高扇出信號線 (HFN) 是具有大量負載的信號線。作為用戶,您可能遇到過高扇出信號線相關(guān)問題,因為將所有負載都連接到 HFN 的驅(qū)動程序需要使用大量布線資源,并有可能導致布線擁塞。鑒于負載分散,導致進一步增大信號線延遲,因此在高扇出信號線上也可能難以滿足時序。
2025-08-28 10:45:36
1907 
JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會,微電子產(chǎn)業(yè)標準全球領(lǐng)導制定機構(gòu),今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲器標準JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當今DRAM主導性標準演變的繼續(xù)
2010-08-05 09:10:50
4186 本文主要使用了Cadence公司的時域分析工具對DDR3設(shè)計進行量化分析,介紹了影響信號完整性的主要因素對DDR3進行時序分析,通過分析結(jié)果進行改進及優(yōu)化設(shè)計,提升信號質(zhì)量使其可靠性和安全性大大提高。##時序分析。##PCB設(shè)計。
2014-07-24 11:11:21
6350 
本文以Kintex-7系列XC7K410T FPGA芯片和兩片MT41J128M16 DDR3 SDRAM芯片為硬件平臺,設(shè)計并實現(xiàn)了基于FPGA的視頻圖形顯示系統(tǒng)的DDR3多端口存儲管理。##每片
2015-04-07 15:52:10
13985 
講解xilinx FPGA 使用mig IP對DDR3的讀寫控制,旨在讓大家更快的學習和應用DDR3。 本實驗和工程基于Digilent的Arty Artix-35T FPGA開發(fā)板完成。 軟件
2021-01-01 10:09:00
5268 
為了更好地管理各類DDR3內(nèi)存的特性,并提供一種簡便的、帶寬效率高的自動化方式來初始化和使用內(nèi)存,我們需要一款高效DDR3內(nèi)存控制器。
2021-02-09 10:08:00
14491 
本實驗為后續(xù)使用DDR3內(nèi)存的實驗做鋪墊,通過循環(huán)讀寫DDR3內(nèi)存,了解其工作原理和DDR3控制器的寫法,由于DDR3控制復雜,控制器的編寫難度高,這里筆者介紹采用第三方的DDR3 IP控制器情況下的應用,是后續(xù)音頻、視頻等需要用到DDR3實驗的基礎(chǔ)。
2021-02-05 13:27:00
10988 
? 2022年4月20日,中國蘇州訊?—— 全球半導體存儲解決方案領(lǐng)導廠商華邦電子今日宣布,將持續(xù)供應DDR3產(chǎn)品,為客戶帶來超高速的性能表現(xiàn)。 ? 華邦的?1.35V DDR3 產(chǎn)品在?x8
2022-04-20 16:04:03
3594 
導讀:DDR5協(xié)議發(fā)布已經(jīng)有一段時間了,其中的變化還是比較大的,地址信號采取了ODT的端接形式,本篇文章為大家仿真一下DDR5地址信號。同時,我也推薦大家關(guān)注我在仿真秀原創(chuàng)的精品課《DDR3/4/5系列信號完整性仿真24講》,讓你清楚掌握DDR協(xié)議和仿真關(guān)鍵技術(shù)要點。
2022-12-01 10:24:03
2805 以MT41J128M型號為舉例:128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3,每個bank的大小為16Mbit,一共有8個bank。
2023-09-15 15:30:09
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DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品,相較于DDR2,DDR3有更高的運行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:53
3932 
下面是調(diào)用的DDR3模塊的,模塊的倒數(shù)第二行是,模塊的時鐘輸入,時鐘源來自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時鐘的倍頻。
2025-05-03 10:21:00
