì)早期，以便和電氣工程
2018-11-13 15:34:39
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 編輯
今年剛考上研究生 本科是學(xué)通信的 無奈被調(diào)劑到專碩 導(dǎo)師是研究半導(dǎo)體器件的 對這方面不是很了解 想問下它的就業(yè)前景怎么樣 以后想往集成電路設(shè)計(jì)方面發(fā)展容易嗎？
2012-07-01 23:15:00
進(jìn)口日本半導(dǎo)體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產(chǎn)材料。聯(lián)系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
` 誰來闡述一下半導(dǎo)體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
，無論是電容式或是電感式，其原理類似，在一塊集成有成千上萬半導(dǎo)體器件的“平板”上，手指貼在其上與其構(gòu)成了電容（電感）的另一面，由于手指平面凸凹不平，凸點(diǎn)處和凹點(diǎn)處接觸平板的實(shí)際距離大小就不一樣，形成的電容
2014-10-19 17:48:27
近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
本人小白，最近公司想上半導(dǎo)體器件的塑封生產(chǎn)線，主要是小型貼片器件封裝，例如sot系列。設(shè)備也不需要面面俱到，能進(jìn)行小規(guī)模正常生產(chǎn)就行。哪位大神能告知所需設(shè)備的信息，以及這些設(shè)備的國內(nèi)外生產(chǎn)廠家，在此先行感謝！
2022-01-22 12:26:47
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長期
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
還有待完善。 半導(dǎo)體指紋傳感器由于所使用的半導(dǎo)體本身就是損耗件，相對于光學(xué)傳感器都存在使用壽命短。光學(xué)指紋傳感器圖像采集技術(shù) 光學(xué)指紋采集技術(shù)是最古老也是目前應(yīng)用最廣泛的指紋采集技術(shù)，光學(xué)指紋采集設(shè)備
2012-06-04 16:43:40
（ microchip ）、集成電路（in te grated circuit, IC）。是指內(nèi)含集成電路的硅片，體積很小。一般而言，芯片（IC）泛指所有的半導(dǎo)體元器件，是在硅板上集合多種電子元器件實(shí)現(xiàn)某種特定功能
2020-11-17 09:42:00
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度
2020-12-28 11:21:38
集成電路是一種微型電子器件或部件，它是采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有
2021-09-15 06:45:56
CCD(Charge Coupled Devices)電荷耦合器件是20世紀(jì)70年代初發(fā)展起來的新型半導(dǎo)體集成光電器件。近30年來，CCD器件及其應(yīng)用技術(shù)的研究取得飛速進(jìn)展，特別是在圖像傳感和非接觸
2019-10-22 07:28:34
習(xí)去實(shí)戰(zhàn)應(yīng)用，這種快樂試試你就會(huì)懂的。話不多說，上貨。
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和可編程邏輯器件簡介
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一種能存儲(chǔ)大量二值信息的半導(dǎo)體器件。在電子計(jì)算機(jī)以及其他一些數(shù)字系統(tǒng)的工作過程中，都
2024-03-28 17:41:58
）的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基于硅（Si）的集成電路）。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。集成電路是20世紀(jì)50年代后期一60年代發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體器件。它是經(jīng)過氧化、光刻、擴(kuò)散、外延、蒸
2023-02-23 15:24:55
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
趕上甚至超過了成本昂貴的硅上氮化鎵產(chǎn)品的替代技術(shù)。我們期待這項(xiàng)合作讓這些GaN創(chuàng)新在硅供應(yīng)鏈內(nèi)結(jié)出碩果，最終服務(wù)于要求最高的客戶和應(yīng)用?！币夥?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體汽車與分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代，需要的器件越來越多，價(jià)格越來越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：在硅上生長的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號(hào)：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
/控制/保護(hù)/接口/監(jiān)測等外圍電路集成；而分立功率半導(dǎo)體器件則是功率模塊與功率IC的關(guān)鍵。圖表1 功率半導(dǎo)體器件分類（來源：中泰證券研究所）功率半導(dǎo)體器件又可根據(jù)對電路信號(hào)的可控程度分為全控型、半控型
