就在Intel稍早以公開信件說明近期處理器產(chǎn)能受限，并且針對市場供貨短缺情況致歉，市場傳出三星將協(xié)助Intel生產(chǎn)處理器產(chǎn)品，借此緩解Intel在14nm制程處理器產(chǎn)能需求。 根據(jù)韓聯(lián)社引述消息來源
2019-11-29 09:36:41
4667 針對稍早報導指稱將委任三星協(xié)助生產(chǎn)處理器產(chǎn)品，借此緩解14nm制程處理器產(chǎn)能需求情況，Intel稍早對外澄清表示相關內(nèi)容并不正確。 依照Intel后續(xù)對于相關報導內(nèi)容的回應，表示內(nèi)容中所提合作代工廠
2019-12-02 10:31:394108 根據(jù)最新報告，華為子公司海思半導體已從中芯國際半導體制造公司訂購了新的14nm工藝，同時也已收到臺積電（臺灣半導體制造公司）的訂單。 前者于2015年開始研發(fā)14nm工藝，并自2019年第三季度開始
2020-01-14 11:21:196216 意法半導體宣布，其28納米FD-SOI技術平臺在測試中取得又一項重大階段性成功:其應用處理器引擎芯片工作頻率達到3GHz，在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術。
2013-03-13 09:40:241837 
在Synopsys 的協(xié)助下，臺灣聯(lián)電（UMC）首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動14nm 制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這
2013-06-28 09:57:581339 意法半導體獨有的FD-SOI技術配備嵌入式存儲器，有望突破更高性能，以實現(xiàn)更低工作功耗和更低待機功耗。
2013-11-09 08:54:091663 近日Global Foundries(以下簡稱GF)宣布其14nm FinFET和22nm FD-SOI工藝都取得了突破，成功量產(chǎn)，這似乎為半導體代工廠GF近數(shù)年的頹勢帶來一股希望，不過在筆者看來，GF未必能就此扭轉(zhuǎn)命運，不過是GF與那些半導體廠商豪門恩怨的延續(xù)。
2015-07-25 22:16:208213 半導體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開發(fā)出支援4種技術制程的22nm FD-SOI平臺，以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導體
2015-10-08 08:29:221285 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）與汽車市場取代鰭式場效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對于許多人來說，業(yè)界主導廠商代表出席一場相關領域的業(yè)界活動，象征著為這項技術背書。
2016-04-18 10:16:033433 
三星半導體（Samsung Semiconductor Inc.，SSI）的高層透露了該公司晶圓代工廠技術藍圖細節(jié)，包括將擴展其FD-SOI產(chǎn)能，以及提供現(xiàn)有FinFET制程的低成本替代方案。
2016-04-26 11:09:151458 芯片制造的重點永遠是成本。從28nm HKMG工藝轉(zhuǎn)換到14nm FinFET工藝，將會增加50%的成本，這個代價值得嗎？雖然FinFET能實現(xiàn)令人印象深刻的性能數(shù)據(jù)。
2016-05-11 09:33:191777 
Globalfoundries技術長Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321545 Samsung Foundry行銷暨業(yè)務開發(fā)負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該公司的技術藍圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是在
2016-07-28 08:50:141435 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當14納米節(jié) 點，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設計成本也低25%左右，并降低了需要重新設計的風險。
2016-09-14 11:39:022462 
晶體管（FinFET）制程技術外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場，并推出22納米及12納米FDX制程平臺，搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機。
2016-11-17 14:23:221271 半導體市況好熱鬧，就在臺積電透露5nm將在2019年試產(chǎn)之際，聯(lián)電23日也宣布，自主研發(fā)的14nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術，已成功進入客戶芯片量產(chǎn)階段，良率已達先進制程的業(yè)界競爭水平，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應用于電子產(chǎn)品。
2017-02-24 07:56:013039 5G時代將對半導體的移動性與對物聯(lián)網(wǎng)時代的適應性有著越來越高的要求。此時，FD-SOI與RF-SOI技術的優(yōu)勢日漸凸顯，人們對SOI技術的關注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5713150 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:1910317 中芯國際第1季收入預計為全年相對低點，比去年第4季下降16%~18%。第一代FinFET 14nm制程已進入客戶驗證階段，產(chǎn)品可靠度與良率進一步提升，同時12nm制程開發(fā)也取得突破。
