近日國(guó)外咨詢機(jī)構(gòu)YOLE發(fā)布了2020年存儲(chǔ)器行業(yè)現(xiàn)狀調(diào)查報(bào)告，報(bào)告包括以下內(nèi)容：

新增內(nèi)容

分析COVID-19對(duì)獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)的影響：對(duì)需求，位出貨量和CAPEX的影響

考慮到COVID-19的影響以及中國(guó)新參與者的加入，對(duì)NAND和DRAM市場(chǎng)的最新市場(chǎng)預(yù)測(cè)（2019年至2025年）

NOR存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)概述：參與者，增長(zhǎng)動(dòng)力，與密度有關(guān)的應(yīng)用程序，市場(chǎng)份額，ASP，收入等

最新的IDM領(lǐng)先公司的財(cái)務(wù)分析-包括三星，SKhynix，Kioxia，WesternDigital，美光和英特爾

更新了中國(guó)存儲(chǔ)器廠商的清單，并詳細(xì)介紹了他們?cè)贒RAM，NAND，NOR和新興NVM業(yè)務(wù)中的活動(dòng)

鑒于IPO，深入了解Kioxia的NAND業(yè)務(wù)

主要特征

獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)和相關(guān)技術(shù)的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存儲(chǔ)器，NOR，（NV）SRAM，新興的NVM等

描述技術(shù)趨勢(shì)和挑戰(zhàn)，擴(kuò)展路線圖以及獨(dú)立存儲(chǔ)技術(shù)的主要參與者概述

從系統(tǒng)角度分析內(nèi)存市場(chǎng)，詳細(xì)說明服務(wù)器，智能手機(jī)，個(gè)人計(jì)算機(jī)，企業(yè)/客戶端SSD和車輛的當(dāng)前和未來內(nèi)存需求

獨(dú)立存儲(chǔ)器最重要的終端市場(chǎng)概況，即數(shù)據(jù)中心，移動(dòng)，汽車，PC和消費(fèi)類電子產(chǎn)品

介紹存儲(chǔ)設(shè)備的包裝解決方案，并描述新興的包裝技術(shù)和市場(chǎng)趨勢(shì)

嵌入式內(nèi)存技術(shù)概述以及在內(nèi)存計(jì)算應(yīng)用中的進(jìn)展

獨(dú)立內(nèi)存供應(yīng)鏈的映射，近期并購(gòu)和合資企業(yè)的分析，值得注意的新聞清單以及2019-2020年的公司公告

報(bào)告目標(biāo)

提供對(duì)獨(dú)立內(nèi)存技術(shù)和應(yīng)用程序的了解：

具有技術(shù)節(jié)點(diǎn)，產(chǎn)品開發(fā)狀態(tài)，芯片密度，擴(kuò)展挑戰(zhàn)和潛在解決方案的路線圖

關(guān)鍵系統(tǒng)中的內(nèi)存內(nèi)容演進(jìn)：服務(wù)器，智能手機(jī)，個(gè)人計(jì)算機(jī)，車輛，企業(yè)和客戶端SSD

主要內(nèi)存終端市場(chǎng)：數(shù)據(jù)中心，移動(dòng)，汽車，PC和消費(fèi)類電子產(chǎn)品

提供獨(dú)立存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)的市場(chǎng)預(yù)測(cè)：

NOR，（NV）SRAM和其他技術(shù)（包括PCM，MRAM和RRAM）的市場(chǎng)預(yù)測(cè)（2019年至2025年）

NAND和DRAM的市場(chǎng)預(yù)測(cè)（2019年至2025年），其中包括參與者的資本支出，每位價(jià)格，市場(chǎng)份額，位需求，位出貨量，晶圓生產(chǎn)等詳細(xì)信息。

詳細(xì)分析競(jìng)爭(zhēng)格局：

財(cái)務(wù)分析：主要存儲(chǔ)器公司的收入，資本支出，研發(fā)，運(yùn)營(yíng)成本和利潤(rùn)率

最近的并購(gòu)，啟動(dòng)資金和最新的公司新聞

概述

2020年大流行期間，NAND和DRAM將在獨(dú)立存儲(chǔ)市場(chǎng)推動(dòng)新的增長(zhǎng)

