5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)因覆蓋了較寬的頻帶，對(duì)工作于毫米波頻率下5G電路的線(xiàn)路板材料提出了特殊的要求。本文探討了用于PCB材料頂層銅箔與底層銅箔之間傳輸信號(hào)的金屬化過(guò)孔內(nèi)壁的表面粗糙度對(duì)材料的最終射頻性能的影響。

第五代無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)被譽(yù)為是實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代通信的最重要的技術(shù)成就之一，5G技術(shù)既使用低于6GHz的信號(hào)頻率，也有用于短距離回傳，高速數(shù)據(jù)鏈路的毫米波頻率。在如此寬頻率范圍內(nèi)的電路需要使用特殊的線(xiàn)路板材料，而羅杰斯公司的RO4730G3？電路板材料就成為許多電路設(shè)計(jì)工程師的選擇，因?yàn)樗哂袕纳漕l到毫米波頻率的出色性能。然而，這種層壓板材料與傳統(tǒng)的電路材料的存在一個(gè)差別是材料使用了中空微球作為介質(zhì)的填充材料，這個(gè)差異引起了一些電路設(shè)計(jì)者的擔(dān)憂(yōu)。

由于微球的存在，電路加工結(jié)構(gòu)的外觀(guān)——例如從一個(gè)導(dǎo)電層到另一個(gè)導(dǎo)電層的金屬化過(guò)孔（PTH）——看起來(lái)比沒(méi)有采用這種特殊介質(zhì)填料的傳統(tǒng)的線(xiàn)路板材料，制作形成的金屬化過(guò)孔要更加粗糙。可能看起來(lái)是這樣的，又或者是有什么其他的擔(dān)憂(yōu)，畢竟因?yàn)椴捎弥锌瘴⑶蛱盍系木€(xiàn)路板在做金屬化過(guò)孔時(shí)孔壁非常的粗糙。

但一系列的研究表明，無(wú)論是在射頻頻率下，還是對(duì)5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)的毫米波頻率下，中空微球填料對(duì)金屬化過(guò)孔的影響純粹是表面外觀(guān)上的，它并不會(huì)影響電路的性能或金屬化過(guò)孔的可靠性。

比較不同的金屬化過(guò)孔

所有電路金屬化過(guò)孔的孔壁表面的紋理均會(huì)有不同的細(xì)微區(qū)別，即使在比較同一電路板的孔壁表面的粗糙度時(shí)也是如此。由于鉆孔過(guò)程涉及多個(gè)因素，金屬化過(guò)孔的孔壁表面會(huì)因孔而異。在具有微球填料的材料中，鉆頭可能會(huì)影響微球填料，也可能不會(huì)，從而導(dǎo)致了差異的產(chǎn)生。

當(dāng)鉆頭撞擊并破碎空心球體時(shí)，該過(guò)孔的銅鍍層將沿著破碎的球體的輪廓生長(zhǎng)，孔壁表面將不再光滑和平坦。圖1顯示了電路線(xiàn)路板中微球填料的存在如何影響該電路材料形成金屬化過(guò)孔時(shí)導(dǎo)致的表面粗糙度的增加。我們很自然地會(huì)質(zhì)疑，與金屬化過(guò)孔更光滑表面的傳統(tǒng)電路材料相比，這種粗糙度是否會(huì)導(dǎo)致電路的電氣性能或可靠性方面產(chǎn)生不良影響。

隨著5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)中寬頻率范圍的高頻電路材料的需求日益增長(zhǎng)，了解具有空心微球填料的線(xiàn)路板材料中金屬化過(guò)孔表面粗糙度是否對(duì)電路性能有影響是非常有意義的，因?yàn)閭鹘y(tǒng)的線(xiàn)路板材料中沒(méi)有這種填料。

通過(guò)一系列的研究，比較了來(lái)自羅杰斯公司的具有玻璃增強(qiáng)和微球填料的20.7mil厚的RO4730G3？線(xiàn)路板材料和沒(méi)有玻璃增強(qiáng)、具有更小且非空心填料的20mil厚的RO3003G2材料上過(guò)孔孔壁的不同是否會(huì)帶來(lái)影響。為了測(cè)試孔壁表面粗糙度是否有影響，我們開(kāi)發(fā)了許多不同的測(cè)試電路來(lái)比較線(xiàn)路板上的金屬化過(guò)孔在5G寬的頻率范圍的情況。

