單脈沖雪崩擊穿能量(Energy during avalanche for single pulse),即 EAS。指的是MOSFET器件串聯(lián)感性負(fù)載時,在單次脈沖(工作到關(guān)斷)狀態(tài)下,所能承受的最大能量消耗,單位是焦耳(J),其值越大,器件在電路中遭遇瞬間過電壓或過電流情況時越不容易損壞。
2025-05-15 15:32:14
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下面開始今天的正文,看見小小怎么辛苦的份上,滑到底下,給個素質(zhì)三連? 緩存雪崩 緩存雪崩是指在某一個時間段內(nèi),緩存集中過期失效,如果這個時間段內(nèi)有大量請求,而查詢數(shù)據(jù)量巨大,所有的請求都會達到存儲層
2020-10-16 15:22:55
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當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時,會造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。
2023-04-15 17:31:58
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當(dāng)功率器件PN結(jié)的反向電壓增大到某一數(shù)值后,半導(dǎo)體內(nèi)載流子通過碰撞電離開始倍增,這一現(xiàn)象與宏觀世界中高山雪崩是很像的,所以我們稱之為雪崩擊穿。
2023-11-23 16:22:27
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本推文包含兩個部分,一個是雪崩擊穿和碰撞電離的關(guān)系,一個是光電器件仿真簡介。旨在提倡用理論知識去指導(dǎo)仿真,和通過仿真結(jié)果反過來加深對理論理解的重要性。
2023-11-27 18:26:32
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在關(guān)斷狀態(tài)下,功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。
2024-02-23 09:38:53
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當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過極限后,芯片最終會損壞,然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機理并不相同。
2024-02-25 15:48:08
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查詢數(shù)據(jù),獲取數(shù)據(jù)后并加載到緩存;緩存失效:數(shù)據(jù)更新寫到數(shù)據(jù)庫,操作成功后,讓緩存失效,查詢時候再重新加載;緩存穿透:查詢數(shù)據(jù)庫不存在的對象,也就不存在緩存層的命中;緩存擊穿:熱點key在失效的瞬間
2021-01-05 17:57:21
)?! ‘?dāng)二極管受到高反向電壓時,它會經(jīng)歷雪崩擊穿?! 『谋M層上的電場因反向偏置電壓而增加?! ∪肷涔膺M入p+區(qū)域,并在電阻性很強的p區(qū)被進一步吸收。這里形成了電子-空穴對?! ∵@些夫婦的分離是由
2023-02-06 14:15:47
時,此時源端的載流子注入到耗盡層中,被耗盡層中的電場加速達到漏端,因此,穿通擊穿的電流也有急劇增大點,這個電流的急劇增大和雪崩擊穿時電流急劇增大不同,這時的電流相當(dāng)于源襯底PN結(jié)正向?qū)〞r的電流,而
2019-02-12 13:59:28
求大神相助,Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那,當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
高并發(fā)架構(gòu)系列:Redis緩存和MySQL數(shù)據(jù)一致性方案詳解
2019-03-27 15:55:25
在了解雪崩擊穿和齊納擊穿的區(qū)別之前我們還是要先搞懂什么叫擊穿!擊穿就是電介質(zhì)在足夠高的電場強度作用下瞬間失去介電功能的現(xiàn)象。是電介質(zhì)擊穿形式之一。在電場作用下,電介質(zhì)內(nèi)少量自由電子動能增大,當(dāng)電場
2022-03-27 10:15:25
什么是電容擊穿?電容器被擊穿的條件是什么?電容擊穿是開路還是短路?電容擊穿的原因是什么?如何避免介質(zhì)擊穿?
