據(jù)Digitimes最新報道，隨著生成式AI帶動高帶寬存儲器（HBM）及DDR5需求暴增，存儲器原廠集體減產(chǎn)動作將進入尾聲。供應鏈指出，由于新制程升級帶來產(chǎn)出單位面積減損及HBM需求上修，原廠產(chǎn)能利用率重回九成。

與此同時，存儲器價格漲勢有望持續(xù)，DRAM及NAND Wafer現(xiàn)貨市場價格漲勢較為趨緩，漲幅呈現(xiàn)收斂。存儲器業(yè)界認為，3月市場價格仍將延續(xù)上漲行情，DDR4/LPDDR4價格可望逐月調(diào)漲。

AI成了存儲市場的最大增量。開源證券表示，搭載容量方面，隨著AI在各類領域的應用延伸，手機、服務器、PC中DRAM和NAND單機平均搭載容量均有增長，其中，服務器領域增長幅度最高，ServerDRAM和Enterprise SSD單機平均容量預估分別年增17.3%/13.2%。

供給方面，隨著需求的增長，三星、SK海力士及美光全面調(diào)升上半年稼動率。集微網(wǎng)報道，原廠的稼動率及資本支出的上修，主要是反映去庫存完成，而自2023年第四季起，手機及PC需求轉(zhuǎn)佳，加上AI崛起帶動搭載AI的終端產(chǎn)品陸續(xù)上市，下游需求逐步上升。預計三大供應商減產(chǎn)將持續(xù)至2024年中，且資本支出和產(chǎn)出將聚焦于利潤較佳的高端產(chǎn)品如高頻寬存儲（HBM）和DDR5。

回顧主流存儲產(chǎn)品的價格趨勢，DRAM/NAND價格分別從2021Q4/2022Q3開始下跌，連跌數(shù)季，分別于2023Q4和2023Q3起回漲，目前正處于新一輪上行周期當中。

展望2024全年，集邦咨詢認為DRAM和NAND價格有望連續(xù)四季看漲，預測2024Q1-Q4DRAM季漲幅中值分別為15.5%/5.5%/10.5%/10.5%、NAND季漲幅中值分別為20.5%/5.5%/10.5%/2.5%。

接下來存儲市場會一帆風順嗎？

盡管在Digitimes的報道中，業(yè)界給出了樂觀的大勢預判，但細分來看，存儲行業(yè)各產(chǎn)品線區(qū)別較大，且均存在終端需求修復不及預期的擔憂。

據(jù)德邦證券最新的價格跟蹤報告，上周（2月26日-3月3日），DRAM顆粒價格短期調(diào)整，供應商賣壓加劇；而NAND價格上漲，部分產(chǎn)品（高容量eMMC及特定SSD）仍有固定需求支撐。

該機構表示，雖然DRAM原廠控貨與上調(diào)官價，但仍因終端需求未能好轉(zhuǎn)而停滯，模組表現(xiàn)亦是相同?，F(xiàn)貨市場整體呈現(xiàn)觀望氛圍，仍需關注后續(xù)終端需求變化情況。

對于目前市況更好的NAND產(chǎn)品，德邦證券表示，適逢月底月初交際，需求動能雖有陸續(xù)恢復，但因市場報價仍是相對偏高，整體終端需求修復或不如預期。

另一個問題在于，與服務器市場一樣，存儲市場存在“兩級市況”，與AI有關的存儲產(chǎn)品成為公司主要業(yè)績驅(qū)動力，原廠聚焦HBM及DDR5需求方面，其他存儲產(chǎn)品依舊缺乏增長動能。

不過，從整體半導體市場來看，存儲器仍將是推動行業(yè)回暖的重要角色。據(jù)TechInsights預計，2024年IC銷售額將增長近24%。這一變化的主要驅(qū)動因素是內(nèi)存，其銷售額從之前預測的41%更新到71%。由于有限的供應和不斷改善的需求，內(nèi)存定價比預期的要高得多。庫存方面，電子OEM庫存繼續(xù)下降，庫銷比在2023年Q4至歷史平均水平以下，這表明已經(jīng)回到健康水平。

審核編輯：黃飛

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