測(cè)試電路都基于微帶傳輸線(xiàn)結(jié)構(gòu)，在電路中間有一個(gè)通孔，用作從介質(zhì)基板材料的頂部銅層到底部銅層的導(dǎo)體和信號(hào)過(guò)渡。測(cè)試電路的長(zhǎng)度基本都為2英寸左右。我們也使用了其他的一些高頻傳輸線(xiàn)技術(shù)作為參考，來(lái)評(píng)估金屬化過(guò)孔孔壁表面粗糙度是否存在影響，包括沒(méi)有信號(hào)通孔的8英寸和2英寸長(zhǎng)的微帶電路，以及8英寸和2英寸長(zhǎng)的沒(méi)有通孔的接地共面波導(dǎo)（GCPW）電路。

為了確保測(cè)量時(shí)的一致性，測(cè)試使用了相同的兩個(gè)2.4毫米的同軸連接器用于所有電路的測(cè)試。且測(cè)試連接器總是以同樣的方式連接到VNA的測(cè)試端口，以保持相位一致性。

習(xí)慣于研究如圖1所示的印刷電路板（PCB）顯微圖像的設(shè)計(jì)人員可能會(huì)擔(dān)心金屬化過(guò)孔的粗糙度會(huì)帶來(lái)影響，尤其是在5G電路的高頻頻率下。一般來(lái)說(shuō)，對(duì)于不使用微球填充的傳統(tǒng)高頻電路材料來(lái)說(shuō)，粗糙的孔壁表面可能意味著在制造過(guò)程中出現(xiàn)了某些問(wèn)題，并可能會(huì)影響到過(guò)孔的可靠性。

但對(duì)于空心微球填充的電路材料，形成表面粗糙的金屬化過(guò)孔是正常的，這并不代表其性能差。為了證明這種電路材料中的粗糙的金屬化過(guò)孔不會(huì)影響過(guò)孔可靠性和電性能，我們將新材料（較粗糙的金屬化過(guò)孔）與更傳統(tǒng)的電路材料（更光滑的金屬化過(guò)孔）進(jìn)行研究比較，來(lái)消除將這種材料用于5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)電路設(shè)計(jì)和其它任何應(yīng)用到毫米波頻率范圍的電路產(chǎn)生的任何疑慮。

圖1. 與沒(méi)有微球填料的電路材料相比，使用空心微球填料的RO4730G3電路材料可能形成粗糙孔壁表面的金屬化過(guò)孔。

我們?cè)谠u(píng)估金屬化過(guò)孔及其孔壁表面對(duì)高頻電路性能的影響之前，對(duì)RO4730G3電路板及其微球填料進(jìn)行了廣泛的評(píng)估，以充分了解它們?cè)诓煌ぷ鳁l件下的特性。進(jìn)行了包括10層高加速熱沖擊（HATS）/ 金屬化過(guò)孔（PTH）可靠性、雙面PTH可靠性、雙面PTH-PTH導(dǎo)電陽(yáng)極絲（CAF）電阻、平面-平面CAF電阻、MOT和表面–表面貼裝（SMT）測(cè)試、絕緣電阻，金屬化過(guò)孔質(zhì)量等一系列的材料測(cè)試研究。

所有測(cè)試表明，材料及其微球填料在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下毫無(wú)問(wèn)題地通過(guò)了這些測(cè)試。

本文的重點(diǎn)是介紹在射頻、微波和毫米波頻率下使用該材料是否可能產(chǎn)生的問(wèn)題。

事實(shí)上，在對(duì)這種線(xiàn)路板材料及其微球填料進(jìn)行的多項(xiàng)研究測(cè)試中，其中我們利用兩種具有不同金屬化過(guò)孔壁特征的材料，研究金屬化過(guò)孔壁表面粗糙度變化對(duì)RF性能帶來(lái)的各種影響對(duì)比。研究測(cè)試基于一種特殊設(shè)計(jì)的微帶傳輸線(xiàn)電路，分別在頂層和底層都有微帶線(xiàn)電路，中間介質(zhì)是介質(zhì)材料，通過(guò)金屬化過(guò)孔實(shí)現(xiàn)頂層到底層的微帶線(xiàn)的連接。這些測(cè)試旨在為5G應(yīng)用提供非常有意義的數(shù)據(jù)參考，因此測(cè)試電路在100 MHz至40 GHz范圍內(nèi)都具有良好的射頻性能。

