一、Intel 5nm工藝轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管

Intel之前已經(jīng)宣布在2021年推出7nm工藝，首發(fā)產(chǎn)品是數(shù)據(jù)中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工藝更加重要了，因?yàn)镮ntel在這個(gè)節(jié)點(diǎn)會(huì)放棄FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA晶體管。

隨著制程工藝的升級(jí)，晶體管的制作也面臨著困難，Intel最早在22nm節(jié)點(diǎn)上首發(fā)了FinFET工藝，當(dāng)時(shí)叫做3D晶體管，就是將原本平面的晶體管變成立體的FinFET晶體管，提高了性能，降低了功耗。

FinFET晶體管隨后也成為全球主要晶圓廠的選擇，一直用到現(xiàn)在的7nm及5nm工藝。

Intel之前已經(jīng)提到5nm工藝正在研發(fā)中，但沒(méi)有公布詳情，最新爆料稱他們的5nm工藝會(huì)放棄FinFET晶體管，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管。

GAA晶體管也有多種技術(shù)路線，之前三星提到他們的GAA工藝能夠提升35%的性能、降低50%的功耗和45%的芯片面積，不過(guò)這是跟他們的7nm工藝相比的，而且是初期數(shù)據(jù)。

考慮到Intel在工藝技術(shù)上的實(shí)力，他們的GAA工藝性能提升應(yīng)該會(huì)更明顯。

如果能在5nm節(jié)點(diǎn)跟進(jìn)GAA工藝，Intel官方承諾的“5nm工藝重新奪回領(lǐng)導(dǎo)地位”就不難理解了，因?yàn)镚AA工藝上他們也是比較早跟進(jìn)的。

至于5nm工藝的問(wèn)世時(shí)間，目前還沒(méi)明確的時(shí)間表，但I(xiàn)ntel之前提到7nm之后工藝周期會(huì)回歸以往的2年升級(jí)的節(jié)奏，那就是說(shuō)最快2023年就能見(jiàn)到Intel的5nm工藝。

二、英特爾工藝制程發(fā)展曲折

英特爾CEO表示到，“公司在研發(fā)10nm工藝時(shí)，由于過(guò)于激進(jìn)的性能目標(biāo)，遭遇到不少的困難，導(dǎo)致10nm延遲了多年的時(shí)間，但是今年開(kāi)始已步入正軌，雖然暫時(shí)僅推出筆記本電腦用的10nm處理器，但10nm的產(chǎn)品已開(kāi)始批量生產(chǎn)，并已向制造商交付Ice Lake移動(dòng)處理器?！?/p>

英特爾CEO還補(bǔ)充說(shuō)到，英特爾10nm的制造成品率逐周提高，現(xiàn)在已正式進(jìn)入10nm時(shí)代，與此同時(shí)，英特爾正在改進(jìn)7nm產(chǎn)品的工藝，該工藝將在2021年首次使用7nm數(shù)據(jù)中心GPU上。

英特爾的“盲目”自信不僅讓他錯(cuò)過(guò)了10nm最佳研究時(shí)間，也讓它錯(cuò)失了很多轉(zhuǎn)型機(jī)會(huì)。曾經(jīng)的英特爾擁有CPU市場(chǎng)90%以上的份額，收益頗豐?？沙Ｑ缘馈笆掠欣住?，坐上CPU“王位”的英特爾也因?yàn)樽詽M想要維持現(xiàn)狀，錯(cuò)過(guò)了一些重要機(jī)會(huì)。因此，在AMD等企業(yè)的強(qiáng)勢(shì)追趕下，英特爾逐漸敗下陣來(lái)。

三、臺(tái)積電3nm工藝進(jìn)展順利

臺(tái)積電啟動(dòng)了3nm的研發(fā)與建設(shè)， 如果未來(lái)繼續(xù)遵循摩爾定律發(fā)展，芯片使用成本就不斷增加，2019年三星宣布了一項(xiàng)高達(dá)133萬(wàn)億韓元（約1118億美元）的投資計(jì)劃，目標(biāo)是在2030年成為全球最大的SoC制造商。

臺(tái)積電也不甘示弱，已開(kāi)始建設(shè)新的晶圓廠，投資195億美元，約人民幣1370億，計(jì)劃在2023年量產(chǎn)3nm。

對(duì)比來(lái)看，英特爾面臨的競(jìng)爭(zhēng)壓力不可小覷。但作為一家老牌企業(yè)，技術(shù)工藝雄厚，相信不久將來(lái)仍會(huì)重新做回老大哥。

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