2019-02-17 20:31:531599 ，特別適用于面臨性能和功耗雙重挑戰(zhàn)的相關應用，比如自動駕駛、AIoT、先進傳感器和邊緣智能等應用。 在2024年第九屆上海FD-SOI論壇上，來自芯原股份、三星電子、意法半導體和IBS等公司的嘉賓著重分享了當前FD-SOI發(fā)展的前沿信息，以及這些重點公司的布局。
2024-10-28 06:57:004142 
半導體領域的頂尖專家、企業(yè)高管及學術代表，圍繞
FD-SOI （全耗盡絕緣體上硅）工藝的技術優(yōu)勢、發(fā)展趨勢、設計實現(xiàn)等核心議題展開深入探討，為推動
FD-SOI 技術在邊緣 AI 、智能物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等領域的創(chuàng)新應用搭建了高效交流平臺。 電子發(fā)燒友網(wǎng)今年繼續(xù)在現(xiàn)場為大家?guī)?/div>
2025-09-25 14:11:367748 
第十屆上海 FD-SOI 論壇 ? 2025 年 9 月 15 日 下午的專題二環(huán)節(jié) ， 繼續(xù) 聚焦 FD-SOI 的設計實現(xiàn)， 來自多家全球半導體領導公司的 專家 、 國內(nèi)大學 學者和企業(yè)代表
2025-09-25 17:41:258710 
隨著半導體產(chǎn)業(yè)技術的不斷發(fā)展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm，而最近據(jù)媒體報道，半導體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動
2019-12-10 14:38:41
14nm工藝的肖特基二極管和與非門導通延時是多少皮秒啊
2018-06-17 13:21:09
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術是一種新的工藝技術，有望成為其30納米以下的技術節(jié)點中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
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2023-06-01 14:52:23
們的投入中，80%的開支會用于先進產(chǎn)能擴增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進封裝及特殊制程。而先進工藝中所用到的EUV極紫外光刻機，一臺設備的單價就可以達到1.2億美元，可見半導體
2020-02-27 10:42:16
半導體發(fā)展至今，無論是從結構和加工技術多方面都發(fā)生了很多的改進，如同Gordon E. Moore老大哥預測的一樣，半導體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
摘要 : 導讀：ASEMI半導體這個品牌自打建立以來，就一直不間斷在研發(fā)半導體各類元器件，在半導體的制程和原理上可謂已經(jīng)是精益求精，今天ASEMI半導體要和大家一起分享的，就是這個半導體的制程導讀
2018-11-08 11:10:34
Intel正在野心勃勃地打造22nm新工藝、Silvermont新架構的智能手機、平板機處理器，而接下來的14nm路線圖也已經(jīng)曝光了?！ 「鶕?jù)規(guī)劃，在平板機平臺上，Intel將于2014年
2013-08-21 16:49:33
從7nm到5nm，半導體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
半導體為代表的歐洲半導體科研機構和公司相繼迎來技術突破，快速發(fā)展，為MRAM的商業(yè)化應用埋下了伏筆。 2014年，三星與意法半導體簽訂28nm FD-SOI技術多資源制造全方位合作協(xié)議，授權三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
最近扒了扒國產(chǎn)芯片的進展，發(fā)現(xiàn)中芯國際（官網(wǎng)鏈接：https://www.smics.com）的 14nm FinFET 制程已經(jīng)不是 “實驗室技術” 了 —— 從消費電子的中端處理器，到汽車電子
2025-11-25 21:03:40
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術優(yōu)勢？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應用？
2021-06-26 07:14:03
和二硫化鉬（MoS2）制作而成。MoS2將擔起原本半導體的職責，而納米碳管則負責控制邏輯門中電子的流向。眼下，這一研究還停留在初級階段，畢竟在14nm的制程下，一個模具上就有超過10億個晶體管，而要
2016-10-08 09:25:15
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
，年底會開發(fā)完畢。簡山杰表示，截止到現(xiàn)在，我們14nm的產(chǎn)能雖然不多，但其利用率還不錯。至于是否再繼續(xù)投資14nm制程的產(chǎn)能，簡山杰說：“要再觀察?！盧F-SOI談到越來越火熱的RF-SOI工藝時，簡
2018-06-11 16:27:12
22nm以后的晶體管技術領域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術都不需要向通
2010-06-23 08:01:42888 22nm以后的晶體管技術領域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421852 英特爾（Intel）日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計劃。據(jù)表示，總投資金額將超過十億美元。 英特爾（Intel） CEO Paul Otellini稍早前說明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來更先
2012-05-30 11:31:111270 
