來源：半導(dǎo)體芯科技編譯

CEA-Leti和英特爾宣布了一項(xiàng)聯(lián)合研究項(xiàng)目，旨在開發(fā)二維過渡金屬硫化合物（2D TMD）在300mm晶圓上的層轉(zhuǎn)移技術(shù)，目標(biāo)是將摩爾定律擴(kuò)展到2030年以后。

2D層半導(dǎo)體，如鉬基和鎢基TMD，是擴(kuò)展摩爾定律并確保MOSFET晶體管最終成為有希望的候選材料，因?yàn)?D-FET提供固有的亞1nm晶體管溝道厚度。它們適用于高性能和低功耗平臺，因?yàn)樗鼈兙哂辛己玫妮d流子運(yùn)輸和移動性，即使是原子薄層也是如此。此外，它們的器件主體厚度和適中的能帶間隙增強(qiáng)了靜電控制，從而降低關(guān)態(tài)電流。

這些特性使2D-FET堆疊納米片器件成為2030年以后晶體管縮放的有前途的解決方案，這將需要高質(zhì)量的2D溝道生長，適應(yīng)性轉(zhuǎn)移和穩(wěn)健的工藝模塊。為此，這個為期多年的項(xiàng)目將開發(fā)一種可行的層轉(zhuǎn)移技術(shù)，將高質(zhì)量2D材料（生長在300mm優(yōu)選基板上）轉(zhuǎn)移到另一個器件基板上，用于晶體管工藝集成。英特爾為該項(xiàng)目帶來了數(shù)十年的研發(fā)和制造專業(yè)知識，CEA-Leti還提供鍵合和轉(zhuǎn)移層專業(yè)知識以及大規(guī)模表征。

“隨著我們不斷推動摩爾定律，2D TMD材料是未來擴(kuò)展晶體管擴(kuò)展極限的有前途的選擇，”英特爾技術(shù)開發(fā)高級研究員兼英特爾歐洲研究總監(jiān)Robert Chau說?！霸撗芯坑媱澋闹攸c(diǎn)是開發(fā)一種可行的基于300mm的2D TMD技術(shù)，用于未來的摩爾定律晶體管。

英特爾利用其在半導(dǎo)體和封裝研究和技術(shù)方面的實(shí)力和專業(yè)知識，與歐洲合作伙伴合作，開發(fā)摩爾定律創(chuàng)新技術(shù)，并推動歐洲微電子技術(shù)的發(fā)展。2022 年，Chau 從美國調(diào)往歐洲，領(lǐng)導(dǎo)英特爾歐洲研究院，并與歐洲大陸的合作伙伴一起推動英特爾的研發(fā)。英特爾和CEA-Leti在半導(dǎo)體設(shè)計、工藝和封裝技術(shù)方面有著悠久的密切合作歷史。

最近，他們于 2022 年 6 月宣布了一項(xiàng)新型裸片到晶圓鍵合技術(shù)的研究突破，該技術(shù)使用自組裝工藝進(jìn)行未來的芯片集成。Chau于6月16日訪問了CEA-Leti的格勒諾布爾總部，強(qiáng)調(diào)他們合作和項(xiàng)目啟動的重要性，他一直是兩個實(shí)體之間多年研究合作的堅定支持者。

CEA-Leti首席執(zhí)行官Sebastien Dauvé表示，行業(yè)路線圖顯示，二維材料將集成到未來的微電子器件中，而300毫米晶圓的轉(zhuǎn)移能力將是集成的關(guān)鍵。

"由于二維材料的生長溫度超過700°C，并且在優(yōu)選基底上高質(zhì)量生長，因此二維材料很難像普通薄層一樣堆疊沉積。Dauvé說："因此，轉(zhuǎn)移最有希望將它們集成到未來的器件中，而CEA-Leti在這方面的優(yōu)勢在于其在轉(zhuǎn)移開發(fā)和表征方面的專業(yè)知識和專有技術(shù)。

審核編輯 黃宇