在該研究測(cè)試中使用的兩種材料的介電常數(shù)（Dk，或εr）都非常接近，其值都在3附近。兩種材料也選用具有相同厚度的材料，均為20mil。二者之間的主要區(qū)別是其中一個(gè)可以制作孔壁表面光滑的金屬化過(guò)孔，而另一個(gè)制作得到的金屬化過(guò)孔壁表面較為粗糙。可以制作形成光滑金屬化過(guò)孔壁表面的材料是羅杰斯公司的RO3003G2？線(xiàn)路板材料，而具有玻璃增強(qiáng)材料和空心微球填料的RO4730G3？線(xiàn)路板制作得到的金屬化過(guò)孔壁表面較為粗糙。

電路金屬化過(guò)孔壁表面的紋理差別通常被認(rèn)為是電路制造的問(wèn)題，而不是材料的問(wèn)題。但是，一些材料特性可以使金屬化過(guò)孔壁表面得到優(yōu)化，包括電路材料填料類(lèi)型、填料尺寸、玻璃增強(qiáng)和樹(shù)脂類(lèi)型等。作為RO4730G3？線(xiàn)路板及其空心微球填料（粗糙的金屬化過(guò)孔壁表面），比較的RO3003G2？線(xiàn)路板材料是沒(méi)有玻璃增強(qiáng)材料的，且填料顆粒也非常的小。假設(shè)二者均采用最佳PCB加工方法，后者將會(huì)有非常平滑的金屬化過(guò)孔壁表面。如圖2所示，是RO3003G2？線(xiàn)路板可形成的非常光滑的金屬化過(guò)孔孔壁。

圖2.顯微圖像顯示了在20mil厚的RO3003G2電路材料中形成的表面光滑的金屬化過(guò)孔孔壁。

對(duì)于相同厚度的這兩個(gè)電路材料，圖1和2中所示的兩種材料的金屬化過(guò)孔的表面粗糙度的差異是非常顯而易見(jiàn)的。觀(guān)察兩個(gè)圖可能會(huì)產(chǎn)生這樣一個(gè)問(wèn)題，即金屬化過(guò)孔的較高表面粗糙度是否意味著其在射頻性能方面存在什么問(wèn)題？對(duì)于測(cè)試電路，微帶傳輸線(xiàn)電路是一種有效的方法來(lái)比較光滑和粗糙的金屬化過(guò)孔壁表面對(duì)射頻性能的影響，因?yàn)榕c其他高頻傳輸線(xiàn)結(jié)構(gòu)相比，微帶線(xiàn)的加工制造過(guò)程中的一些變化對(duì)射頻性能的影響較小。

為了使40GHz下的不同電路材料中的金屬化過(guò)孔提供有意義的結(jié)果，我們投入了大量的精力來(lái)優(yōu)化這些微帶電路。其中之一是從射頻測(cè)試連接器向PCB微帶線(xiàn)的信號(hào)過(guò)渡就是一個(gè)大的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。通常情況下，在20mil厚的電路板上的微帶傳輸線(xiàn)的信號(hào)過(guò)渡上很難得到回波較好的特性，特別是頻率在25GHz以上的傳輸線(xiàn)。對(duì)于寬帶微帶電路，小于15dB或更好的回波損耗通常被認(rèn)為是可以接受的。

通孔過(guò)渡是另一個(gè)重要的需要考慮的因素，特別是在毫米波頻率下較難實(shí)現(xiàn)從某一層到另一線(xiàn)路層的低損耗過(guò)渡。一般來(lái)說(shuō)，在20mil厚電路材料上很難實(shí)現(xiàn)高于20GHz的微帶線(xiàn)通孔過(guò)渡的良好性能。但是考慮到上述困難，本研究的微帶先測(cè)試電路，其設(shè)計(jì)的目標(biāo)是頻率達(dá)到40GHz時(shí)也會(huì)得到良好的效果，如圖3所示。

