存儲(chǔ)器一直被看成是半導(dǎo)體行業(yè)的晴雨表，它的表現(xiàn)也影響著整個(gè)市場(chǎng)的枯榮變換。2018年的存儲(chǔ)器行業(yè)在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行，伴隨著技術(shù)上的幾許亮色，邁向了2019年。

從熱火朝天到凜冬將至

2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲(chǔ)器公司(三星、海力士、美光)的財(cái)報(bào)都非常喜人，SK海力士、美光的營(yíng)收規(guī)模均成長(zhǎng)近8成，西部數(shù)據(jù)的營(yíng)收更是增長(zhǎng)了120.2%，就是以NANDFlash為主要產(chǎn)品的東芝，也成長(zhǎng)了29.2%;而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導(dǎo)體營(yíng)收頭把交椅。

整體來(lái)說(shuō)，2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模比2016年成長(zhǎng)22.2%，達(dá)4197.2億美元。根據(jù)Gartner的分析，存儲(chǔ)器的短缺是市場(chǎng)蓬勃發(fā)展的最主要原因。整整2017年全年，DRAM價(jià)格成長(zhǎng)高達(dá)44%，NANDFlash價(jià)格也上漲了17%。尤其是，NANDFlash價(jià)格是有統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)以來(lái)首次呈現(xiàn)上漲的局面。

2018開(kāi)年以后更是延續(xù)了這種良好的態(tài)勢(shì)，數(shù)據(jù)中心、人工智能和汽車(chē)電子等應(yīng)用的成長(zhǎng)，使得整個(gè)市場(chǎng)持續(xù)增溫。以NANDFlash為代表的閃存市場(chǎng)更是快步前進(jìn)。美光公司CEO就表示，存儲(chǔ)器市場(chǎng)已出現(xiàn)典范轉(zhuǎn)型，以智能手機(jī)為中心的移動(dòng)時(shí)代，逐步轉(zhuǎn)入人工智能等驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)時(shí)代。數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)需要搭載大量DRAM及NANDFlash協(xié)助運(yùn)算，存儲(chǔ)器市場(chǎng)可望一路好到2021年。

各大存儲(chǔ)器廠商亦紛紛開(kāi)足馬力，據(jù)福布斯報(bào)道，廠商們都在2017年擴(kuò)大了64層3DNAND存儲(chǔ)器的出貨量，而128層的3DNAND預(yù)計(jì)在2020年就可問(wèn)世，2018年3DNAND將恢復(fù)供應(yīng)量成為市場(chǎng)主流。

世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(WSTS)在2018年初的預(yù)測(cè)報(bào)告中，將2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模(銷(xiāo)售額)自2017年11月預(yù)估的4372.65億美元(年增7.0%)修訂至4634.12億美元(年增12.4%)。其中，存儲(chǔ)器的銷(xiāo)售額預(yù)估將暴增26.5%至1567.86億美元。

就在一片看好的聲音中，一些令人不安的預(yù)兆也出現(xiàn)了。部分存儲(chǔ)器價(jià)格在2018年初出現(xiàn)下滑，導(dǎo)致三星電子當(dāng)期的財(cái)報(bào)預(yù)測(cè)低于預(yù)期。不過(guò)，業(yè)界仍認(rèn)為“這種價(jià)格變化在預(yù)期之內(nèi)，并且對(duì)整體市場(chǎng)發(fā)展有益”。

轉(zhuǎn)折卻在無(wú)聲中到來(lái)了。DRAMeXchange于6月27日發(fā)布了閃存市場(chǎng)分析報(bào)告，稱(chēng)2018下半年，NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)潛力疲軟。報(bào)告指出，由于處于傳統(tǒng)的淡季和產(chǎn)能拉升期，所以在上半年，閃存市場(chǎng)已經(jīng)有連續(xù)兩個(gè)季度的價(jià)格走弱。在這樣的態(tài)勢(shì)下，一些供應(yīng)商甚至?xí)壕徚嗣嫦蚋呙芏却鎯?chǔ)芯片的產(chǎn)能擴(kuò)張，以避免價(jià)格走到崩盤(pán)的局面。