2019-02-26 17:04:37
、3-三極管 第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料
2021-05-25 08:01:53
50多年前硅（Si）集成電路的發(fā)明意義重大，為我們當(dāng)前所享受的現(xiàn)代計(jì)算機(jī)和電子產(chǎn)品時(shí)代鋪平了道路。但是正如俗話所說，天下沒有不散的筵席，現(xiàn)在存在疑問的是，硅在半導(dǎo)體行業(yè)的霸主地位將何時(shí)終結(jié)？據(jù)
2019-07-30 07:27:44
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場測量以及利用磁場作為媒介對位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測量中，半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
請教，關(guān)于MIP705半導(dǎo)體集成電路的應(yīng)用，請有識(shí)之士不惜賜教。
2012-09-22 17:33:44
結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用到各類重要功率半導(dǎo)體器件的基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，建立起一系列不同層次的、復(fù)雜程度漸增的器件模型，并闡述了各類重要功率半導(dǎo)體器件各級模型的基礎(chǔ)知識(shí)，使
2025-07-11 14:49:36
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
激光器的主流。盡管半導(dǎo)體激光器的缺點(diǎn)是光束發(fā)散角大，光束質(zhì)量較差。但近年來微光學(xué)加工技術(shù)和光學(xué)整形技術(shù)的發(fā)展使得半導(dǎo)體激光器輸出的光束質(zhì)量大大提高。同時(shí)半導(dǎo)體激光物理器件技術(shù)正向縱深方向推進(jìn)，其原始
2022-01-10 14:30:55
技術(shù)、現(xiàn)代化學(xué)等方面的進(jìn)步，同時(shí)它的進(jìn)展又極大地促進(jìn) 了相鄰學(xué)科的交叉和持續(xù)發(fā)展。眾多的科研機(jī)構(gòu)在與標(biāo)準(zhǔn)集成電路工藝兼容的硅基光學(xué)器件方面開展了廣泛而深 入的研究工作，已經(jīng)取得了顯著研究成果，許多關(guān)鍵技術(shù)獲得
2011-11-15 10:51:27
、天文學(xué)、環(huán)境科學(xué)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用價(jià)值。THz振蕩源則是THz頻段應(yīng)用的關(guān)鍵器件。研制可以產(chǎn)生連續(xù)波發(fā)射的固態(tài)半導(dǎo)體振蕩源是THz技術(shù)研究中最前沿的問題之一?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的THz輻射源有體積小、易集成
2019-05-28 07:12:25
silicon photonic circuits“。基于鍺離子注入的硅波導(dǎo)工藝和激光退火工藝，他們實(shí)現(xiàn)了可擦除的定向耦合器，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了可編程的硅基集成光路，也就是所謂的光學(xué)FPGA。
2019-10-21 08:04:48
去年九月，安森美半導(dǎo)體宣布收購Fairchild半導(dǎo)體。上周，我們完成了前Fairchild半導(dǎo)體產(chǎn)品信息向安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站的轉(zhuǎn)移。這使訪客能瀏覽低、中、高壓電源模塊、集成電路和分立器件合并的、擴(kuò)展
2018-10-31 09:17:40
文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)。近年來，無線通信市場的蓬勃發(fā)展，特別是移動(dòng)電話、無線
2019-07-05 06:53:04
；第五部分表示規(guī)格。具體規(guī)定見表 3.1 所示。2.日本常用半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名標(biāo)準(zhǔn) 3.美國常用半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名標(biāo)準(zhǔn) 4.常用的整流二極管型號(hào)及性能 5.硅高頻小功率三極管參數(shù) 6.部分國外硅高頻
2017-11-06 14:03:02
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）在阻變存儲(chǔ)器研究工作中取得進(jìn)展，并被美國化學(xué)協(xié)會(huì)ACS Nano雜志在線報(bào)道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器（ReRAM）具有低廉的價(jià)格
2010-12-29 15:13:32
新型銅互連方法—電化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究進(jìn)展多孔低介電常數(shù)的介質(zhì)引入硅半導(dǎo)體器件給傳統(tǒng)的化學(xué)機(jī)械拋光（ＣＭＰ）技術(shù)帶來了巨大的挑戰(zhàn)，低ｋ 介質(zhì)的脆弱性難以承受傳統(tǒng)ＣＭＰ 技術(shù)所施加的機(jī)械力。一種結(jié)合了
2009-10-06 10:08:07