意法半導體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實驗室和設計公司將可透過CMP的硅中介服務採用意法半導體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501589 在2012年度的國際電子元件大會上，有專家指出，半導體制程在14nm的節(jié)點上會迎來大挑戰(zhàn)，而不符合偶爾定律的要求。
2012-12-13 08:51:371312 日前，意法半導體（ST）宣布位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術，這證明了意法半導體以28奈米技術節(jié)點提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術的能力。
2012-12-14 08:45:271206 意法半導體（ST）宣布意法半導體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術榮獲2013年度電子成就獎（ACE）能源技術獎。根據(jù)客戶的節(jié)能與性能權衡策略，FD-SOI芯片本身可節(jié)約20%至50%的能耗，使終端設備可更快散熱，并實現(xiàn)更長的使用壽命。
2013-05-10 09:06:431211 16/10nm之間搗鼓了一個12nm，其實就是16nm的深度改良版，號稱可帶來更高的晶體管集成度、更好的性能、更低的功耗，可以更好地競爭三星14nm、GlobalFoundries 12nm FD-SOI。
2017-05-13 01:07:141572 據(jù)報道,意法半導體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術領導力，格芯FDX技術將賦能ST為新一代消費者和工業(yè)應用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:426591 集微網(wǎng)消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導體供應商意法半導體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術平臺，以支持用于工業(yè)及消費性
2018-01-10 20:44:021155 GlobalFoundries的FD-SOI技術已經(jīng)略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導體（ST）的大單進補，在第二代FD-SOI技術解決方案領域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031813 在工藝節(jié)點進展方面，三星電子晶圓代工業(yè)務執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示，三星晶圓代工業(yè)務發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個方向，FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:002144 物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術，除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程，以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術的5奈米制程節(jié)點，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002872 全球半導體業(yè)中還能繼續(xù)跟蹤14nm工藝節(jié)點者可能尚余不到10家，包括英特爾、三星、臺積電、格羅方得、聯(lián)電、東芝、海力士、美光等。顯然在半導體業(yè)中領軍尺寸縮小的企業(yè)是NAND閃存及CPU制造商及一批
2018-04-09 16:24:002341 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術取得了36項設計訂單，其中有超過十幾項設計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競爭對手三星則預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:135272 格羅方德半導體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個多節(jié)點FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統(tǒng)而設計。
2018-05-14 15:54:003070 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術平臺已通過AEC-Q100(2級)認證，準備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標準的先進FD-SOI
2018-05-25 11:20:001951 生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)），三星代工廠（28納米工藝投產(chǎn)中，18納米工藝計劃投產(chǎn)），以及格芯代工廠（22納米工藝投產(chǎn)中，12納米計劃投產(chǎn)）。
2018-08-02 11:35:245500 晶圓代工大廠格芯在28日宣布，無限期停止7納米制程的投資與研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程，及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002751 今天，Globalfoundries（簡稱GF）宣布無限期停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:013623 日前，格羅方德宣布停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝和22/12nm FD-SOI工藝。