2021-06-18 09:59:11
分立電池檢測解決方案
2021-02-26 08:38:00
有些功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中列出了重復(fù)雪崩電流IAR和重復(fù)雪崩能量EAR,同時標(biāo)注了測量條件,通常有起始溫度25C,最高結(jié)溫150C或者175C,以及電感值、脈沖寬度和脈沖頻率,這些測量的條件
2017-09-22 11:44:39
基于Blackfin的解決方案 針對ADSP-BF706 BLACKFIN+處理器的EVWSS軟件架構(gòu)基于SigmaDSP的解決方案
2021-01-21 06:25:57
業(yè)內(nèi)首個signoff驅(qū)動的PrimeECO解決方案發(fā)布
2020-11-23 14:28:15
使用NVRAM的簡單解決方案
2021-01-13 06:56:35
如何遙開內(nèi)外網(wǎng)穿透的問題 --- MCU做簡單外網(wǎng)代理 上頭要求研究如何讓一個在某一內(nèi)網(wǎng)里的MCU所召開的會議讓外網(wǎng)EP(公網(wǎng)或其他能到達公網(wǎng)的EP)參加進來.我提出了兩個方案:1. 把原有
2021-11-03 06:29:17
`<p> 挖掘mos管被擊穿的原因及解決方案 一、MOS管本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,而少量電荷就可在極間電容上
2018-11-05 14:26:45
發(fā)射端:功率100W內(nèi)用電端:功率0.5W內(nèi)距離:50米內(nèi),有一次墻體穿透能有這種解決方案不?
2015-07-17 14:04:04
非接觸式紅外線測溫儀受外界環(huán)境影響大,現(xiàn)求購能穿透表皮測體內(nèi)溫度的方案或產(chǎn)品。本人QQ764878673
2011-08-10 17:35:12
面試常問,緩存三大問題及解決方案!
2019-06-28 16:41:57
功率MOSFET雪崩擊穿問題分析
摘要:分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因,以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的
2009-07-06 13:49:38
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雪崩擊穿,雪崩擊穿是什么意思
在材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中,當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時,空間電荷區(qū)中的電場隨著增強。這樣,通過空
2010-02-27 11:49:25
3814 MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中,通常包括單脈沖雪崩能量EAS,雪崩
2010-04-26 18:19:13
8880 
2012-08-10 13:26:37
21 基于BCH算法的高速緩存糾檢錯方案研究
2017-01-07 20:32:20
0 雪崩擊穿是在電場作用下,載流子能量增大,不斷與晶體原子相碰,使共價鍵中的電子激發(fā)形成自由電子-空穴對。新產(chǎn)生的載流子又通過碰撞產(chǎn)生自由電子-空穴對,這就是倍增效應(yīng)。1生2,2生4,像雪崩一樣增加載流子。
2018-08-20 09:05:09
22852 半導(dǎo)體中的雪崩效應(yīng)是引起pn結(jié)擊穿的一種機制。加反向偏壓的PN結(jié),其空間電荷區(qū)內(nèi)有很強的電場。