`①未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
、日本等國家和組織啟動(dòng)了至少12項(xiàng)研發(fā)計(jì)劃，總計(jì)投入研究經(jīng)費(fèi)達(dá)到6億美元。借助各國***的大力支持，自從1965年第一支GaAs晶體管誕生以來，化合物半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)取得了快速的進(jìn)步，為化合物半導(dǎo)體
2019-06-13 04:20:24
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
電源管理半導(dǎo)體的新進(jìn)展1979年電力電子學(xué)會(huì)在我國成立，此后，人們開始把用于大功率方向的器件稱為電力半導(dǎo)體。由于微電子學(xué)把相關(guān)的器件稱為微電子器件，從而也有了電力電子器件之稱。電力半導(dǎo)體和電力
2009-12-11 15:47:08
·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基于硅（Si）的集成電路）。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。集成電路是20世紀(jì)50年代后期一60年代發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體器件
2020-04-22 11:55:14
電路）和羅伯特·諾伊思（基于硅（Si）的集成電路）。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。集成電路是20世紀(jì)50年代后期一60年代發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體器件。它是經(jīng)過氧化、光刻、擴(kuò)散、外延、蒸鋁等
2020-02-18 13:23:44
的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等?！ ?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類
2016-11-27 22:34:51
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
硅基薄膜太陽電池新進(jìn)展
一.引言
2009-12-28 09:35:45916 1 序言
本文所討論的智能探測器，是一種集成的半導(dǎo)體光電探測器。它與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體光敏器件相比，
2011-01-07 15:32:20967 
文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)。
2011-06-29 09:34:372392 日前，中科院微電子研究所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室(三室)在阻變存儲(chǔ)器微觀機(jī)制研究中取得系列進(jìn)展。
2012-04-13 09:31:301483 與1550mm波長的探測響應(yīng)度也已分別達(dá)到了0.16mA/W 和0.08mA/W.文章對硅基光電器件的研究進(jìn)展情況進(jìn)行了概述，并著重對幾種器件的結(jié)構(gòu)及工作原理進(jìn)行了分析。 發(fā)光器件 由于硅為間接帶隙半導(dǎo)體，在載流子的復(fù)合過程中非輻射復(fù)合占絕對優(yōu)勢，因此單晶硅本身不能制
2017-09-30 10:08:39
4 近幾年來，現(xiàn)代光學(xué)儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在光纖傳感關(guān)鍵技術(shù)、微納光纖及其器件、負(fù)折射率介質(zhì)和光子晶體、高清晰度液晶投影顯示技術(shù)及系統(tǒng)、多功能高集成度光電子集成器件等研究方向取得了突出進(jìn)展。在激光與非線性
2017-11-02 15:44:1210 在科技部和中國科學(xué)院的大力支持下，半導(dǎo)體研究所集成技術(shù)工程研究中心相關(guān)課題組多年來致力于射頻諧振器件以及相關(guān)的測試表征系統(tǒng)的研制工作，在諧振器構(gòu)型、微納加工工藝、器件測試方法研究和測試系統(tǒng)組建等方面
2017-12-10 11:09:011216 近日，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員沈國震帶領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)，與北京科技大學(xué)數(shù)理學(xué)院教授陳娣合作，在柔性人工視覺感知和存儲(chǔ)系統(tǒng)領(lǐng)域中取得新進(jìn)展。 人體的視覺系統(tǒng)能夠感知外界的光線
2018-01-13 22:42:331334 量子共振隧穿效應(yīng)引起的具有多自由度非線性動(dòng)力學(xué)系統(tǒng)的半導(dǎo)體超晶格器件中誘導(dǎo)出空間和時(shí)間序，用于檢測并放大高頻微弱信號(hào)。
2018-10-02 18:42:001538 硅基激光器是用于硅基光子集成芯片的重要器件，為硅基光電子集成芯片提供光源。
2019-03-20 15:18:2725881 
碳基半導(dǎo)體制造的芯片器件類型與硅基半導(dǎo)體沒有大的差異，可大致將其分為：信息處理芯片、通信芯片和傳感器芯片三類。
2020-10-29 15:09:558902 半個(gè)世紀(jì)以來， 功率半導(dǎo)體器件得到長足發(fā)展， 極大地促進(jìn)了電力電子技術(shù)的進(jìn)步， 而功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展主要基于整個(gè)微電子領(lǐng)域的基石——硅材料。19 世紀(jì)80 年代以來，硅材料本身的物理特性對硅基功率
