2016年下半年開始了新一輪存儲(chǔ)芯片的旺季，DRAM內(nèi)存及NAND閃存的價(jià)格從那時(shí)候開始瘋漲，今年已經(jīng)進(jìn)入第三個(gè)年頭了，不過(guò)情況也不一樣了DRAM內(nèi)存顆粒今年的漲價(jià)速度放緩到個(gè)位數(shù)，不過(guò)今年并沒有
2018-10-31 09:49:01
2463 半年擴(kuò)大對(duì)NAND的需求。 圖：三星250GB企業(yè)固態(tài)硬盤（基于其128層高端NAND閃存） 全球半導(dǎo)體設(shè)備制造商Ram Research在13日宣布，將為其產(chǎn)品組合增加VECTOR DT和EOS GS
2019-08-16 00:55:007738 資料來(lái)源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲(chǔ)）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲(chǔ)密度。這項(xiàng)于周四宣布的新技術(shù)允許存儲(chǔ)芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:215035 據(jù)DigiTimes的消息人士報(bào)道，NAND閃存的整體價(jià)格將在2020年急劇上升。該報(bào)告來(lái)自存儲(chǔ)器芯片制造商的多個(gè)消息來(lái)源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。隨著價(jià)格的上漲
2020-01-06 11:15:334546 據(jù)IHS iSuppli公司的MEMS市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào)，今年醫(yī)療電子領(lǐng)域中的MEMS壓力傳感器營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)7%，受益于在一次性器械以及醫(yī)療監(jiān)控方面的應(yīng)用。 今年醫(yī)療電子應(yīng)用領(lǐng)域壓力傳感器營(yíng)業(yè)收入將
2012-11-05 15:29:321380 
今年第一季度中國(guó)低端智能手機(jī)的需求大增，讓內(nèi)存供應(yīng)商措手不及，刺激了NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)并導(dǎo)致其出現(xiàn)供應(yīng)短缺。
2013-08-02 17:45:551753 
由于在今年的購(gòu)物假期中消費(fèi)者購(gòu)買全新固態(tài)硬盤的需求不斷攀升，在接下來(lái)的數(shù)周甚至數(shù)月時(shí)間內(nèi)NAND閃存的價(jià)格可能將持續(xù)拉升。根據(jù)DRAMeXchange公布的最新報(bào)告，2016年第3季度NAND閃存全球總營(yíng)收同比增長(zhǎng)19.6%，究其原因是因?yàn)樵谠摷径仁褂?b class="flag-6" style="color: red">閃存的產(chǎn)品尤其是智能手機(jī)呈現(xiàn)了巨大的需求。
2016-12-05 16:28:10870 
國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 在設(shè)計(jì)使用NAND閃存的系統(tǒng)時(shí)，選擇適當(dāng)?shù)奶匦云胶夥浅Ｖ匾?閃存控制器還必須足夠靈活，以進(jìn)行適當(dāng)?shù)臋?quán)衡。 選擇正確的閃存控制器對(duì)于確保閃存滿足產(chǎn)品要求至關(guān)重要。NAND閃存是一種大眾化
2020-12-03 13:52:283483 本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:3213703 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:214056 
隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，NAND閃存和eMMC作為主流存儲(chǔ)介質(zhì)，其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因，并提供延長(zhǎng)使用壽命的實(shí)用方法。前言長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后出現(xiàn)NAND或者eMMC損壞，可能
2025-03-25 11:44:242594 
個(gè)最大細(xì)分市場(chǎng)。 DRAM和NAND閃存在2019年保持相同的地位后，有望在2020年再次成為兩個(gè)最大的IC領(lǐng)域。今年的銷售額預(yù)計(jì)增長(zhǎng)3.2％，預(yù)計(jì)DRAM市場(chǎng)將達(dá)到近646億美元，比去年增長(zhǎng)15
2020-08-05 09:29:066000 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-24 17:04 編輯
觀點(diǎn)：盡管NAND閃存市場(chǎng)需求在一定程度上受到了經(jīng)濟(jì)形勢(shì)的影響，但美光市場(chǎng)卻逆勢(shì)增長(zhǎng)，其市場(chǎng)份額首次突破20%大光。這是其
2012-09-24 17:03:43
MX25L25645GZ2I-08GMX25L25645GZNI-08G閃存芯片陳立白表示，整體而言，去年DRAM價(jià)格從3月開始一路跌到年底，今年全年的狀況會(huì)比去年來(lái)的好，DRAM模塊廠只要好好經(jīng)營(yíng)
2022-02-17 08:59:47
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問(wèn)： XIP 是否通過(guò) QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng)，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達(dá)6家族有廣泛的第三方SPI（高達(dá)x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺(tái)閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺(tái)，我當(dāng)時(shí)
2019-05-21 06:43:17
親愛的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設(shè)計(jì)他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問(wèn)候錢德拉以上來(lái)自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
NAND
文章目錄
NAND
一、FLASH閃存是什么？
