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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>2021存儲行業(yè)營收概況 非易失性存儲表現(xiàn)亮眼

2021存儲行業(yè)營收概況 非易失性存儲表現(xiàn)亮眼

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2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 硅晶圓廠商財(cái)報(bào)

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2018-04-09 15:45:33113864

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首款對數(shù)據(jù)存儲的單芯片存儲技術(shù)——FRAM

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2019-04-21 09:53:041812

可重復(fù)編程FPGA解決方案的應(yīng)用

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2019-06-16 09:48:472069

全球存儲芯片市場已高度集中甚至壟斷,存儲芯片國產(chǎn)化之路勢在必行

存儲器的核心是存儲芯片。以斷電后數(shù)據(jù)是否丟失為劃分依據(jù),存儲芯片可分為“芯片”和“芯片”兩大類。
2020-03-22 09:59:0011032

如何用存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來云存儲解決方案

在2019全球閃存峰會上,Everspin作為MRAM存儲芯片供應(yīng)商分享如何用MRAM這類存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質(zhì)有
2020-07-10 14:19:201190

為大家詳細(xì)介紹關(guān)于FRAM中的預(yù)充電操作

鐵電存儲器(FRAM)是一種隨機(jī)存取存儲器,是一種特殊工藝的存儲器,它將DRAM的快速讀取和寫入訪問,它是個(gè)人電腦存儲中最常用的類型,與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣
2020-08-18 15:22:321189

關(guān)于NV-SRAM的簡介,它的用途是什么

盡管閃存和其他存儲技術(shù)已廣泛用于實(shí)現(xiàn)嵌入式文件系統(tǒng),但對于某些嵌入式應(yīng)用程序來說可能太復(fù)雜了。在許多情況下的內(nèi)存可以最有效地用作已預(yù)先初始化的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。這種方法需要對數(shù)據(jù)完整進(jìn)行某種管理
2020-09-11 16:09:322230

FRAM器件提供存儲

FRAM器件提供存儲,用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件,工程師們可以放心地在他們盡管間歇的斷電操作
2020-09-19 11:56:482340

MRAM是一種的磁性隨機(jī)存儲器,它有什么優(yōu)點(diǎn)

MRAM是一種的磁性隨機(jī)存儲器。所謂是指掉電后﹐仍可以保持存儲內(nèi)容完整,此功能與Flash閃存相同;而隨機(jī)存取是指處理器讀取資料時(shí),不定要從頭開始,隨時(shí)都可用相同的速率,從內(nèi)存的任何
2020-09-21 13:50:343890

MRAM是一種的磁性隨機(jī)存儲器,其原理是怎樣的

MRAM是一種的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力,以及DRAM的高集成度,基本上可以無限次地重復(fù)寫入。專注于代理銷售MRAM芯片等存儲芯片供應(yīng)商英尚微電子詳細(xì)介紹關(guān)于MRAM
2020-10-21 14:32:592572

MRAM存儲器在各級高速緩存中的應(yīng)用

磁阻式隨機(jī)存儲器MRAM是一種新型存儲器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲系統(tǒng)中。同時(shí)MRAM存儲器也應(yīng)用于各級高速緩存
2020-11-09 16:46:481077

NVSRAM存儲器的詳細(xì)講解

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NVSRAM存儲器的詳細(xì)講解.pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-25 11:12:0026

關(guān)于存儲器SRAM基礎(chǔ)知識的介紹

存儲概況 存儲器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,主要是用來存放程序和數(shù)據(jù)。存儲器按存儲特性可分為失和易兩大類。目前常見的多為半導(dǎo)體存儲器。 非易失性存儲存儲器是指在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然
2020-12-07 14:26:136411

關(guān)于0.13μmFRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能

內(nèi)存耐久度指定為存儲單元可以寫入或擦除的次數(shù)。對于盡管嚴(yán)格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整的應(yīng)用程序,內(nèi)存耐用是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計(jì)考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速,和低功耗
2020-12-22 15:20:05794

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)存儲

富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲
2021-04-08 15:42:021621

F-RAM存儲技術(shù)優(yōu)勢與安全氣囊設(shè)計(jì)資料下載

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供F-RAM存儲技術(shù)優(yōu)勢與安全氣囊設(shè)計(jì)資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-17 08:47:555

ADM1166:帶余量控制和故障記錄的超級序列器

ADM1166:帶余量控制和故障記錄的超級序列器
2021-04-24 12:29:412

富士通的鐵電存儲器FRAM有著廣泛的應(yīng)用

富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠鐵電存儲器FRAM, 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開始研發(fā)FRAM存儲器,F(xiàn)RAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:161154

串口MRAM存儲器MR25H256CDF概述及特征

MRAM是一種存儲技術(shù),可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用。基于MRAM的設(shè)備可以為“黑匣子”應(yīng)用提供解決方案,因?yàn)樗許RAM
2021-06-23 16:16:261347

64Kbit鐵電存儲器FM25640B的功能及特征

低功耗設(shè)計(jì)的植入人體的增強(qiáng)生命的患者監(jiān)護(hù)設(shè)備,小尺寸內(nèi)存,賽普拉斯FRAM 提供即時(shí)和幾乎無限的耐用,而不會影響速度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit鐵電存儲器FM25640B。
2021-06-30 15:42:462413