2021-03-01 16:12:0024 最近，中科院半導(dǎo)體所半導(dǎo)體超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室王麗麗副研究員和沈國震研究員與吉林大學(xué)等單位合作，設(shè)計(jì)了一種新型MXene/BP半導(dǎo)體薄膜基自供電柔性感知集成系統(tǒng)。
2021-03-12 15:52:274918 英特爾的目標(biāo)是在封裝中將密度提升10倍以上，將邏輯微縮提升30%至50%，并布局非硅基半導(dǎo)體 在不懈推進(jìn)摩爾定律的過程中，英特爾公布了在封裝、晶體管和量子物理學(xué)方面的關(guān)鍵技術(shù)突破，這些突破對推進(jìn)和加
2021-12-14 09:22:323592 。這一最新研究在多波長集成光學(xué)領(lǐng)域取得了業(yè)界領(lǐng)先的進(jìn)展，展示了完全集成在硅晶圓上的八波長分布式反饋（DFB）激光器陣列，輸出功率均勻性達(dá)到+/- 0.25分貝（dB），波長間隔均勻性到達(dá)±6.5%，均優(yōu)于行業(yè)規(guī)范。 ? 英特爾研究院資深
2022-07-04 16:28:432375 
硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:264975 
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近期，昆明物理研究所、云南大學(xué)和云南省先進(jìn)光電材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的聯(lián)合科研團(tuán)隊(duì)在《紅外技術(shù)》期刊上發(fā)表了以“硅基BIB紅外探測器研究進(jìn)展”為主題的綜述文章。該文章通訊作者為唐利斌正高級工程師，主要從事光電材料與器件的研究工作。
2023-02-07 13:51:293564 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:342743 
香港大學(xué)電機(jī)與電子工程系助理教授向超以異質(zhì)光子集成、硅光子學(xué)、半導(dǎo)體激光器和光子集成電路為研究方向，并主導(dǎo)研發(fā)了一系列硅基異質(zhì)集成光電子器件，主要包括氮化硅上單片集成激光器、硅基激光光孤子頻率梳生成器、硅基窄線寬激光器等。
2023-04-25 10:16:012454 
近日，半導(dǎo)體所集成光電子學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室微波光電子課題組李明研究員-祝寧華院士團(tuán)隊(duì)研制出一款超高集成度光學(xué)卷積處理器。
2023-06-01 09:52:062807 
上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI課題組孵化的上海新硅聚合半導(dǎo)體有限公司（簡稱：新硅聚合）近期實(shí)現(xiàn)了6英寸的光學(xué)級硅基高均勻性鈮酸鋰薄膜（LNOI）的工程化制備。
2023-06-09 09:43:154120 
當(dāng)前，量子計(jì)算發(fā)展進(jìn)入飛速期，各國研究團(tuán)隊(duì)分別通過超導(dǎo)電路、離子阱、半導(dǎo)體、金剛石色心，或者光子等各種介質(zhì)來構(gòu)建量子比特體系，實(shí)現(xiàn)量子計(jì)算。在這些技術(shù)思路中，硅基自旋量子比特具有較長的量子退相干
2022-05-12 09:42:311166 
? 硅基光電子集成芯片以成熟穩(wěn)定的CMOS工藝為基礎(chǔ)，將傳統(tǒng)光學(xué)系統(tǒng)所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，極大提升芯片的信息傳輸和處理能力，可廣泛應(yīng)用于超大數(shù)據(jù)中心、5G/6G、物聯(lián)網(wǎng)、超級
2023-06-26 15:46:041712 
近日，新加坡南洋理工大學(xué)高煒博教授與中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室張俊研究員合作，利用施主-受主對(DAP)模型解釋了二維MoS2/WSe2莫爾異質(zhì)結(jié)中密集且尖銳的局域?qū)娱g激子(IX)發(fā)射現(xiàn)象，并建立了DAP IX的動(dòng)力學(xué)模型，很好地解釋了層間激子壽命與發(fā)射能量的單調(diào)依賴關(guān)系。
2023-09-25 10:14:511778 
近年來，量子光學(xué)得到了迅速發(fā)展，不僅僅表現(xiàn)在量子物理基礎(chǔ)研究取得一系列突破，光量子信息也逐步走出實(shí)驗(yàn)室，并最終走向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用。量子光學(xué)研究的進(jìn)一步深入和光量子信息實(shí)用化的關(guān)鍵在于光量子集成技術(shù)的突破
2023-09-27 10:44:566533 
近期，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所游經(jīng)碧研究員帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)在p-i-n反型結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽能電池的p型空穴傳輸層設(shè)計(jì)和可控生長等方面取得重要進(jìn)展。
2023-11-25 17:28:411478 