二、SD NAND Flash
三、STM32例程
一、FLASH閃存是什么？
簡(jiǎn)介
FLASH閃存是屬于內(nèi)存器件的一種，“Flash
2025-07-03 14:33:09
還會(huì)降低30％，直到下一輪漲價(jià)。2018年的NAND市場(chǎng)由漲轉(zhuǎn)跌，這個(gè)趨勢(shì)還會(huì)在今年得到延續(xù)，不過(guò)2019年閃存市場(chǎng)上的變數(shù)不只是降價(jià)這么簡(jiǎn)單，新技術(shù)、新產(chǎn)品以及中國(guó)廠商的加入都會(huì)對(duì)這個(gè)市場(chǎng)帶來(lái)很大
2021-07-13 06:38:27
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個(gè)鏈接器來(lái)構(gòu)建 .stldr？我走對(duì)路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性，您無(wú)法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項(xiàng)目?jī)H限于Virtex 4平臺(tái)，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)器，主要用于存儲(chǔ)卡、MP3播放器、手機(jī)、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲(chǔ)單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26 由于市場(chǎng)對(duì)于iPod音樂播放器的需求大增，蘋果電腦(Apple Computer)計(jì)劃今年下半年買下三星電子NAND閃存產(chǎn)量的40%左右。隨著蘋果電腦從硬盤iPod轉(zhuǎn)向具有4GB
2006-03-13 13:08:41686 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511566 IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚
2010-03-23 11:58:41777 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358955 LED臺(tái)廠Q2營(yíng)收有機(jī)會(huì)繼續(xù)創(chuàng)新高 在旺季度以及產(chǎn)能生力軍雙重效應(yīng)加持下，市場(chǎng)預(yù)期LED廠商3月起營(yíng)收可望逐月創(chuàng)新高，Q2財(cái)報(bào)可能比Q1更亮眼。
2010-04-09 10:50:34624 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:231244 
據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，由于移動(dòng)設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝(微博)最早計(jì)劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。
2012-04-04 18:32:05843 今年全球NAND閃存營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)8%，從2011年的212億美元上升到229億美元。按照今年的營(yíng)業(yè)收入預(yù)期，全球出貨量相當(dāng)于28823個(gè)1GB器件，而2011年是17401個(gè)。隨著智能手機(jī)、平板電腦和超
2012-04-24 09:40:51730 
東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來(lái)首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06968 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。在一個(gè)新的研究報(bào)告中指出，這項(xiàng)技術(shù)將會(huì)在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
2017-05-03 01:02:501621 市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場(chǎng)所占份額有望超過(guò)50%。
2017-05-06 01:03:11860 今年Q1季度到Q2季度以來(lái)，NAND閃存價(jià)格一直在下滑，市場(chǎng)供需情況已經(jīng)變了，本來(lái)預(yù)計(jì)Q3季度會(huì)有蘋果新機(jī)拉貨導(dǎo)致的需求提升，藉此提振下NAND價(jià)格，不過(guò)現(xiàn)在來(lái)看這些廠商想的太樂觀了，Q3季度NAND閃存價(jià)格還會(huì)繼續(xù)下滑，這種情況持續(xù)下去，不排除2020年NAND市場(chǎng)大洗牌。
2018-07-17 11:58:001032 NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片，國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:004167 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。
2018-06-30 14:34:00585 大陸模擬IC廠上海昂寶昨（9）日公告3月合并營(yíng)收達(dá)3.9億元新臺(tái)幣（約1333.84萬(wàn)美元），累計(jì)今年第一季營(yíng)收為9.88億元新臺(tái)幣（約3379.05萬(wàn)美元），與去年第一季相比同樣繳出51.3％的高
2018-04-29 05:37:004398 DVEVM可以啟動(dòng)或（默認(rèn)），與非門，或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)（UART）。NOR 閃存提供了一個(gè)字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問(wèn)和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問(wèn)；然而，由于它的價(jià)格低，速度快，壽命長(zhǎng)，許多客戶想設(shè)計(jì)NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 用于擴(kuò)充產(chǎn)能的資本支出超出市場(chǎng)實(shí)際需求，毫無(wú)疑問(wèn)，將導(dǎo)致NAND閃存價(jià)格下滑。實(shí)際上，自2018年開始，NAND閃存價(jià)格已現(xiàn)疲弱。而且，價(jià)格走軟有望從2018年下半年一直持續(xù)到2019年。