但到了下半年，市場(chǎng)并沒(méi)有好轉(zhuǎn)。在9月6號(hào)，摩根斯坦利分析師ShawnKim就指出，內(nèi)存市況近幾周來(lái)有惡化跡象，DRAM需求逐漸趨疲，庫(kù)存、定價(jià)壓力與日俱增，而NAND型閃存的供給則確實(shí)太多。另一位分析師也指出，智能手機(jī)的購(gòu)買(mǎi)需求難以提升，NAND型閃存的供給過(guò)剩情況最近日益惡化。他估計(jì)下半年智能手機(jī)的出貨表現(xiàn)將相對(duì)疲弱，蘋(píng)果與中國(guó)智能手機(jī)的供應(yīng)鏈前景都不太妙。后來(lái)的市場(chǎng)表現(xiàn)果然應(yīng)驗(yàn)了這種預(yù)測(cè)。目前，對(duì)于2019年的市場(chǎng)，各方都認(rèn)為首季價(jià)格跌幅恐持續(xù)擴(kuò)大，直至第2季中旬才會(huì)趨緩。

從年初的蓬勃發(fā)展到下半年的寒冬，造成市場(chǎng)反轉(zhuǎn)的元兇是什么?從目前的分析來(lái)看，智能手機(jī)銷(xiāo)量的增長(zhǎng)乏力，中美貿(mào)易戰(zhàn)的陰影，還有產(chǎn)能的盲目擴(kuò)張都是重要因素。在新的驅(qū)動(dòng)力沒(méi)有充分發(fā)展起來(lái)之前，市場(chǎng)恐還會(huì)在低位繼續(xù)運(yùn)行。

技術(shù)發(fā)展上仍有亮色

雖然市場(chǎng)起伏過(guò)大，但存儲(chǔ)器的技術(shù)發(fā)展仍未停步，特別是閃存技術(shù)。

今年，閃存開(kāi)始步入QLC時(shí)代。這種變化在手機(jī)上體現(xiàn)最為明顯，上半年，NAND原廠的技術(shù)主要以量產(chǎn)64層TLC(三比特)為主，下半年部分原廠已經(jīng)轉(zhuǎn)為96層TLC或者64層QLC。

QLC閃存每單元可以保存4比特?cái)?shù)據(jù)，相比TLC又多了三分之一，這樣既有利于做大容量，也有利于降低成本，必然是閃存廠商們未來(lái)的重點(diǎn)。

而在容量上，TB時(shí)代也逐步逼近。NAND2D極限容量已從128GB上升到64層512GB，96層會(huì)向512GB過(guò)渡，技術(shù)成熟以后量產(chǎn)到1TB技術(shù)。隨著QLC的量產(chǎn)，即使采用64層QLC也可以量產(chǎn)1T容量。

值得一提的是，國(guó)內(nèi)企業(yè)在閃存技術(shù)上也有突破。存儲(chǔ)器新勢(shì)力長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司就在2018年發(fā)布了自主創(chuàng)新的Xtacking架構(gòu)。該架構(gòu)可用于消費(fèi)級(jí)/企業(yè)級(jí)SSD還有UFS閃存，且實(shí)現(xiàn)了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開(kāi)發(fā)和制造工藝將大幅縮短新一代3DNAND的上市時(shí)間，并使NAND產(chǎn)品定制化成為可能。并且，在一向薄弱的SSD主控芯片領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)企業(yè)今年也有新品問(wèn)世。相信在2019年，這種趨勢(shì)會(huì)延續(xù)下去。

2019年，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器領(lǐng)域最大的突破將是自主研發(fā)的閃存量產(chǎn)，這將為整個(gè)行業(yè)帶來(lái)什么變化，現(xiàn)在仍未可知，但這一定會(huì)提升國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的士氣，為今后的發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)的一步。