在諸如移動(dòng)性，云計(jì)算，人工智能（AI）和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等重要大趨勢(shì)的推動(dòng)下，獨(dú)立內(nèi)存市場(chǎng)在過去十年中經(jīng)歷了驚人的增長(zhǎng)。然而，這一令人興奮的增長(zhǎng)期于2018年第四季度結(jié)束，當(dāng)時(shí)NAND和DRAM市場(chǎng)均因需求疲軟而開始出現(xiàn)供過于求的狀態(tài)。這包括智能手機(jī)銷售低于預(yù)期以及數(shù)據(jù)中心需求放緩。內(nèi)存供應(yīng)商及其OEM客戶的庫(kù)存水平增加，2019年平均銷售價(jià)格（$/Gb）下降超過40％。同時(shí)，DRAM和NAND總收入達(dá)到？106B，比2018年下降34％.2019年，DRAM和NAND資本支出的大幅削減引發(fā)了市場(chǎng)復(fù)蘇，該復(fù)蘇始于2019年底，并一直持續(xù)到2020年。

NAND和DRAM是無處不在的技術(shù)，一起占整個(gè)獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)的96％。因此，它們對(duì)存儲(chǔ)器行業(yè)的整體狀況和動(dòng)態(tài)影響很大。但是，除了NAND？？和DRAM外，還有各種各樣的技術(shù)可以滿足不同終端系統(tǒng)和市場(chǎng)的需求。NOR閃存是第三大市場(chǎng)（2019年約為$2.3B），受到眾多應(yīng)用的推動(dòng)，包括工業(yè)和安全性（例如監(jiān)控?cái)z像頭），消費(fèi)類和汽車電子產(chǎn)品以及電信基礎(chǔ)設(shè)施（例如5G基站）。盡管存在一些季節(jié)性和周期性，但NOR收入預(yù)計(jì)將以4％的CAGR2019-2025增長(zhǎng)。

其他技術(shù)，例如易失性和非易失性（NV）SRAM，鐵電RAM（FRAM）和EEPROM代表著“利基”市場(chǎng)，這些市場(chǎng)是相當(dāng)靜態(tài)的，合計(jì)僅占獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)的約1.5％。

另一方面，新興的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)（例如MRAM，PCM和RRAM）正在存儲(chǔ)級(jí)存儲(chǔ)器（SCM）市場(chǎng)中騰飛。到2025年，他們的合并收入預(yù)計(jì)將達(dá)到約40億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR2019-2025）為40％。在這一領(lǐng)域，由于英特爾的參與，PCM（3DXPoint）將繼續(xù)保持領(lǐng)先地位，直到2025年。英特爾通過OptaneTM非易失性內(nèi)存模塊領(lǐng)導(dǎo)持久性存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)。

中國(guó)新玩家的入駐將改變存儲(chǔ)器市場(chǎng)的格局

在過去的十年中，市場(chǎng)集中度顯著提高，現(xiàn)在已經(jīng)非常高。三個(gè)主要的NAND和DRAM廠商-三星，美光和SKhynix-以及兩個(gè)純NAND廠商Kioxia和WesternDigital一起占據(jù)了獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)的90％左右。預(yù)計(jì)東芝公司將以2020年10月的首次公開募股（IPO）的形式出售其所持有的40.2％的股份，以減輕其子公司KioxiaHoldingsCorporation的負(fù)擔(dān)。但是，美國(guó)最近的限制有所加強(qiáng)（9月）華為（Kioxia的主要客戶之一）于2020年15月15日上市，以及對(duì)第二波COVID-19大流行的擔(dān)憂，可能促使Kioxia的高管推遲了IPO的日期。Kioxia在NAND市場(chǎng)中占有第二高的市場(chǎng)份額，自1980年代后期發(fā)明這項(xiàng)技術(shù)以來，它在業(yè)界一直占有一席之地。Kioxia和WesternDigital的合資企業(yè)擁有業(yè)內(nèi)最高的NAND晶圓產(chǎn)能，但其營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率仍落后于行業(yè)領(lǐng)先者三星。兩家公司選擇采用112層（低于行業(yè)“標(biāo)準(zhǔn)”128層）和160層（相對(duì)于“標(biāo)準(zhǔn)”為176層），以提高工具的可重復(fù)使用性并節(jié)省資金。