2018-07-13 11:45:379337 
麥姆斯咨詢：所有投資者都希望能從蘋果公司的成功中分得一杯羹，意法半導(dǎo)體就是這樣一家企業(yè)，或?qū)⒃?b class="flag-6" style="color: red">今年的蘋果秋季發(fā)布會(huì)后再次獲得大幅增長(zhǎng)，并將在2019年有望營(yíng)收突破100億美元。
2018-07-20 16:35:054128 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031683 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。
2018-09-16 10:38:14759 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧⊿LC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:242506 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:346335 
IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長(zhǎng)39％和38％。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01629 IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長(zhǎng)39％和38％。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。
2019-03-24 10:05:26867 
根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）研究顯示，NAND閃存價(jià)格已經(jīng)連跌6個(gè)季度，今年NAND Flash產(chǎn)業(yè)明顯供過(guò)于求，SSD廠商大打價(jià)格戰(zhàn)導(dǎo)致PC OEM用SSD價(jià)格大跌，512GB/1TB價(jià)格年底有望創(chuàng)造歷史新低。
2019-05-13 16:24:072908 根據(jù)Tom‘s Hardwared的報(bào)道，東芝在今年的閃存峰會(huì)上提到了未來(lái)的BiCS閃存，以及PLC的NAND開發(fā)。
2019-08-26 16:15:584174 臺(tái)積電受惠于蘋果新iPhone與華為等非蘋指標(biāo)廠新機(jī)拉貨，以及全球積極布建第五代行動(dòng)通訊（5G）基礎(chǔ)建設(shè)帶動(dòng)下，7納米訂單大爆發(fā)，相關(guān)效益將在8月顯現(xiàn)。法人看好，臺(tái)積電8月合并營(yíng)收有望重返千億元（新臺(tái)幣，下同）大關(guān)，攀上近十個(gè)月來(lái)高點(diǎn)，月增率超過(guò)一成，9月及第4季業(yè)績(jī)也值得期待。
2019-09-09 10:19:422909 從去年初以來(lái)，全球NAND Flash閃存市場(chǎng)價(jià)格已經(jīng)連跌了6個(gè)季度，導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營(yíng)收及盈利不斷下滑，多家廠商還削減了產(chǎn)能，其中美光削減的NAND產(chǎn)能從之前的5％增加到了10
2019-11-14 15:58:53729 2019年余額已經(jīng)不足，距離2020年不到40天的時(shí)間里，企業(yè)最重要的任務(wù)莫過(guò)于“年終沖刺”。電動(dòng)汽車企業(yè)特斯拉的業(yè)績(jī)表現(xiàn)備受關(guān)注。據(jù)媒體報(bào)道，根據(jù)前三季度業(yè)績(jī)表現(xiàn)，結(jié)合第四季度營(yíng)收預(yù)期，特斯拉2019年營(yíng)收有望超過(guò)250億美元。
2019-11-29 17:47:453395 任何了解SD卡，USB閃存驅(qū)動(dòng)器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識(shí)的人都知道，控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:001103 
新年伊始，讓PC用戶們心情復(fù)雜的消息傳來(lái)，存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)人士指出，NAND Flash閃存芯片的價(jià)格將在今年提高40%之多。
2020-01-02 16:01:161057 新年伊始，讓PC用戶們心情復(fù)雜的消息傳來(lái)，存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)人士指出，NAND Flash閃存芯片的價(jià)格將在今年提高40%之多。
2020-01-02 16:30:183604 無(wú)論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來(lái)講，NAND閃存可以說(shuō)已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?；趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0316738 
通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:461284 
隨著今年Corona 19的傳播，由于遠(yuǎn)程辦公，視頻會(huì)議和Internet使用的增加，對(duì)服務(wù)器的需求激增，進(jìn)入服務(wù)器的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器（SSD和輔助存儲(chǔ)設(shè)備）的銷量也大大增加。SSD是由NAND閃存制成的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，用于服務(wù)器，PC和游戲機(jī)。
2020-09-08 10:08:401813 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:528552 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038 三星電子公布了2020財(cái)年第三季度業(yè)績(jī)展望。三星稱，公司第三季度營(yíng)收有望同比增長(zhǎng)6.5%。
2020-10-09 09:21:06559 近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震，英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價(jià)格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472793 11月9日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，芯片代工商臺(tái)積電即將披露10月份的營(yíng)收，在蘋果iPhone 12系列所需的A14處理器的推動(dòng)下，臺(tái)積電這一個(gè)月的營(yíng)收有望超過(guò)9月份，再次創(chuàng)下新高。