2018-08-20 10:04:18
10995 MOS管為什么會被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?
2019-05-20 17:21:00
36881 使用Redis 哨兵模式或者Redis 集群部署方式,即便個別Redis 節(jié)點下線,整個緩存層依然可以使用。除此之外,還可以在多個機房部署 Redis,這樣即便是機房死機,依然可以實現(xiàn)緩存層的高可用。
2019-09-13 11:37:00
27268 《漲知識啦7》---雪崩擊穿的判斷條件:兩系數(shù),一積分 大家好,上周小賽收到童鞋的留言,不知道怎么判斷器件是否達到雪崩擊穿?那么本周小賽就給大家細致地講解一下如何去判斷雪崩擊穿的條件。各種電子器件
2020-04-07 15:54:16
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緩存的主要手段有:瀏覽器緩存、CDN、反向代理、本地緩存、分布式緩存、數(shù)據(jù)庫緩存。
2020-06-13 12:04:40
5390 設(shè)計一個緩存系統(tǒng),不得不要考慮的問題就是:緩存穿透、緩存擊穿與失效時的雪崩效應(yīng)。 緩存穿透 緩存穿透是指查詢一個一定不存在的數(shù)據(jù),由于緩存是不命中時被動寫的,并且出于容錯考慮,如果從存儲層查不到數(shù)據(jù)
2021-02-08 11:40:00
3460 IGBT關(guān)斷時,如果關(guān)斷過快,di/dt過大會導(dǎo)致Vce電壓過大超過斷態(tài)電壓Uces時就有可能導(dǎo)致靜態(tài)雪崩擊穿。
2021-05-15 14:51:27
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眾所周知,對于傳統(tǒng)的二極管來說,雪崩擊穿是一種常見的由載流子碰撞主導(dǎo)的擊穿方式。然而,除了雪崩擊穿外,還存在另一種造成功率二級管電流瞬間增大的效應(yīng),即齊納擊穿。齊納擊穿是在強電場和隧道效應(yīng)的作用下
2021-06-10 16:11:53
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一些功率半導(dǎo)體器件設(shè)計為在有限時間內(nèi)承受一定量的雪崩電流,因此可以達到雪崩額定值。其他人會在雪崩開始后很快失敗。性能差異源于特定的設(shè)備物理、設(shè)計和制造。
2021-06-23 14:28:22
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在博文 利用LED來作為單光子雪崩檢測器[2] 中介紹了 油管上Robotix的LED單光子現(xiàn)象[3] 。?對于LED反向SPAD效應(yīng)之前沒有注意過,?下面通過實驗來觀察手邊 一些LED反向擊穿過程是否會出現(xiàn)單光子脈沖現(xiàn)象。
2023-01-31 17:29:00
2405 功率器件作為電力電子裝置的核心器件,其在設(shè)計使用過程中的魯棒性能一直是工程師關(guān)心的問題,雪崩能力其中一個很重要的指標(biāo),如何理解雪崩,單次雪崩和重復(fù)雪崩是如何定義的,以及雪崩會帶來哪些危害
2023-02-06 13:54:24
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當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時,就會發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場時,自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導(dǎo)致碰撞電離,從而產(chǎn)生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩
2023-02-13 09:30:07
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今天給大家介紹一下如何在SpringBoot中解決Redis的緩存穿透、緩存擊穿、緩存雪崩的問題。
2023-04-28 11:35:19
1197 解決方案 對空值進行緩存 設(shè)置白名單 使用布隆過濾器 網(wǎng)警 雪崩解決方案 進行預(yù)先的熱門詞匯的設(shè)置,進行key時長的調(diào)整 實時調(diào)整,監(jiān)控哪些數(shù)據(jù)是熱門數(shù)據(jù),實時的調(diào)整key的過期時長 使用鎖機制 擊穿解決方案 進行預(yù)先的熱門詞匯的設(shè)置,進行key時長的調(diào)整 實時調(diào)整,監(jiān)控
2023-05-23 09:54:00
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EAS單脈沖雪崩擊穿能量, EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。以低于Tj(max)為極限。
2023-05-24 09:51:30