1340 
時鐘接口有兩個時鐘給DDR3控制器,一個時鐘是DDR3控制器的工作時鐘,一個是給DDR3的I/O接口。DDR3控制器的時鐘不可超過DSP的1/2,I/O接口的時鐘是DDR3的內(nèi)存時鐘。2.2. 信號
2018-01-18 22:04:33
附件為DDR3走線主要的規(guī)則介紹,有興趣的朋友可以下載看看,老手就不用了~
2019-03-08 20:37:44
對電路設(shè)計的優(yōu)化包括降低信號反射、過沖,確定匹配電阻的大小、走線阻抗等,通過對無源器件的各種配置分析選取出最適合的參數(shù)配置?! D1時鐘線的拓撲結(jié)構(gòu)(點擊查看大圖) (1)DDR3總線的差分時鐘分析
2014-12-15 14:17:46
HI,我的FPGA是Kintex-7的XC7K410T-2FFG900。我的DDR3是2Gb,由128Mb * 16組成。 DDR3數(shù)據(jù)速率為1600Mbps,因此我必須在HP BANK中使用VRN
2020-07-21 14:47:06
這篇帖子跟大家一起來討論下DDR3布線的那些事:DDR3的設(shè)計有著嚴格等長要求,歸結(jié)起來分為兩類(以64位的DDR3為例): 數(shù)據(jù) (DQ,DQS,DQM):組內(nèi)等長,誤差控制在20MIL以內(nèi),組間
2016-10-28 10:25:21
CPU的DDR3總線只連了一片DDR3,也沒有復用總線將DDR3的CS直接拉到地的話,DDR3初始化不成功所以說DDR3的CS信號是通過沿采樣的嗎,電平采樣不行?無法理解啊還是有其他方面原因
2016-11-25 09:41:36
)GROUP F 中 CLK、CLKn 差分對的線長誤差控制在 5mil 以內(nèi);CLK/CLKn 不能短于任意一組 DATA/DM/DQS。3.走線規(guī)則1)DDR3 的信號走線必須有完整參考面,以保證
2019-09-20 09:05:04
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-21 15:24 編輯
各位好!關(guān)于DDR3,之前有小結(jié)過如果進行DDR3的SW leveling和進行EMIF4寄存器的配置。但是調(diào)試時,如果進行DDR3的問題定位,現(xiàn)小結(jié)一下,附上相關(guān)文檔。如有相關(guān)問題,可在樓下跟帖討論。謝謝!
2018-06-21 04:01:01
[size=14.3999996185303px]我有個ARM的板子,DDR2和NAND的數(shù)據(jù)線是復用的,這樣PCB走線的時候,除了原來DDR2高速信號走線阻抗和等長以外,還需要特別注意什么嗎。NAND的線長是不是不算入DDR2總的線長中。
2016-10-10 17:09:28
多大?6:如果空間不足的情況下,地址跟地址的間距最小可以做多少,數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)間距可以做多少?地址可以跟數(shù)據(jù)走同一層嗎?7:以上的等長情況在頻率,控制芯片,ddr顆粒不同的情況下,同樣適用嗎?8:關(guān)于ddr3
2015-01-06 15:34:50
自己畫的6657的板,發(fā)現(xiàn)DDR3初始化有問題,初始化參數(shù)是按照芯片手冊來設(shè)置的,寫數(shù)據(jù)進去會出錯。初步懷疑是DDR3布線問題,請問TI的大神們,6657對DDR3的布線有什么具體的要求嗎?或者是
2018-06-21 05:42:03
(flight-time skew)來降低共同切換噪聲(SSN)。走線擺率可以達到0.8tCK,這個寬度導致無法確定在哪兩個時鐘周期獲取數(shù)據(jù),因此,JEDEC為DDR3定義了校準功能,它可以使控制器
2019-04-22 07:00:08
本次發(fā)布 Gowin DDR3參考設(shè)計。Gowin DDR3 參考設(shè)計可在高云官網(wǎng)下載,參考設(shè)計可用于仿真,實例化加插用戶設(shè)計后的總綜合,總布局布線。
2022-10-08 08:00:34
大家好,請問:在PADS 2007中,已經(jīng)對DDR3的數(shù)據(jù)線,地址線,及控制線做了分組設(shè)置, 現(xiàn)在要走線了,發(fā)現(xiàn)好難控制啊,應該如何走線???謝謝!