2020-11-09 16:33:421992 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，平面顯示屏幕驅(qū)動(dòng)芯片供應(yīng)商聯(lián)詠科技，預(yù)計(jì)他們今年四季度的營(yíng)收不會(huì)低于7.6億美元，有望成為最好的四季度。
2020-11-09 17:54:372914 最新的報(bào)道中表示，臺(tái)積電四季度的營(yíng)收，有望超出他們的預(yù)期。 英文媒體是援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息，報(bào)道臺(tái)積電四季度的營(yíng)收有望超出預(yù)期的。這一產(chǎn)業(yè)鏈人士表示，得益于 5nm 和 7nm 工藝產(chǎn)量的增加，臺(tái)積電預(yù)計(jì)他們四季度的營(yíng)收有望超出預(yù)期。 7nm 是目前臺(tái)積
2020-11-11 18:04:201589 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 根據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告，2020年第三季度，全球NAND閃存行業(yè)出貨容量大增9％，只是平均售價(jià)減少了9％，導(dǎo)致總收入只微增了0.3％達(dá)到145億美元。
2020-12-01 09:26:141730 英文媒體是援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息，報(bào)道臺(tái)積電四季度的營(yíng)收有望超出預(yù)期的。這一產(chǎn)業(yè)鏈人士表示，得益于5nm和7nm工藝產(chǎn)量的增加，臺(tái)積電預(yù)計(jì)他們四季度的營(yíng)收有望超出預(yù)期。
2020-12-11 14:41:041523 由于成本上的優(yōu)勢(shì)，目前市場(chǎng)上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC，MLC都很罕見了，SLC閃存更是鳳毛麟角，消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)上幾乎消失了。
2021-01-08 09:19:003003 光寶科技近年因進(jìn)行核心事業(yè)體質(zhì)調(diào)整并陸續(xù)處分虧損事業(yè)，造成營(yíng)收自2017年以來(lái)連續(xù)4年下滑，不過(guò)，隨著核心事業(yè)精實(shí)化，在網(wǎng)通（5G/云端/AIoT）、光電（LED元件/不可見光/車用電子）等兩大核心事業(yè)強(qiáng)勁成長(zhǎng)推升下，預(yù)期2021年營(yíng)收有機(jī)會(huì)恢復(fù)小幅成長(zhǎng)。
2021-02-04 11:55:183853 和世界先進(jìn)這3家芯片代工商，去年的營(yíng)收達(dá)到了526.9億美元，創(chuàng)下新高。 而在芯片代工商產(chǎn)能普遍緊張，工廠接近滿負(fù)荷運(yùn)行，汽車芯片供應(yīng)緊張、急需增加供應(yīng)的推動(dòng)下，芯片代工商目前的訂單也非常強(qiáng)勁，今年的業(yè)績(jī)預(yù)計(jì)也將相當(dāng)可觀。
2021-02-19 17:37:291996 NAND閃存是用于SSD和存儲(chǔ)卡的一種非易失性存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)。它的名字來(lái)源于邏輯門（NOT-AND），用于確定數(shù)字信息如何存儲(chǔ)在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:144995 
寫入問(wèn)題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級(jí)應(yīng)用中的一個(gè)限制么？
2021-04-01 17:50:563783 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問(wèn)片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:562708 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:153354 
本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化的NAND閃存設(shè)備接口，該接口提供了以下方法：用于設(shè)計(jì)支持一系列NAND閃存設(shè)備而無(wú)需直接設(shè)計(jì)的系統(tǒng)關(guān)聯(lián)前。該解決方案還提供了系統(tǒng)無(wú)縫利用的方法在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)可能不存在的新NAND設(shè)備。
2022-09-09 16:10:2416 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:112256 
圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí)，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡(jiǎn)單地說(shuō)，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:322425 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-11-30 15:00:433434 
本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化NAND閃存設(shè)備接口，該接口提供了設(shè)計(jì)的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設(shè)備，無(wú)需直接設(shè)計(jì)預(yù)關(guān)聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無(wú)縫利用在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450 我們之前見過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁(yè)就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:003694 這種存儲(chǔ)技術(shù)的成功與其不斷擴(kuò)展密度和成本的能力有關(guān)——這是 NAND 閃存技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力。大約每?jī)赡辏?b class="flag-6" style="color: red">NAND 閃存行業(yè)就會(huì)顯著提高位存儲(chǔ)密度，以增加的 Gbit/mm2表示。