、應(yīng)用領(lǐng)域等方面。 背景介紹: 硅基氮化鎵集成電路芯片是在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的一項(xiàng)重要研究課題。隨著智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等技術(shù)的快速發(fā)展，對高性能、高頻率、高可靠性集成電路芯片的需求日益增長。然而，傳統(tǒng)的硅基材料在高
2024-01-10 10:14:582335 近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所異質(zhì)集成XOI團(tuán)隊(duì)，在通訊波段硅基磷化銦異質(zhì)集成激光器方面取得了重要進(jìn)展。
2024-03-15 09:44:481776 
近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所硅基材料與集成器件實(shí)驗(yàn)室蔡艷研究員、歐欣研究員聯(lián)合團(tuán)隊(duì)，在通訊波段硅基鈮酸鋰異質(zhì)集成電光調(diào)制器方面取得了重要進(jìn)展。
2024-03-18 14:30:002433 
碳化硅（SiC）肖特基二極管是一種帶隙大于傳統(tǒng)硅基肖特基二極管的半導(dǎo)體器件。
2024-04-11 10:27:141696 
石墨烯/硅基異質(zhì)集成的光子器件研究在近年來取得了巨大進(jìn)展，因石墨烯所具有的諸多獨(dú)特的物理性質(zhì)如超高載流子遷移率、超高非線性系數(shù)等，石墨烯/硅基異質(zhì)集成器件展現(xiàn)出了諸如超大帶寬、超低功耗等優(yōu)異性能。
2024-04-25 09:11:142360 
具有重要應(yīng)用價(jià)值。半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料的制備和以其為基礎(chǔ)的新型信息器件是信息科技前沿研究的熱點(diǎn)。 近期，在中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所王占國院士的指導(dǎo)下，劉峰奇研究員團(tuán)隊(duì)等在量子點(diǎn)異質(zhì)外延的研究方面取得重要進(jìn)展。研究團(tuán)隊(duì)以二維材料為外延襯底
2024-06-14 16:04:591041 
信息器件是信息科技前沿研究的熱點(diǎn)。 近期，在中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所王占國院士的指導(dǎo)下，劉峰奇研究員團(tuán)隊(duì)等在量子點(diǎn)異質(zhì)外延的研究方面取得重要進(jìn)展。研究團(tuán)隊(duì)以二維材料為外延襯底，基于分子束外延技術(shù)，發(fā)展出范德華外延
2024-06-16 17:23:3612142 
江蘇昕感科技在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域又邁出了重要的一步。由該公司投資建設(shè)的6英寸硅基半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目，預(yù)計(jì)將在今年年底全面通線，年產(chǎn)能將達(dá)到100萬片6英寸硅基半導(dǎo)體芯片。這一項(xiàng)目的成功實(shí)施，將進(jìn)一步鞏固昕感科技在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-06-26 10:49:133204 圖1. 復(fù)合超表面示意圖：(a)俯視圖;(b)局部放大圖;(c)側(cè)視圖。(d)復(fù)合超表面增強(qiáng)硅SHG和THG示意圖。 近日，中科院上海光機(jī)所強(qiáng)場激光物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在硅基非線性光學(xué)研究方面取得
2024-11-06 06:37:24891 
材料的制備和以其為基礎(chǔ)的新型信息器件是信息科技前沿研究的熱點(diǎn)。 近期，在中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所王占國院士的指導(dǎo)下，劉峰奇研究員團(tuán)隊(duì)等在量子點(diǎn)異質(zhì)外延的研究方面取得重要進(jìn)展。研究團(tuán)隊(duì)以二維材料為外延襯底，基于分子束外延技術(shù)，發(fā)展
2024-11-13 09:31:261405 具有高增益和高輸出功率的硅基混合III-V半導(dǎo)體光放大器在許多應(yīng)用中非常重要，如光收發(fā)器、集成微波光子學(xué)和光子波束成形。
2024-12-30 16:15:041275 
在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中，功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件，其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為當(dāng)前市場上
2025-04-02 10:59:415542 
、5G網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域。近期，蘇州納米所納米加工平臺(tái)基于在InP材料外延、器件設(shè)計(jì)、器件制備等方面的積累在InP基半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展。 進(jìn)展1：低閾值高功率單模激光器 DFB激光器因其窄線寬、高邊模抑制比和低相位噪聲優(yōu)勢已成為光纖
2025-12-23 06:50:0532 
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