圖3. 這些電路是用于評(píng)估金屬化過(guò)孔孔壁表面粗糙度對(duì)高頻下RF性能的影響的電路設(shè)計(jì)，左圖是標(biāo)準(zhǔn)的微帶傳輸線(xiàn)，右邊是具有金屬化過(guò)孔的微帶線(xiàn)電路。

圖3左側(cè)所示的“標(biāo)準(zhǔn)”微帶線(xiàn)電路是通過(guò)接地共面波導(dǎo)（GCPW）結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)過(guò)渡轉(zhuǎn)換的微帶電路。電路的主體由微帶傳輸線(xiàn)構(gòu)成，GCPW結(jié)構(gòu)在電路的末端用于同軸（2.4毫米）連接器到微帶的過(guò)渡轉(zhuǎn)換（Southwest Microwave公司的型號(hào)＃1492-04A-5）。

圖3右側(cè)電路就是用于本研究的測(cè)試電路的頂層和底層電路。它們是松耦合的接地共面波導(dǎo)，中間是金屬化過(guò)孔，提供從頂層到底層電路的過(guò)渡連接。測(cè)試電路的長(zhǎng)度為2英寸，松耦合的接地共面波導(dǎo)傳輸線(xiàn)電路將具有與微帶傳輸線(xiàn)電路非常相似的射頻性能。松耦合在較高頻率下具有良好的性能，非常適合40GHz下的測(cè)試。

圖4. 這是網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試得到的不同電路且具有不同壁表面紋理的金屬化過(guò)孔的S參數(shù)的示例，分別包括頻域和時(shí)域。

圖4是矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量的頻域和時(shí)域的結(jié)果圖。圖右下角的回波損耗（S11和S22）的兩個(gè)標(biāo)記分別表示了不同頻率下的回波損耗值。標(biāo)記2位于40.7GHz處，是該測(cè)試電路具有良好回波損耗的最高頻率。反射波S22的阻抗顯示在圖右上角，反射波S11的阻抗顯示在圖左下角。

如S11的標(biāo)記所示，在通孔轉(zhuǎn)換中的阻抗值，標(biāo)記1、2和3，電路具有大約48？的阻抗。在通孔過(guò)渡區(qū)域中可觀(guān)測(cè)到較小的阻抗變化，阻抗變化小于2？，對(duì)電路的RF性能幾乎沒(méi)有影響。從這些測(cè)試結(jié)果，電路可被認(rèn)為從頂層到底層信號(hào)具有的良好的通孔過(guò)渡，同時(shí)，它還具有到40GHz的良好插入損耗性能（如圖左上角所示）。

在同一塊大的PCB板上加工制作了許多相同設(shè)計(jì)的電路，以便更好地理解由正常的材料變化以及PCB制造工藝引起的變化進(jìn)而導(dǎo)致射頻性能的變化。我們同時(shí)加工了兩塊大的PCB板（板1和板2），上面包含多個(gè)多個(gè)測(cè)試電路，且這兩個(gè)大板來(lái)自于相同且更大面積的同一塊電路材料。

更大大板的材料原始尺寸為24×18英寸，被切割成兩個(gè)尺寸均為12×18英寸的板子，因來(lái)自同一個(gè)大板因此兩個(gè)12×18的電路上可以保持材料的一致性。在選取的兩種20mil RO3003G2和20.7mil RO4730G3材料的微帶線(xiàn)測(cè)試電路的制作中，采用了完全相同的電路加工制作工藝和流程以減小加工帶來(lái)的影響。

測(cè)試結(jié)果的對(duì)比

通過(guò)對(duì)電路材料的研究測(cè)試，得到了大量的測(cè)試數(shù)據(jù)，包括了每個(gè)測(cè)試電路的：插入損耗，回波損耗，阻抗，群延遲和相位角（如圖4所示）等。直通測(cè)量被用作確定金屬化過(guò)孔對(duì)電路性能的影響的方法。同時(shí)也測(cè)量得到了電路的阻抗，但并不被認(rèn)為阻抗是反映金屬化過(guò)孔對(duì)射頻性能影響的最佳指標(biāo)。