存儲器MRAM芯片MR25H10CDC介紹

Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久和應(yīng)用的市場和應(yīng)用。Everspin MRAM應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和云存儲、汽車和運(yùn)輸市場。MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力——能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲存儲器的密度與 SRAM 的速度相結(jié)合,同時(shí)具有和節(jié)能
2021-08-17 16:26:192880

[ESP8266學(xué)習(xí)筆記]components_nvs 存儲 Non-Volatile Storage(NVS),保存數(shù)據(jù)到flash

[ESP8266學(xué)習(xí)筆記]components_nvs 存儲 Non-Volatile Storage(NVS),保存數(shù)據(jù)到flash
2021-12-02 12:51:1111

存儲芯片領(lǐng)先企業(yè)東芯半導(dǎo)體2021年業(yè)績暴漲

2021年全球半導(dǎo)體市場回暖向好,市場需求旺盛,作為國內(nèi)存儲芯片的領(lǐng)先企業(yè),東芯半導(dǎo)體2021業(yè)績表現(xiàn)非常
2022-04-26 08:16:243426

恒工精密:逐年提升,業(yè)績表現(xiàn)

恒工精密披露,2019年、2020年與2021年公司分別為4.16億元、5.28億元、8.78億元,逐年提升。 能交出如此的業(yè)績報(bào)告,離不開恒工精密穩(wěn)定的客戶基礎(chǔ)與長期向好的行業(yè)背景
2022-09-28 10:45:14636

全面解析“半導(dǎo)體存儲”的技術(shù)

半導(dǎo)體存儲器也是一個(gè)大類,它還可以進(jìn)一步劃分,主要分為:(VM)存儲器與(NVM)存儲器。
2022-10-28 11:25:281801

AN4808_STM32L0和STM32L1系列微控制器上不干擾代碼執(zhí)行寫存儲

AN4808_STM32L0和STM32L1系列微控制器上不干擾代碼執(zhí)行寫存儲
2022-11-21 17:06:490

存儲器(VM)

在過去幾十年內(nèi),存儲器沒有特別大的變化,主要分為DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫,RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:464852

STT-MRAM存儲器特點(diǎn)及應(yīng)用

STT-MRAM隨機(jī)存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久、單字節(jié)訪問的工作,也可以像ROM/Flash一樣揮發(fā)性,保留時(shí)間長的存儲。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582187

簡單的門控

作為使用PAL、GAL或CPLD器件實(shí)現(xiàn)門控功能的替代方案,這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器(MAX5427或MAX5527)存儲門控信號(模塊或發(fā)送)。
2023-01-12 11:30:521731

Netsol存儲Parallel STT-MRAM系列

英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有特性和幾乎無限的耐用。對于需要快速存儲和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說,這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器??商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和特性。
2023-02-23 14:52:55585

Netsol MRAM存儲芯片是數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用的優(yōu)選

因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù),內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久。英尚微提供的存儲芯片NETSOL MRAM的主要優(yōu)勢包括:與SRAM不同,無需電壓控制器、電池及電池插座;與nvSRAM不同,無需電容器;寫入速度快;近乎無限的耐用(100兆次的寫入次數(shù));斷電即時(shí)數(shù)據(jù)備份。
2023-03-22 14:41:071090

Netsol并口STT-MRAM存儲S3R8016

其數(shù)據(jù)始終是非的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的和幾乎無限的續(xù)航特性,它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39882

閾值轉(zhuǎn)變憶阻器:AIoT時(shí)代的新興推動者

選通管(Selector)。為了抑制交叉存儲陣列的漏電流問題,往往引入選通管與存儲單元集成設(shè)計(jì)。相比于性器件,憶阻器作為選通管時(shí),不需要額外的復(fù)位操作,簡化了外圍電路的設(shè)計(jì),有助于存儲芯片的高密度集成;
2023-06-02 14:43:374554

使用XOD訪問ESP32存儲

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2023-06-15 14:35:410

回顧存儲器發(fā)展史

存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧存儲器的發(fā)展歷程。存儲器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時(shí)將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:282450

基于C8051F340的大容量數(shù)據(jù)存儲方案

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于C8051F340的大容量數(shù)據(jù)存儲方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-18 11:02:571

中芯國際獲存儲裝置及其制作方法專利

該專利涉及一種新型存儲裝置及其制作工藝。具體而言,其步驟如下:首先,制備包含器件區(qū)與器件區(qū)的基底;接著,在基底上依次沉積第一電極材料層及絕緣材料層;然后,在絕緣材料層上形成犧牲層,該層覆蓋器件區(qū)并露出器件區(qū);
2024-05-06 10:33:02886

韓企存儲芯片在華熱銷,翻倍增長

2024年上半年,韓國存儲芯片巨頭三星電子與SK海力士在中國市場的表現(xiàn)極為均實(shí)現(xiàn)了超過100%的顯著增長。這一驕人成績主要得益于全球存儲芯片市場需求的強(qiáng)勁復(fù)蘇以及產(chǎn)品價(jià)格的持續(xù)上揚(yáng)。
2024-09-09 17:58:501395

字節(jié)跳動上半年穩(wěn)健增長,國際業(yè)務(wù)表現(xiàn)

領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 值得注意的是,字節(jié)跳動在國際市場上的表現(xiàn)尤為。上半年,其國際增長超過了60%,遠(yuǎn)超公司整體的增長速度。這一增長主要得益于字節(jié)跳動在海外市場的一系列成功布局和拓展,包括TikTok(抖音國際版)等產(chǎn)品的快速
2024-11-05 14:55:471606

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