2023-06-27 10:38:343462 
對(duì)于營(yíng)收增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)力，盛美上海表示受益于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備需求熱度不減，加之其掌握尖端技術(shù)及多元產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)，不斷擴(kuò)展的銷售訂單使其營(yíng)收有顯著提高；同時(shí)還積極開拓新客戶和新市場(chǎng)，成功打入新市場(chǎng)并吸引到多個(gè)新客戶
2024-01-10 09:37:021029 分析師預(yù)計(jì)，臺(tái)積電今年第一季度的經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)可以超越之前的記錄，得益于AI/HPC相關(guān)客戶新品的不斷推出和消費(fèi)市場(chǎng)的復(fù)蘇，預(yù)計(jì)美元營(yíng)收僅減少中等個(gè)位數(shù)百分比（6%-8%），對(duì)應(yīng)新臺(tái)幣營(yíng)收有望首次突破5，700億新臺(tái)幣，甚至可能創(chuàng)歷史新高，迎來(lái)最強(qiáng)勁的首季表現(xiàn)。
2024-01-15 09:35:34969 ONFI 由100多家制造、設(shè)計(jì)或使用 NAND 閃存的公司組成的行業(yè)工作組，其中包括主要成員如 Intel 和鎂光。該工作組旨在簡(jiǎn)化將 NAND 閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺(tái)以及其他需要大容量固態(tài)存儲(chǔ)的應(yīng)用程序中的過(guò)程。
2024-04-03 12:26:2411354 
型產(chǎn)品的涌現(xiàn)，預(yù)計(jì)到2024年度，全球DRAM和NAND閃存產(chǎn)業(yè)的總營(yíng)業(yè)收入有望實(shí)現(xiàn)75%和77%的驚人同比增長(zhǎng)。而在此之后的2025年度，這兩大領(lǐng)域的營(yíng)收增長(zhǎng)勢(shì)頭仍將持續(xù)，預(yù)計(jì)DRAM和NAND閃存產(chǎn)業(yè)的總營(yíng)業(yè)收入將分別以51%和29%的速度繼續(xù)攀升，創(chuàng)造出前所未有的歷史新紀(jì)錄。
2024-07-24 14:51:101335 NAND閃存，又稱之為“NAND Flash”，是一種基于Flash存儲(chǔ)技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展等幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
2024-08-10 15:57:1913061 NAND閃存和NOR閃存是兩種常見的閃存存儲(chǔ)器技術(shù)，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從技術(shù)原理、結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及發(fā)展趨勢(shì)等方面對(duì)兩者進(jìn)行詳細(xì)比較。
2024-08-10 16:14:277987 NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿創(chuàng)新與突破的歷程，它自誕生以來(lái)就不斷推動(dòng)著存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步。以下是對(duì)NAND閃存發(fā)展歷程的詳細(xì)梳理，將全面且深入地介紹其關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)和重要進(jìn)展。
2024-08-10 16:32:583368 %，顯示出市場(chǎng)增長(zhǎng)動(dòng)力有所放緩。盡管如此，該季度NAND閃存的總營(yíng)收依然達(dá)到了167.96億美元，環(huán)比增長(zhǎng)14.2%，顯示出市場(chǎng)整體價(jià)值仍在穩(wěn)步提升。
2024-09-11 17:00:081203 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《從NAND閃存啟動(dòng)DaVinci EVM.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-10-16 10:15:200 在現(xiàn)代電子設(shè)備中，存儲(chǔ)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。隨著技術(shù)的發(fā)展，存儲(chǔ)解決方案也在不斷進(jìn)步，以滿足日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。EMMC（嵌入式多媒體卡）和
NAND閃存是兩種廣泛使用的存儲(chǔ)技術(shù)，它們?cè)?/div>
2024-12-25 09:37:204674 近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前，全球NAND閃存市場(chǎng)面臨供過(guò)于求的局面，預(yù)計(jì)今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24867 %。這一跌幅主要源于當(dāng)前NAND閃存市場(chǎng)持續(xù)面臨的供過(guò)于求挑戰(zhàn)，導(dǎo)致價(jià)格不斷下滑，供應(yīng)商陷入虧損困境。然而，隨著市場(chǎng)供需關(guān)系的逐步調(diào)整，價(jià)格跌幅有望在二季度收窄至05%。 值得注意的是，NAND閃存原廠已從今年初開始采取更為堅(jiān)決的減產(chǎn)措施，以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)供需失衡的問(wèn)題。這一舉措有望加快供
2025-02-18 11:03:002821 NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲(chǔ)中，具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。
2025-03-12 10:21:145331 
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