微帶線(xiàn)電路（或松散耦合的接地共面波導(dǎo)）的阻抗依次受介質(zhì)厚度、導(dǎo)體寬度、銅厚變化和介質(zhì)Dk等參數(shù)的影響。與金屬化過(guò)孔孔壁表面的帶來(lái)的影響相比，金屬化過(guò)孔過(guò)渡區(qū)域中的阻抗將受這些變量的影響更大。出于上述原因，雖然收集到了阻抗數(shù)據(jù)，但阻抗并未用于金屬化過(guò)孔孔壁表面對(duì)射頻性能的影響的判斷。

S21的相位角是被用作金屬化過(guò)孔孔壁表面變化而引起的電路射頻變化的度量，因?yàn)檠匚鬏斁€(xiàn)的導(dǎo)體表面粗糙度將通過(guò)該傳輸線(xiàn)影響信號(hào)的相位角1，2。直通測(cè)量對(duì)有轉(zhuǎn)換通孔的射頻信號(hào)路徑較為敏感。

為驗(yàn)證測(cè)試的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性，在其中一個(gè)測(cè)試電路上進(jìn)行的重復(fù)性研究發(fā)現(xiàn)，在39GHz時(shí)測(cè)量的S21相位角的標(biāo)準(zhǔn)差是小于±1.2度。我們?cè)跍y(cè)試中使用的S21相位角是S21的展開(kāi)的相位角，它是-180至+180度相位角的絕對(duì)值總和。采用這種方法更有意義的地方在于提高分辨率，因?yàn)榧词箤?duì)于5G應(yīng)用中達(dá)到39GHz的頻率，對(duì)非展開(kāi)相位變化分辨率也不太靈敏。但是，對(duì)于Dk約為3的線(xiàn)路板材料上的2英寸長(zhǎng)的微帶傳輸線(xiàn)，39 GHz下的展開(kāi)相位角范圍將可達(dá)到數(shù)千度，因此測(cè)試電路和測(cè)量方案可提供合適的相位分辨率。

雖然金屬化過(guò)孔孔壁研究中收集的數(shù)據(jù)很寬泛，但在這里依舊可以分享一些結(jié)果。例如，圖5顯示了在同一塊板上制作的設(shè)計(jì)相同的六個(gè)不同電路的數(shù)據(jù)，并與作為參考的沒(méi)有通孔過(guò)渡的微帶傳輸線(xiàn)進(jìn)行比較。圖5還可以看出在第二塊板上制作的設(shè)計(jì)相同的六個(gè)不同電路的數(shù)據(jù)（這兩個(gè)電路板最初是從同一塊24×18的材料上切割得到的）。測(cè)試結(jié)果是基于20mil RO3003G2，其具有平滑金屬化過(guò)孔孔壁表面。

圖5. S21展開(kāi)的相位角測(cè)量是含有金屬化過(guò)孔的2英寸長(zhǎng)的微帶傳輸線(xiàn)電路。線(xiàn)路板材料為厚度20mil的RO3003G2，其可得到非常光滑的金屬化過(guò)孔壁表面。

圖5中的電路ID可以顯示電路來(lái)自哪個(gè)12×18英寸的大板，以及該板上的電路ID編號(hào)。例如，P1 C4來(lái)自板1，電路編號(hào)為4號(hào)。電路彼此之間互相遠(yuǎn)離并均勻地分別在12×18英寸的板上，以保持一致性。某些變化是可以事先預(yù)料到的，因?yàn)樗鼈儗?duì)相位角的差異非常敏感。某些變化是由于PCB制造過(guò)程而造成的，而不是金屬化過(guò)孔壁粗糙度的原因，包括導(dǎo)體寬度的變化，鍍銅厚度的變化和鉆孔質(zhì)量的變化。

此外，金屬化過(guò)孔周?chē)目p隙由于PCB的正常制造公差也會(huì)出現(xiàn)一些變化。同樣，每個(gè)板上的微小材料變化，如Dk值的微小變化，也可能導(dǎo)致相位的變化。考慮到圖5所示的測(cè)試值，在39 GHz時(shí)相位數(shù)據(jù)的可重復(fù)性標(biāo)準(zhǔn)差小于±1.2度，這是非常好的。

雖然不是測(cè)量中的一個(gè)因素，RO4730G3TM電路材料的Dk公差保持在±0.05范圍內(nèi)被認(rèn)為是非常好的性能表現(xiàn)。然而在更高的頻率下，即使輕微的Dk變化有時(shí)也是很明顯的影響。例如，在39 GHz時(shí)，0.05的Dk偏移將導(dǎo)致大約為15.3度的相位角變化。對(duì)于±0.05的公差或0.10的總Dk偏移，由于電路材料Dk變化，在39GHz時(shí)的相位角可能會(huì)移動(dòng)多達(dá)30.6度。