2013-07-03 09:19:02
`各位大俠好,小弟最近在走一個DDR3的布線,數(shù)據(jù)線等長做到了+/-5mil,可地址線和控制線由于空間不夠,只能做到+/-200mil,這樣布線有問題嗎?設(shè)計的板子是4層板,中間兩層是電源
2015-06-22 20:59:24
SDRAM 相連的是BANK35 的 IO,DDR3 的硬件設(shè)計需要嚴格考慮信號完整性,我們在電路設(shè)計和 PCB設(shè)計的時候已經(jīng)充分考慮了匹配電阻/終端電阻,走線阻抗控制,走線等長控制,保證DDR3 高速
2021-07-30 11:23:45
匹配電阻根據(jù)SI仿真的結(jié)果的走線阻抗,電阻值可能需要做出不同的選擇,通常其電阻值在30-70 Ohms之間。而差分信號的阻抗匹配電阻始終在100 Ohms。3. 互聯(lián)通路拓撲對于DDR2和DDR3,其中信號
2019-07-30 07:00:00
本手冊以 DDR3 器件為例講解硬件設(shè)計方法,包括 FPGA I/O 分配、原理圖設(shè)計、電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計、PCB 走線、參考平面設(shè)計、仿真等,旨在協(xié)助用戶快速完成信號完整性好、低功耗、低噪聲的高速存儲
2022-09-29 06:15:25
基于Xilinx MIS IP的DDR3讀寫User Interface解析特權(quán)同學,版權(quán)所有,轉(zhuǎn)載請注明出處參考文檔:ug586_7Series_MIS.pdf1. Command時序首先,關(guān)于
2016-10-13 15:18:27
現(xiàn)在因為項目需要,要用DDR3來實現(xiàn)一個4入4出的vedio frame buffer。因為片子使用的是lattice的,參考設(shè)計什么的非常少。需要自己調(diào)用DDR3控制器來實現(xiàn)這個vedio
2015-08-27 14:47:57
大家好,我在DDR3規(guī)格中發(fā)現(xiàn)JEDEC79-3E定義VOH(DC)是DC輸出高測量級別(用于IV曲線線性)。但是沒有關(guān)于如何測量高輸出直流輸出的指南,特別是當信號在高電壓時有環(huán)時,請參見附圖。誰能
2019-04-17 13:59:13
一張表總結(jié)常規(guī)DDR3的走線設(shè)計
2021-03-03 08:00:13
模擬DDR3的地址信號與時鐘信號
2021-03-02 08:12:10
各位大神好,小弟在設(shè)計的FPGA模塊中需要加入一個DDR3作為緩存,但是不是特別了解DDR3的輸入輸出信號(包括信號類型、位寬以及功能),哪位大神對這個比較了解,最好能分享下相關(guān)資料,謝謝了,急用?。。。。?!
2014-10-21 17:46:09
DDR3的數(shù)據(jù)線等長是怎么設(shè)置長度的
2019-07-17 04:47:35
兩片DDR3走fly by拓撲是否一定要8層板?最近要畫一個FPGA帶DDR3的,800Mhz,想了解一下
2019-03-01 07:35:22
設(shè)計為較高的阻抗,經(jīng)過負載電容的平均后,負載部分的走線才會和主線段阻抗保持一致,從而達到阻抗連續(xù),降低反射的效果。 在實際中的一個DDR3設(shè)計案例,來分析對比采用高阻抗負載走線和采用主線和負載走線同阻抗
2015-11-16 16:04:19
臺灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
2010年P(guān)C主流內(nèi)存標準從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實。據(jù)臺灣媒體報道,由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑,多家臺系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13
795 Quamtum-SI DDR3仿真解析
Automated DDR3 Analysis
2010-04-29 09:00:11
4760 
本文章主要涉及到對 DDR2 和DDR3 在設(shè)計印制線路板(PCB)時,考慮信號完整性和電源完整性的設(shè)計事項,這些是具有相當大的挑戰(zhàn)性的。文章重點是討論在盡可能少的PCB 層數(shù),特別是4 層板
2011-07-12 17:31:10
0 總結(jié)了DDR和DDR2,DDR3三者的區(qū)別,對于初學者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:37
36 針對DDR2-800和DDR3的PCB信號完整性設(shè)計
2016-02-23 11:37:23
0 針對DDR2-800和DDR3的PCB信號完整性設(shè)計,要認證看
2016-12-16 21:23:41
0 華芯半導體DDR3內(nèi)存顆粒 datasheet
2016-12-17 21:59:12
0 。例如,下面的插圖是取自指導手冊關(guān)于DDR3地址總線和時鐘總線設(shè)計的說明。 與上面的插圖相比,下面的是指導手冊中關(guān)于DDR4的地址總線,指
2017-02-08 10:04:09
2134 
DDR3是目前DDR的主流產(chǎn)品,DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。最開始的DDR, 芯片采用的是TSOP封裝,管腳露在芯片兩側(cè)的,測試起來相當方便;但是,DDRII和III就不一樣了,
2017-11-06 13:44:10
9412 
DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬,DDR4的傳輸速率目前可達2133~3200MT/s。DDR4 新增了4 個Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計,各個Bank
2017-11-07 10:48:51
55968 
