半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)具有高資本密集、高專利壁壘、初期高投入低回報(bào)的特點(diǎn)，新玩家難以切入，因此在經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期發(fā)展步入成熟期后，市場(chǎng)逐漸被美日荷等巨頭公司壟斷，這些公司普遍在早期成長(zhǎng)階段享受了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)啟蒙紅利，而后續(xù)的技術(shù)護(hù)城河在高營(yíng)收利潤(rùn)下越來(lái)越深。從2012年到2016年，全球半導(dǎo)體設(shè)備TOP5廠商名單基本沒(méi)有發(fā)生變化。從各設(shè)備的壟斷情況來(lái)看，光刻、PVD、刻蝕（Etch）等核心制造設(shè)備的TOP3市場(chǎng)份額均高于90%，后來(lái)者幾乎沒(méi)有生存空間；CVD和濕法處理設(shè)備壟斷性相對(duì)較低，但TOP 3的市場(chǎng)份額也達(dá)到了70%-85%。

?清洗環(huán)節(jié)重要性日益凸顯，單片清洗設(shè)備成為主流

隨著集成電路制程工藝節(jié)點(diǎn)越來(lái)越先進(jìn)，對(duì)實(shí)際制造的幾個(gè)環(huán)節(jié)也提出了新要求，清洗環(huán)節(jié)的重要性日益凸顯。清洗的關(guān)鍵性則是由于隨著特征尺寸的不斷縮小，半導(dǎo)體對(duì)雜質(zhì)含量越來(lái)越敏感，而半導(dǎo)體制造中不可避免會(huì)引入一些顆粒、有機(jī)物、金屬和氧化物等污染物。為了減少雜質(zhì)對(duì)芯片良率的影響，實(shí)際生產(chǎn)中不僅僅需要提高單次的清洗效率，還需要在幾乎所有制程前后都頻繁的進(jìn)行清洗，清洗步驟約占整體步驟的33%。根據(jù)TMR2015年研究報(bào)告，全球半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)前三名為SCREEN、東京電子和LAM，合計(jì)占據(jù)市場(chǎng)87.7%的份額。考慮到半導(dǎo)體設(shè)備高昂的基礎(chǔ)成本和獨(dú)立驗(yàn)證的困難性，與當(dāng)?shù)刂圃鞆S商聯(lián)合研發(fā)是目前各大廠商的共同策略。

清洗方案大體上可以分為干法和濕法兩類，區(qū)別就在于是通過(guò)化學(xué)試劑清洗還是物理力來(lái)清洗。目前硅片清洗中，濕法清洗為主流方案，占整個(gè)清洗制程90%以上，如RCA清洗就是過(guò)去25年來(lái)最具代表性的濕法清洗工藝。但濕法清洗由于使用相對(duì)多的化學(xué)試劑，也存在晶片損傷、化學(xué)污染和二次交叉污染等問(wèn)題，而干法清洗雖然環(huán)境友好、化學(xué)用量少，但清洗控制要求和成本較高，難以大量應(yīng)用于半導(dǎo)體生產(chǎn)中。因此實(shí)際的半導(dǎo)體產(chǎn)線上通常是以濕法清洗為主，少量特定步驟采用干法清洗相結(jié)合的方式互補(bǔ)所短，構(gòu)建半導(dǎo)體制造的清洗方案。

單晶圓清洗取代批量清洗是先進(jìn)制程的主流。濕法清洗按照一次清洗的對(duì)象數(shù)量分為批量清洗（Batch cleaning）和單晶圓清洗（Single wafer cleaning）。批量清洗指的是在一個(gè)處理倉(cāng)中，利用浸泡等方法同時(shí)清洗多只晶圓的方法。這種方法由于交叉污染、清洗均勻可控性和后續(xù)工藝相容性等問(wèn)題，在45nm工藝周期到來(lái)時(shí)已經(jīng)無(wú)法適應(yīng)新的清洗要求，單晶圓清洗開(kāi)始逐步取代批量清洗。單晶圓清洗首先能夠在整個(gè)制造周期提供更好的工藝控制，即改善了單個(gè)晶圓和不同晶圓間的均勻性，這提高了良率；其次更大尺寸的晶圓和更緊縮的制程設(shè)計(jì)對(duì)于雜質(zhì)更敏感，那么批量清洗中若出現(xiàn)交叉污染的影響會(huì)更大，進(jìn)而危及整批晶圓的良率，這會(huì)帶來(lái)高成本的芯片返工支出；另外圓片邊緣清洗效果更好，多品種小批量生產(chǎn)的適配性等優(yōu)點(diǎn)也是單晶圓清洗的優(yōu)勢(shì)之一。