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10.1.1碰撞電離和雪崩擊穿10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP
2022-04-02 11:05:59
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01 ? 反 向雪崩擊穿 一、背景介紹 根據(jù) ? Using LED as a Single Photon Detector [1] ?所介紹的紅色LED的單光子雪崩反向擊穿電流效應(yīng), ?在博文
2023-06-30 07:35:04
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就Java而言,其常用的緩存解決方案有很多,例如數(shù)據(jù)庫緩存框架EhCache,分布式緩存Memcached等,這些緩存方案實際上都是為了提升吞吐效率,避免持久層壓力過大。
2023-07-29 11:21:07
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在日常的電源設(shè)計中,半導(dǎo)體開關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計是工程師不得不面對的問題,本文旨在分析半導(dǎo)體器件擊穿原理、失效機制,以及在設(shè)計應(yīng)用中注意事項。
2023-09-19 11:44:38
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電壓(即電子從N型到P型流,空穴從P型到N型流)時,電流開始猛增。反向擊穿的形式有多種,下面將進行詳細介紹。 1. 雪崩擊穿 雪崩擊穿是PN結(jié)的一種常見反向擊穿形式。在PN結(jié)中,正電子和電子在p區(qū)和n區(qū)之間運動,并且它們相互碰撞后會發(fā)生電離
2023-09-21 16:09:47
4366 為什么PN結(jié)的雪崩擊穿和齊納擊穿在溫度升高的情況下,擊穿電壓變化方向相反?? PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最基本的組成部件之一,廣泛應(yīng)用于電力、電信、信息處理等領(lǐng)域。PN結(jié)的雪崩擊穿和齊納擊穿是PN結(jié)失效
2023-09-21 16:09:51
6122 什么是雪崩擊穿?單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩有何不同?雪崩擊穿失效機理是什么? 雪崩擊穿是指在電力系統(tǒng)中,由于過電壓等原因?qū)е陆^緣擊穿,進而引發(fā)設(shè)備失效的一種故障現(xiàn)象。在電力系統(tǒng)中,絕緣是保證設(shè)備正常運行
2023-11-24 14:15:36
4416 何謂PN結(jié)的擊穿特性?雪崩擊穿和齊納擊穿各有何特點? PN結(jié)的擊穿特性是指當(dāng)在PN結(jié)上施加的電壓超過一定的值時,PN結(jié)將發(fā)生擊穿現(xiàn)象,電流迅速增大,導(dǎo)致結(jié)電壓快速降低。擊穿是指在正向或反向電壓
2023-11-24 14:20:27
5307 使用Redis或AmazonElastiCache來作為緩存加速已經(jīng)是業(yè)界主流的解決方案,二者各有什么優(yōu)勢?又有哪些區(qū)別呢?文況速覽:Redis是什么?RedisEnterprise
2023-11-26 08:06:20
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作者最近在開發(fā)公司項目時使用到 Redis 緩存,并在翻看前人代碼時,看到了一種關(guān)于 @Cacheable 注解的自定義緩存有效期的解決方案,感覺比較實用,因此作者自己拓展完善了一番后分享給各位。
2023-11-28 10:44:14
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崩擊穿和齊納擊穿是半導(dǎo)體器件中常見的兩種擊穿現(xiàn)象,它們在物理機制、電壓特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將對這兩種擊穿現(xiàn)象進行詳細的介紹和分析。 一、雪崩擊穿 物理機制 雪崩擊穿是指在高電場作用下
2023-12-30 17:06:00
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緩存預(yù)熱就是系統(tǒng)上線后,提前將相關(guān)的緩存數(shù)據(jù)直接加載到緩存系統(tǒng)。
2023-12-25 09:41:02
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雪崩擊穿(Avalanche Breakdown)是半導(dǎo)體器件中一個關(guān)鍵的物理現(xiàn)象,特別是在PN結(jié)二極管和各種類型的功率晶體管中。當(dāng)這些器件的反向電壓超過一定的臨界值時,會突然有大量電流流過原本
2024-02-23 17:06:03