雖然新一代電腦/智能手機用上了DDR4內(nèi)存,但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存,因此DDR3依舊是主流,DDR4今后將逐漸取代DDR3,成為新的主流,下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3,新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變:
2017-11-08 15:42:23
32470 DDR3 SDRAM(Double Data Rate Three SDRAM):為雙信道三次同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存。
DDR4 SDRAM(Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:49
28010 為了解決視頻圖形顯示系統(tǒng)中多個端口訪問DDR3的數(shù)據(jù)存儲沖突,設(shè)計并實現(xiàn)了基于FPGA的DDR3存儲管理系統(tǒng)。DDR3存儲器控制模塊使用MIG生成DDR3控制器,只需通過用戶接口信號就能完成DDR3
2017-11-18 18:51:25
7989 
針對采用DDR3接口來設(shè)計的新一代閃存固態(tài)盤(SSD)需要完成與內(nèi)存控制器進行通信與交互的特點,提出了基于現(xiàn)場可編程門陣列( FPGA)的DDR3協(xié)議解析邏輯方案。首先,介紹了DDR3內(nèi)存工作原理
2017-12-05 09:34:44
10 性能和成本達到最佳收益的選擇,就是在布線方面,DDR3需要注意的問題比DDR2就略多。這里對AM335x關(guān)于DDR3的軟硬件設(shè)計資源以及這些注意事項做一個簡單匯總
2018-04-24 16:08:20
18 和Stratix III FPGA的接口。
Stratix III FPGA:
具有強大的DDR3寫調(diào)平功能,實現(xiàn)和高速DDR3存儲器的接口。
提供I/O電路,能夠更靈活地支持現(xiàn)有以及新興的高速外部存儲器標準。
保持高速數(shù)據(jù)速率時的最佳信號完整性
2018-06-22 02:04:00
4421 Cyclone 10 GX DDR3 示例設(shè)計的步驟
2018-06-20 00:12:00
6906 
突發(fā)長度,由于DDR3的預期為8bit,所以突發(fā)傳輸周期(BL,Burst Length)也固定位8,而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng),BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個
2018-06-21 09:20:54
16120 
繼儲存型快閃存儲器價格走跌之后,原本報價尖挺的DRAM也開始松動,其中,連續(xù)八季漲價的DDR3率先走跌,臺灣包括晶豪科、南亞科等業(yè)者都以DDR3為主要產(chǎn)品,將首當其沖。
2018-08-08 10:31:14
4337 我們通過Configuration,Package,Speed...等DDR3的命名可知道DDR3的容量,封裝,速度等級等信息。
2019-03-03 11:04:15
2626 
DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲器2個部分,都采用源同步時序,即選通信號(時鐘)不是獨立的時鐘源發(fā)送,而是由驅(qū)動芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率,最高可達1866Mbps;DDR3還采用8位預取技術(shù),明顯提高了存儲帶寬;其工作電壓為1.5V,保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:23
2336 NB685簡約而不簡單,只需要簡單而又不占太大空間的外部電路,即可有效地控制供電電壓,使其能夠為諸如DDR3, DDR3L, LPDDR3, DDR4等內(nèi)存供電。并且輸出電壓可調(diào)節(jié),只要微調(diào)外部電路即可。
2019-10-11 15:30:37
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DDR3 SDRAM是DDR3的全稱,它針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內(nèi)存),頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計,與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢。
2019-10-29 08:00:00
0 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計資料總結(jié)包括了:一、DDR的布線分析與設(shè)計,二、DDR電路的信號完整性,三、DDR Layout Guide,四、DDR設(shè)計建議,六、DDR design checklist,七、DDR信號完整性
2020-05-29 08:00:00
0 從成本的角度來看,DDR3也許的確要比DDR4低一些,所以從這個角度可以講通。
2020-09-08 16:28:23
5268 本文章主要涉及到對DDR2和DDR3在PCB設(shè)計時,考慮信號完整性和電源完整性的設(shè)計事項,這些是具有相當大的挑戰(zhàn)性的。 文章重點是討論在盡可能少的PCB層數(shù),特別是4層板的情況下的相關(guān)技術(shù),其中
2021-03-25 14:26:01
5336 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供一張表總結(jié)常規(guī)DDR3的走線設(shè)計資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-04 08:47:07