2018-09-03 16:41:425853 Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應，滿足當下及未來消費品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應用等領域的需求，確保FD-SOI技術大量供應。
2019-01-22 09:07:00871 隨著FD-SOI技術在系統(tǒng)芯片(SoC)設備的設計中越發(fā)受到關注，Soitec的業(yè)務也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財務報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:123407 當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結深已仍不能很好的改善短溝道效應。在SOI絕緣層上的平面硅技術基礎上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
13 年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額達到了6532億元，復合增長率為20.3%，其中國內(nèi)公司的半導體設計水平達到了7nm級別，半導體制造上也即將量產(chǎn)14nm工藝，但與國外先進水平依然有很大的差距。
2019-04-10 14:39:424529 值得注意的是，去年6月，格芯開始全球裁員，在建的成都12寸晶圓廠項目招聘暫停。去年8月，格芯宣布無限期停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2019-04-24 16:23:214152 為求低功耗、高能效及高性價比之元件，市場逐漸開發(fā)出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結構；而FD-SOI構造主要以SOI晶圓為核心，透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進而以水平式晶體管架構，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:205089 
雖然從技術水平上看，臺積電和三星掌握了10nm 的高端制程量產(chǎn)技術，格芯和聯(lián)電等掌握了高端14nm的量產(chǎn)技術，而中芯國際，28nm已實現(xiàn)量產(chǎn)，目前良率較低，技術處于逐步成熟階段，不過在40nm制程
2019-09-03 16:08:3630634 事實勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:454242 長期跟蹤研究半導體工藝和技術趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對FD-SOI未來走勢做出預測。
2019-08-06 16:25:004363 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:445032 英特爾已經(jīng)使用了 N 年的 14nm 工藝制程了，而現(xiàn)在這家科技巨頭似乎遇到了 10nm 的產(chǎn)能問題，于是 14nm++++ 成為未來兩三年內(nèi)英特爾的主力制程，這也是消費者所不想要看到的。然而事實便是這樣，于是大家也就只能硬著頭皮使用英特爾的 14nm 產(chǎn)品了。
2019-12-02 16:31:329046 這兩年中國公司受國外技術限制最多的領域就是半導體芯片了，從內(nèi)存、閃存到CPU，再到5G射頻等等，卡脖子的問題依然沒有解決。不過2020年就是一個分水嶺了，明年中國公司將掌握多項先進半導體技術，比如14nm工藝、國產(chǎn)的內(nèi)存、閃存等。
2019-12-30 09:05:112966 在半導體制造領域，存在著明顯的金字塔模型。市場上的主流制程工藝節(jié)點從22nm、16/14nm一直到目前最先進7nm，越往上玩家越少，即將到來的5nm更是只有臺積電和三星才玩得起。
2020-01-14 10:58:5311767 華為旗下的海思半導體已經(jīng)向中芯國際下單，通過后者最新的14nm工藝生產(chǎn)芯片。
2020-01-14 17:56:225977 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術平臺，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-12 22:57:171218 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術平臺，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-27 14:54:381080 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec
2020-07-07 16:04:044287 Intel的14nm從14年應用到Broadwell算起，一直到明年Rocket Lake-S的11代酷睿桌面版為止，這幾乎是Intel工藝中最長壽的一代了。
2020-12-22 11:49:086024 要說誰是CPU領域的常青樹，那就非14nm莫屬了，自從2014年推出首款14nm的產(chǎn)品之后，英特爾的這代工藝已經(jīng)使用了7年之久，要知道在日新月異的半導體領域，制程水平能夠保持7年之久實在是一件極其
2021-01-15 10:58:289170 近日，《烏合麒麟撤回道歉，稱3D堆疊就是芯片優(yōu)化技術》事件在網(wǎng)上引起爭論，今天ASPENCORE記者歐陽洋蔥同學進一步對“ 14nm + 14nm 達成‘比肩’7nm 性能的問題”展開了專業(yè)的分析
