【導讀】英特爾高級院士Mark Bohr說：“20年前，業(yè)內(nèi)權(quán)威人士說，摩爾定律至少還可維持10年；10年前，業(yè)內(nèi)權(quán)威人士又說，摩爾定律至少還可維持10年；今天，我仍要說，摩爾定律至少還可以維持10年?！?/p>

隨著CMOS硅工藝尺寸越來越小，有關(guān)硅CMOS工藝什么時候接近物理極限，從而導致摩爾定律不再成立的爭論最近在業(yè)內(nèi)不絕于耳，10年前有業(yè)內(nèi)權(quán)威人士說7nm將是CMOS硅工藝的物理極限，今天又有人說3nm是物理極限。在我們這些媒體記者眼里，CMOS硅工藝物理極限一直在不斷被突破。

2017年9月19日，一直在業(yè)內(nèi)低調(diào)不發(fā)聲的英特爾終于開始發(fā)威了，在北京瑰麗酒店舉辦的“領(lǐng)先·無界”英特爾精尖制造日活動上，挾英特爾最新10nm工藝晶體管密度超出三星和臺積電（TSMC）2倍以上之威，英特爾高級院士、技術(shù)與制造事業(yè)部制程架構(gòu)與集成總監(jiān) Mark Bohr公開說：“今天我還看不到摩爾定律的終點在哪。20年前，業(yè)內(nèi)權(quán)威人士說，摩爾定律至少還可維持10年；10年前，業(yè)內(nèi)權(quán)威人士又說，摩爾定律至少還可維持10年；今天，我仍要說，摩爾定律至少還可以維持10年?！?/p>

?

圖1：英特爾最新10nm CMOS工藝比競爭友商10nm技術(shù)領(lǐng)先了整整一代
?

圖2：英特爾高級院士、技術(shù)與制造事業(yè)部制程架構(gòu)與集成總監(jiān) Mark Bohr

英特爾最新宣布的10nm制程工藝不僅擁有全球最密集的晶體管和金屬間距，還首次采用了超微縮技術(shù)，這兩大優(yōu)勢保證了英特爾在晶體管密度指標上的領(lǐng)先性。

英特爾執(zhí)行副總裁兼制造、運營與銷售集團總裁Stacy J. Smith說：“我們最新的10nm制程工藝比競爭友商的10nm技術(shù)領(lǐng)先了整整一代，并將于今年年底前投產(chǎn)。”

英特爾最新10nm制程工藝所取得的成就告訴我們，摩爾定律還在繼續(xù)發(fā)揮著作用，而且實現(xiàn)摩爾定律的方法也不單單依靠工藝尺寸減小帶來的晶體管尺寸縮小，還可以依靠其它的設計技術(shù)，如英特爾獨特的超微縮技術(shù)。

Mark Bohr表示：“我們目前已經(jīng)在開發(fā)7nm制程工藝，5nm和3nm工藝技術(shù)則還在理論研究階段。至少在我們可看見的時間段內(nèi)，半導體產(chǎn)業(yè)還無法去忽視摩爾定律所帶來的經(jīng)濟性，也就是說，你在一個芯片上生產(chǎn)的晶體管數(shù)量越多，經(jīng)濟性就越高，芯片生產(chǎn)成本就越低。這個摩爾定律現(xiàn)在你還不能夠忽略?！?/p>

除了采用更大的晶圓和更小的工藝尺寸進行芯片制造以外，將不同die集成在一個芯片封裝上的SiP技術(shù)也是目前業(yè)界通常采用的降低芯片成本的一個方法。Mark Bohr透露：“其實英特爾目前也正在探索多芯片封裝的技術(shù)路線，有的可能是現(xiàn)在就可以用的，有的更多地是針對未來的應用。目前英特爾的多芯片封裝技術(shù)也有兩種，第一種是傳統(tǒng)的芯片封裝技術(shù)，第二種是我們正在討論的EMIB封裝技術(shù)，這是一種嵌入式的互聯(lián)橋接技術(shù)，它既可以都是英特爾自己的芯片，也可以是把其他廠商的芯片封裝在一起。第三種是未來的芯片封裝技術(shù)，我們正在探索的是把不同的芯片以3D堆疊的方式封裝起來?！?/p>

他說，當然，可能未來會發(fā)展到這樣一個階段，單純的只是在一個制程技術(shù)上集成更多芯片也已經(jīng)不夠用了，這個時候我們就要考慮將基于不同制程技術(shù)的異構(gòu)芯片集成在一個封裝里。

今年英特爾晶圓制造事業(yè)部選擇在北京高調(diào)亮相，主要目的是想告訴中國乃至全球市場，英特爾要開始對外承接芯片代工業(yè)務了，而且代工水平要遠遠高出三星和TSMC，中芯國際就更不要說了。

上海展銳已經(jīng)借助英特爾14nm FinFET工藝成功生產(chǎn)了9861和9853基帶芯片，展銳董事長李力游博士非常滿意，這次也親自到北京為英特爾站臺背書。