23 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供模擬DDR3的地址信號與時鐘信號資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-12 08:45:05
23 這篇文章我們講一下Virtex7上DDR3的測試例程,Vivado也提供了一個DDR的example,但卻是純Verilog代碼,比較復雜,這里我們把DDR3的MIG的IP Core掛在Microblaze下,用很簡單的程序就可以進行DDR3的測試。
2021-05-02 09:05:00
4229 
本文以一個案例的形式來介紹lattice DDR3 IP核的生成及調(diào)用過程,同時介紹各個接口信號的功能作用
2022-03-16 14:14:19
2713 
日前,世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示,多家大廠都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入,至今已長達15年,因為其不再泛用于主流平臺,即便退出市場也不會
2022-04-06 12:22:56
6223 ??這篇文章我們講一下Virtex7上DDR3的測試例程,Vivado也提供了一個DDR的example,但卻是純Verilog代碼,比較復雜,這里我們把DDR3的MIG的IP Core掛在Microblaze下,用很簡單的程序就可以進行DDR3的測試。
2022-08-16 10:28:58
3160 本手冊以 DDR3 器件為例講解硬件設(shè)計方法,包括 FPGA I/O 分配、原
理圖設(shè)計、電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計、PCB 走線、參考平面設(shè)計、仿真等,旨在協(xié)助用
戶快速完成信號完整性好、低功耗、低噪聲的高速存儲方案的硬件設(shè)計。
2022-09-15 10:31:36
15 一、DDR3簡介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM,即第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。所謂同步,是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:05
5150 有些設(shè)計中可能是三個或者更多芯片在同一個信號鏈路上,按照flyby拓撲結(jié)構(gòu)布局。如下圖是一顆SOC和3顆DDR3的PCB布局設(shè)計。因為三顆DDR3的ADD是共用一組來自SOC的信號線,因此只有ADD
2023-04-15 16:07:50
2094 
DDR3的速度較高,如果控制芯片封裝較大,則不同pin腳對應的時延差異較大,必須進行pin delay時序補償。
2023-07-04 09:25:38
936 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:47
3 本文開源一個FPGA項目:基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式:《DDR3讀寫測試》,如果在某些項目中,我們需要把DDR掛載到AXI總線上,那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:37
7275 
本文介紹一個FPGA開源項目:DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19
3353 
DDR3是2007年推出的,預計2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的,DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56
1889 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計算機的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內(nèi)存的標準。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:00
13842 隨著技術(shù)的不斷進步,計算機內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR(Double Data Rate)內(nèi)存條作為計算機的重要組成部分,其性能直接影響到電腦的運行速度和穩(wěn)定性。DDR3和DDR4是目前市場上最常
2024-11-20 14:24:22
11366 據(jù)報道,業(yè)內(nèi)人士透露,全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光,有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進步和消費級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:51
3468 的講解數(shù)據(jù)線等長設(shè)計。? ? ? 在另一個文件《AD設(shè)計DDR3時等長設(shè)計技巧-地址線T型等長》中著重講解使用AD設(shè)計DDR地址線走線T型走線等長處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:12
4 本文緊接著前一個文檔《AD設(shè)計DDR3時等長設(shè)計技巧-數(shù)據(jù)線等長 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號線等長設(shè)計,因為地址線、控制信號線有分支,SOC有可能帶有2片DDR或者更多,我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:51
2 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計手冊.pdf》資料免費下載
2025-11-05 17:04:01
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