2021-07-02 16:39:346837 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:446557 在芯片設計和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7nm工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量，幾乎是14nm工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:53:4628009 GF也為數(shù)字IC制造提供了28nm Planar CMOS FET的替代品，如12nm和14nm FinFET和22nm FD-SOI工藝，該公司也將大量精力和研發(fā)資金集中在為其舊的Planar CMOS工藝節(jié)點尋找新的、有趣的能力。該公司稱這些額外的處理能力為“模塊”。
2022-08-30 10:07:385302 此外，美商科磊、應用材料等半導體設備還收到通知，禁止向中國大陸出口用于生產(chǎn)14nm及以下先進芯片的設備，不過當時還沒有具體可執(zhí)行的細節(jié)和時間。而日前據(jù)外媒報道，美國已經(jīng)確定于10月再強化出口管制措施，包括嚴管14nm以下半導體設備出口到中國大陸。
2022-09-15 09:37:272867 的基礎上，實現(xiàn)了國內(nèi)14nm 晶圓芯片零的突破，并在梁孟松等專家的帶領下，向著更加先進的芯片制程發(fā)起沖鋒。 然而，最近在中芯國際的公司官網(wǎng)上，有關于14nm芯片制程的工藝介紹，已經(jīng)全部下架，這讓很多人心存疑惑，作為自家最為先進的
2023-06-06 15:34:2119365 于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請到國內(nèi)外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內(nèi)的重要企業(yè)專家參與。三年內(nèi)國內(nèi)外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化，FD-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術又有哪些變化？ ? 半導體工藝在2001年的新工藝技術的兩條路
2023-11-01 16:39:043350 
Tick-Tock，是Intel的芯片技術發(fā)展的戰(zhàn)略模式，在半導體工藝和核心架構這兩條道路上交替提升。半導體工藝領域也有類似的形式存在，在14nm/16nm節(jié)點之前，半導體工藝在相當長的歷史時期里有著“整代”和“半代”的差別。
2023-11-16 11:52:254809 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46939 
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:365137 
據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術，能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術，新工藝大幅度提高了性能指標：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:231482 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）2024年10月23日，第九屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店召開，芯原股份創(chuàng)始人、董事長兼總裁戴偉民博士做開幕致辭，并分享了過往和當前FD-SOI發(fā)展的一些情況
2024-10-23 10:02:421288 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）2024年10月23日，第九屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店召開，FD-SOI產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)再次匯聚一堂，其中包括多位行業(yè)重量級嘉賓，比如IBS首席執(zhí)行官
2024-10-23 10:22:161108 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）今年上半年，三星在FD-SOI工藝上面再進一步。3月份，意法半導體（STMicroelectronics）宣布與三星聯(lián)合推出18nm FD-SOI工藝。該工藝支持嵌入式
2024-10-23 11:53:05990 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）對于FD-SOI的應用，很多人第一個想到的應用方向就是AIoT，這是一個非常大的方向，包括智能汽車、智能手機、可穿戴設備等都屬此列，這也證明了FD-SOI擁有廣闊的發(fā)展
2024-10-23 16:04:441107 
)和三星的合作，它已經(jīng)在微控制器領域找到了自己的出路。早在2018年，意法半導體就宣布，它正在為汽車市場提供采用28nm FD-SOI工藝制造的嵌入式PCM (ePCM)微控制器?，F(xiàn)在，意法半導體宣布了
2025-01-21 10:27:131124 
為期兩天的第十屆上海FD-SOI論壇上周圓滿落幕。作為半導體行業(yè)年度技術盛會，本次論壇匯聚了全球半導體領域的頂尖專家、企業(yè)高管及學術代表，圍繞 FD-SOI工藝的技術優(yōu)勢、發(fā)展趨勢、設計實現(xiàn)等核心
2025-10-10 14:46:25584 2025年9月25日，第十屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店圓滿舉辦。本次論壇由芯原股份 (簡稱“芯原”)、新傲科技和新傲芯翼主辦，SEMI中國和SOI國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟協(xié)辦。超過300位來自襯底
2025-10-13 16:45:401030 
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