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雪崩擊穿的概念 如何區(qū)別齊納擊穿和雪崩擊穿 雪崩擊穿是可逆的嗎? 雪崩擊穿是電氣工程領(lǐng)域中的一個重要概念,它是指當(dāng)高壓電力系統(tǒng)中的絕緣體遭受較高電壓的沖擊時,導(dǎo)致電流通過絕緣體并破壞其原本的絕緣性
2024-03-26 16:12:17
5525 雪崩光電二極管是利用PN結(jié)在高反向電壓下產(chǎn)生的雪崩效應(yīng)來工作的一種二極管。
2024-04-09 17:06:03
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電流。但是,故障不是永久性的。當(dāng)這個大的反向偏置被移除時,二極管將恢復(fù)到正常狀態(tài)。二極管的擊穿可以有兩種類型:(a)齊納擊穿和(b)雪崩擊穿。
2024-05-05 14:38:00
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PN結(jié)發(fā)生齊納擊穿是一種特殊的物理現(xiàn)象,它在特定的條件下發(fā)生,允許電流在低于雪崩擊穿電壓的情況下流過PN結(jié)。
2024-05-29 17:33:23
2924 擊穿大致可以分為電擊穿、熱擊穿和局部放電擊穿三類。 一、電擊穿 定義:電擊穿是一個復(fù)雜的電子過程,可以通過本征擊穿理論和“雪崩”擊穿理論等多種描述方法來解釋。本征擊穿理論關(guān)注材料的內(nèi)在特性,而“雪崩”擊穿理
2024-06-09 17:06:00
3843 雪崩耐量是功率器件性能評估的關(guān)鍵指標(biāo),那么什么是雪崩耐量呢?即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時,電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減,此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量,表示施加電壓時的抗擊穿能力
2024-08-15 16:29:45
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雪崩二極管(Avalanche Diode)是一種特殊的二極管,其工作特性主要基于雪崩擊穿效應(yīng)。這種器件在電子領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用,其獨特的特性和作用使其在多種電路設(shè)計中發(fā)揮關(guān)鍵作用。
2024-09-23 18:12:02
3145 功率放大器測試解決方案分享——交流電場薄膜擊穿研究
2024-10-18 08:00:48
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緩存擊穿,Redis中的某個熱點key不存在或者過期,但是此時有大量的用戶訪問該key。比如xxx直播間優(yōu)惠券搶購、xxx商品活動,這時候大量用戶會在某個時間點一同訪問該熱點事件。但是可能
2024-10-23 13:54:09
867 在電子與電氣工程領(lǐng)域,雪崩失效與過壓擊穿是兩種常見的器件失效模式,它們對電路的穩(wěn)定性和可靠性構(gòu)成了嚴(yán)重威脅。盡管這兩種失效模式在本質(zhì)上是不同的,但它們之間存在一定的聯(lián)系和相互影響。本文將深入探討雪崩失效與過壓擊穿的發(fā)生順序、機制、影響因素及預(yù)防措施,為技術(shù)人員提供全面、準(zhǔn)確的技術(shù)指導(dǎo)。
2025-01-30 15:53:00
1271 內(nèi)網(wǎng)穿透技術(shù)憑借其便捷的互聯(lián)互通能力,已成為眾多個人用戶與企業(yè)實現(xiàn)跨網(wǎng)絡(luò)訪問的主流解決方案。相較于傳統(tǒng)專線網(wǎng)絡(luò),內(nèi)網(wǎng)穿透方案無需依賴公網(wǎng)IP資源,部署流程簡單高效,且方案靈活性顯著,能快速適配多樣化
2025-05-13 11:28:04
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無論是個人想要遠程訪問家中的設(shè)備,還是企業(yè)實現(xiàn)高效的遠程辦公與資源共享,內(nèi)網(wǎng)穿透都是關(guān)鍵所在。然而,傳統(tǒng)的內(nèi)網(wǎng)穿透方案卻問題重重,企業(yè)急需新的選擇。 1. 傳統(tǒng)方案 ① 公網(wǎng)IP:成本高、風(fēng)險
2025-05-15 14:14:07
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在內(nèi)網(wǎng)穿透部署中,哪怕是老手也可能踩坑!今天整理了6大高頻錯誤場景+實戰(zhàn)解決方案,幫你少走彎路,效率翻倍 1.端口映射失?。涸L問顯示「連接超時」 ?錯誤原因: 本地服務(wù)未啟動或端口被占用 防火墻
2025-05-20 12:14:48
607 用戶瘋狂查詢數(shù)據(jù)庫中不存在的數(shù)據(jù),每次查詢都繞過緩存直接打到數(shù)據(jù)庫,導(dǎo)致數(shù)據(jù)庫壓力驟增。
2025-08-20 16:24:14
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