在DRAM業(yè)務(wù)中，尋求通過在2019年大幅度削減資本支出（25％–30％）來尋求市場(chǎng)平衡。直到第三季度至19季度，供應(yīng)商都計(jì)劃在2020年再次減少資本支出。三星有望在2020年之前推出基于1z技術(shù)的產(chǎn)品。SK海力士將緊隨其后。

同時(shí)，中國(guó)廠商開始威脅市場(chǎng)均衡，并可能引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)的深刻變化。在NAND業(yè)務(wù)中，揚(yáng)子存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（YMTC）是中國(guó)領(lǐng)先的存儲(chǔ)器制造商。該公司目前正在國(guó)內(nèi)小批量運(yùn)送64LNAND（包括SSD），預(yù)計(jì)在2021年將有128L的產(chǎn)品正在開發(fā)中，并計(jì)劃發(fā)貨。

相比之下，中國(guó)DRAM仍處于技術(shù)開發(fā)階段。DRAM制造非常困難，中國(guó)要與整個(gè)行業(yè)實(shí)現(xiàn)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)等可能需要更長(zhǎng)的時(shí)間。中國(guó)最先進(jìn)的DRAM制造商長(zhǎng)興存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（CXMT）有望在2020年提高1xnm節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)量。

對(duì)于NAND，我們預(yù)計(jì)2021年YMTC的大量產(chǎn)量（？4％）將會(huì)進(jìn)入市場(chǎng)，而DRAM則需要更長(zhǎng)的時(shí)間。

技術(shù)節(jié)點(diǎn)遷移正變得越來越困難和昂貴

NAND和DRAM的可擴(kuò)展性原本應(yīng)該在2020年達(dá)到頂峰，但是存儲(chǔ)器制造商和設(shè)備制造商已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了新的解決方案，可以超越這一限制。新的制造技術(shù)包括自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化，極紫外（EUV）光刻和計(jì)量學(xué)，以及高縱橫比（HAR）蝕刻，以在3DNAND設(shè)備中產(chǎn)生接觸孔。用于異構(gòu)集成的新穎高級(jí)封裝方法（即3D堆棧和2.5D硅中介層）使高帶寬內(nèi)存（HMB）能夠在計(jì)算單元（CPU/GPU）和DRAM之間進(jìn)行快速數(shù)據(jù)傳輸。

所有這些奇異的技術(shù)解決方案為半導(dǎo)體行業(yè)提供了新的機(jī)會(huì)，可以提高下一代存儲(chǔ)設(shè)備的位密度，改善其帶寬并降低其功耗和單位成本。但是，隨著每一代技術(shù)的發(fā)展，比特增長(zhǎng)變得越來越昂貴。例如，隨著每個(gè)節(jié)點(diǎn)的遷移，DRAM中的多圖案要求不斷增加，從而導(dǎo)致了額外的處理步驟，因此每個(gè)生產(chǎn)的晶圓都有更多的潔凈室空間。隨著DRAM的縮小和缺陷可能性的增加，DRAM制造商正在評(píng)估從自對(duì)準(zhǔn)多重圖案轉(zhuǎn)換為EUV光刻的想法。值得注意的是，三星最近宣布在1x節(jié)點(diǎn)上出貨了100萬條使用EUV技術(shù)制造的DDR4DRAM模塊。

利用我們?cè)诖鎯?chǔ)器技術(shù)和相關(guān)市場(chǎng)方面的綜合專業(yè)知識(shí)，Yole推出了第二版的《存儲(chǔ)器行業(yè)現(xiàn)狀》報(bào)告。本報(bào)告旨在提供獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)及其競(jìng)爭(zhēng)格局的最廣泛概述，詳細(xì)介紹獨(dú)立存儲(chǔ)器領(lǐng)域的技術(shù)挑戰(zhàn)，機(jī)遇和趨勢(shì)，包括NAND，DRAM，NOR，（NV）SRAM，新興NVM，以及更多。

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