當(dāng)考慮圖5中的相位角變化數(shù)時(shí)，這個(gè)數(shù)值具有很好的參考意義。但由于作為這些金屬化過(guò)孔評(píng)估的電路材料板都來(lái)自于相同的原始大板，因此由于Dk變化導(dǎo)致的該研究中的相位角變化將很小。圖6提供了具有光滑金屬化過(guò)孔孔壁的電路（來(lái)自圖5的RO3003G2TM的重復(fù)測(cè)試數(shù)據(jù)）和具有粗糙金屬化過(guò)孔孔壁（RO4730G3TM）的電路的比較結(jié)果。

圖6.比較了在三個(gè)關(guān)鍵的5G頻率下，不同線(xiàn)路板上制作的微帶傳輸線(xiàn)電路的相位角差異統(tǒng)計(jì)情況。 左邊的數(shù)據(jù)是光滑的金屬化過(guò)孔孔壁表面電路的測(cè)試結(jié)果，而右邊的數(shù)據(jù)是粗糙的金屬化過(guò)孔孔壁表面的測(cè)試結(jié)果。

如前所述，在研究過(guò)程中，我們都盡量減少材料的變化帶來(lái)的影響，如板1和2都取自同一個(gè)大板確保材料Dk差異最小。因此相位角的變化和出現(xiàn)的任何差異主要是受到電路制造過(guò)程的影響。當(dāng)對(duì)同一塊板的電路進(jìn)行結(jié)果的分析時(shí)，此時(shí)相位角的差異來(lái)自于PCB加工制造和材料變化的影響都最小，因?yàn)橥粔K板是完全同時(shí)進(jìn)行的加工。

正因?yàn)槿绱耍谕粔K板上研究多個(gè)電路可以很好地了解微帶線(xiàn)電路的金屬化過(guò)孔質(zhì)量。PCB制造過(guò)程也可能導(dǎo)致比預(yù)想更為粗糙的金屬化過(guò)孔孔壁表面。如圖6所示，每一塊板上的S21展開(kāi)相角上都有一定的變化，但當(dāng)比較兩種不同材料上的電路相位變化時(shí)，這種變化實(shí)際并不顯著。

圖7.RO4730G3材料的從頂層到底層線(xiàn)路的金屬化過(guò)孔孔壁（較為粗糙）的表面特征和3個(gè)毫米波頻率下相位測(cè)量結(jié)果。

顯然，通過(guò)觀(guān)測(cè)顯微照片，用于頂層線(xiàn)路與底層線(xiàn)路相連接的金屬化過(guò)孔的表面壁可能會(huì)呈現(xiàn)出很大的不同。例如，圖2顯示的ID為P1/C1是在20mil厚的RO3003G2材料上制作的電路金屬化過(guò)孔，它就有非常光滑的金屬化過(guò)孔孔壁。圖7 ID為P2/C6的電路金屬化過(guò)孔的外觀(guān)，是在厚度為20.7mil的RO4730G3線(xiàn)路板材料上的過(guò)孔，這種材料上的金屬化過(guò)孔壁表面相對(duì)就要粗糙一些。

僅從外觀(guān)上看，可能會(huì)有一些擔(dān)心是否這種金屬化過(guò)孔孔壁表面粗糙度會(huì)對(duì)射頻性能帶來(lái)影響。但正如上述幾項(xiàng)研究所表明的那樣，粗糙和光滑的金屬化過(guò)孔側(cè)壁之間的差異僅僅是表面的，至少對(duì)于在40GHz下的這些測(cè)試電路上，完全不用擔(dān)心它們對(duì)射頻/微波/毫米波性能的會(huì)帶來(lái)性能的影響。

需要說(shuō)明的是，本文所列的信息只是對(duì)平滑金屬化過(guò)孔和粗糙的金屬化過(guò)孔的電路材料研究中收集的數(shù)據(jù)的一小部分。研究的目的是為了證明金屬化過(guò)孔壁表面粗糙度對(duì)射頻及毫米波頻率性能的影響很小。
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