為了吸引中低端物聯(lián)網(wǎng)芯片供應商，英特爾這次還特別推出了22FFL納米工藝平臺，這是一種大眾化FinFET工藝，既具備卓越的集成能力，又可以滿足客戶對快速上市時間和高性價比設計的要求。

Mark Bohr表示：“22FFL大眾化FinFET工藝平臺非常適合高度集成、對成本敏感的產(chǎn)品，且對高性能和低功耗有較高要求的IOT芯片客戶。22FFL工藝的漏電流是22GP工藝的5百分之一，特別適合IOT終端市場要求。這并不容易實現(xiàn)，我們克服了極大的困難和挑戰(zhàn)，才實現(xiàn)了這樣低的一個漏電性能。”

而且，Mark Bohr說，英特爾最新的工藝技術(shù)都不會拿客戶做白老鼠，到目前為止，新工藝的首款產(chǎn)品一定都是英特爾自己的產(chǎn)品。事實上，不管是14納米還是10納米FinFET制程工藝，其本身會有一些衍生品。也就是說，對于同一個制程技術(shù)，我們還會推出一些優(yōu)化的增強功能或技術(shù)，事實上有很多的優(yōu)化需求都是由我們新一代工藝的代工客戶提出來的。這些優(yōu)化工藝其實是為了更好地支持這些客戶而做的改進，我們也非常愿意這樣去做。

未來有可能在IOT芯片制造市場上對22FFL FinFET工藝平臺構(gòu)成挑戰(zhàn)的是FD-SOI工藝平臺，不過，很顯然，英特爾對Global Foundry看好的FD-SOI工藝并不感冒。

“首先，F(xiàn)DSOI是一種全耗盡的SOI制程工藝，事實上英特爾研究這個SOI制程工藝已經(jīng)有很多年的時間了。我們認為FDSOI工藝目前技術(shù)并不是非常的成熟，而且是一種未經(jīng)證實的制程技術(shù)，而22FFL已經(jīng)被證明是可以量產(chǎn)的制程技術(shù)?！盡ark Bohr指出，“其次，還有一個方面22FFL明顯優(yōu)于FDSOI。FDSOI需要的襯底是非常昂貴的，目前只有少數(shù)的一些生產(chǎn)廠能夠去生產(chǎn)，而且它生產(chǎn)起來成本高，風險也非常高。最后，用FDSOI做設計的時候要求去控制晶體管的體偏壓，這在設計上造成了一定的難度，而22FFL在設計上是非常容易的，非常方便的?？偠灾?2FFL工藝在晶體管的密度、整體處理器的性能水平、以及整個解決方案的設計上都是優(yōu)于FDSOI的，成本方面，兩者應該差不多?！?/p>

至于目前業(yè)界越炒越熱的“超越摩爾”概念，實際上其英文原文是“More Than Mooer”，準確的翻譯應該是“摩爾以外”。今天的摩爾定律主要針對的是用CMOS工藝開發(fā)的數(shù)字芯片，但“超越摩爾”主要指的是用SiP技術(shù)將MEMS傳感器、RF電路、光學元件、生物元件等不同工藝領(lǐng)域芯片封裝在一起。

Mark Bohr表示：“超越摩爾現(xiàn)在的概念，實際上就是我們所說的異構(gòu)芯片。至于未來是否會超越CMOS，我們認為還是需要一定的時間，目前CMOS的超微縮技術(shù)還有很大的發(fā)展空間，所以我們近期不會看到有這種需求要去切換到超越CMOS的技術(shù)，如III-V族半導體材料和Tunnel FET。但是英特爾在積極的準備超越CMOS時代的到來，我們認為從技術(shù)角度來說，這是非常具有挑戰(zhàn)性的。”

III-V族半導體材料能夠?qū)崿F(xiàn)更好的傳導特性，原來可能工作電壓需要0.7，但是現(xiàn)在傳導性更好，只需要0.6伏的工作電壓，這能夠?qū)崿F(xiàn)功耗的降低。Tunnel FET更厲害，它的工作電壓閥值可以做到更低，工作電壓可以進一步降到0.3或0.4V，而且可以實現(xiàn)更低的靜態(tài)電流和漏電。與MOSFET相比，Tunnel FET是一個結(jié)構(gòu)完全不一樣的、工作原理也完全不一樣的器件。

當然，半導體制造行業(yè)的發(fā)展，絕對不是一家公司之力就可以獨立推動的。英特爾未來與三星、TSMC、Global Foundry等代工廠的關(guān)系，依然還是一個合作加競爭的關(guān)系。

簡單舉兩個例子：第一，在晶圓方面，未來一定會從300mm晶圓向450mm過渡，這個就不是英特爾一家能夠獨立推動的，未來必須是英特爾、臺積電、三星、Global Foundry等一起聯(lián)合起來推動才有可能實現(xiàn)。第二，在先進的光蝕刻工具方面，比如EUV，雖然英特爾已經(jīng)做了20多年，但這也不是英特爾一家的資金能夠做到的。因此，只有合作的態(tài)度而不是完全競爭的態(tài)度才能夠推動整個IC行業(yè)的發(fā)展。