科高通一樣生產(chǎn)銷售手機芯片。據(jù)外媒最新消息，三星電子4月4日對外發(fā)布了多款手機5G芯片，作為5G商用的通信解決方案。該公司也表示芯片已經(jīng)開始投入量產(chǎn)。 據(jù)國外媒體報道，本周五，三星電子計劃配合韓國運營商，在韓國發(fā)售全世界
2019-04-04 18:47:48
7085 1月7日消息，三星電子已開始批量生產(chǎn)基于極紫外（EUV）技術的6nm（nm）半導體芯片。該公司自開始大規(guī)模生產(chǎn)7nm產(chǎn)品以來，僅在八個月內(nèi)就推出了6nm產(chǎn)品。三星的微加工工藝技術升級周期正在縮短
2020-01-07 12:03:104766 在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程競局, 三星電子(Samsung Electronics)，近期宣布32奈米制程TLC芯片量產(chǎn)，一舉領先目前停留在43奈米制程的東芝，至于英特爾(Intel)和美光(Micron)亦宣布TLC芯片將于2009年底量產(chǎn)。
2011-01-26 22:22:052677 三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品，2015年8月正式量產(chǎn)首款可應用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 電子發(fā)燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 三星官方宣布，已經(jīng)開始進行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產(chǎn)工作。據(jù)悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，機器采購自荷蘭ASML(阿斯麥)，型號為雙工件臺NXE:3400B(光源功率280W)，日產(chǎn)能1500片。
2018-10-18 09:48:281528 三星推出0.64?像素ISOCELL JN1目前，0.64?是三星量產(chǎn)的圖像傳感器中的最小像素尺寸。
2021-06-10 10:26:483109 
` 本帖最后由 lzr858585 于 2016-10-28 16:24 編輯
前幾天三星在推出專供國內(nèi)市場的GALAXY C9 Pro，現(xiàn)在又似乎準備開始著手更新GALAXY A系列新品。今天
2016-10-28 16:05:54
三星大中華區(qū)首席技術官裵容徹先生表示，三星不斷進行技術創(chuàng)新，新一代的QLC產(chǎn)品成本可以降低60%，同時還推出了容量高達1Tb的V-NAND技術，速度將會達到1200Mbps。在市場應用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當?shù)貢r間17日報道稱，自 1z nm 時期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。三星試圖通過適當放寬線寬等
2025-04-18 10:52:53
三星電機與三星電子聯(lián)手成立任務編組團隊投入研發(fā)，最近推出Galaxy Watch的應用處理器(AP)，便是使用FO-PLP的技術。該AP是2018年6月開始量產(chǎn)，這個技術目前尚無其他案例，是否有其他
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產(chǎn)品和服務信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
觀點：蘋果與三星這場“世紀專利大戰(zhàn)”的硝煙看似早已漸去，實際上這兩家公司在全球各地的法院展開的專利大戰(zhàn)還未了結，雙方又開始醞釀一場新的戰(zhàn)斗。而且，三星MAX3232EUE+T 推出新的平面廣告
2012-10-09 16:39:58
隨機存儲器，DynamicRandomAccessMemory)VLSI芯片，并因此成為世界半導體產(chǎn)品領導者。在此之前，三星只是為本國市場生產(chǎn)半導體。 在八十年代中期，三星開始進入系統(tǒng)開發(fā)業(yè)務領域，在
2019-04-24 17:17:53
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">三星公司表示：“就如同Nike一樣，廣告也將會根據(jù)產(chǎn)品所連接的生活方式而進行改變。” 最近，三星高管已經(jīng)停止使用舊的名片，并接到通知讓其等到明年1月，或將更改成新的名片。自去年開始，三星正在試圖將其
2012-11-05 16:22:13
GPIO前的準備工作是什么？
2022-02-10 07:11:39
SPC58系列芯片的開發(fā)準備工作因為工作的需要，重新?lián)炱鹩布颓度胧介_發(fā)的工作。面對的是ST的SPC58NE芯片。準備工作如下：
2021-12-23 07:33:09
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2020-12-01 17:34:19
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2021-09-03 19:23:00
跡可循。 在2002年開啟MRAM研發(fā)工作后，三星在2005年又率先開始了STT-MRAM的研發(fā)，該技術后來被證明可以滿足高性能計算領域對最后一級緩存的性能要求，被認為是MRAM突破利基市場的利器
2023-03-21 15:03:00
利潤率。資料圖三星電子股價在周五開盤后不久旋即觸及274萬韓元的新高，因寄望內(nèi)存芯片需求日益增加，2017年獲利可望創(chuàng)紀錄?！皟?nèi)存芯片已經(jīng)進入一個美麗新世界。供應增加的速度已大大放慢，同時需求超出預期
2017-10-13 16:56:04
華為三星蘋果高通的差異買IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
年收購電子芯片，收購電子IC，收購DDR ,收購集成電路芯片，收購內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
，計劃將合作范圍自現(xiàn)行的液晶面板事業(yè)擴大至事務機事業(yè)。據(jù)報導，夏普計劃以OEM的形式提供事務機給三星(即為三星代工生產(chǎn)掛上三星品牌的事務機產(chǎn)品)，且為加強彼此的合作關系，三星也可能對夏普進行追加
2013-08-05 14:19:28
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2021-04-14 19:04:16
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2021-03-10 17:45:41
你好，我創(chuàng)建了我的“BLE應用程序”，比如“FunMe”示例。我有很大的問題，因為我的應用程序返回GATT錯誤0x85與三星S5，而三星S4工作良好。我該怎么解決呢？有特定的設置嗎？最好的問候阿爾貝托
2019-11-01 10:16:37
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手冊說有Unique ID可以用，但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區(qū)域，可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02
` 【PConline 資訊】12英寸的平板真的會推出么？前段時間業(yè)內(nèi)人士的預測引來無數(shù)猜想。近日，taiwan《Digitimes (電子時報)》引述計算機產(chǎn)業(yè)上游供應鏈消息稱，蘋果和三星均在計劃
2013-10-29 10:18:00
DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎？
2019-08-05 22:52:59
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2021-07-06 19:32:41
`請問高速PCB設計前期的準備工作有哪些？`
2020-04-08 16:32:20
三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700 三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達64GB
2010-01-14 17:00:041005 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 3月7日消息，雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者，但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領跑者，并且其優(yōu)勢在不斷擴大。
2017-03-07 15:53:451726 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質量驗證工作，即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12883 做為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商，三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外，位于華城市的半導體生產(chǎn)線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元，將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時，三星還計劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。
2017-07-04 15:57:301192 世界第一大智能手機生產(chǎn)商，三星也在進行AI技術的探索，它們先是推出了語音助手Bixby，現(xiàn)在則開始從芯片著手了。
2017-09-26 08:43:05648 在去年三星電信設備營收得到了很大的漲幅，更是刺激了三星持續(xù)投入電信設備業(yè)務，三星一直將華為最為強勁的競爭對手，5G網(wǎng)絡的建設剛好給三星提供機會，據(jù)悉，三星計劃將在2019年量產(chǎn)5G芯片。
2018-01-19 11:47:561048 集微網(wǎng)消息，據(jù)彭博援引韓國新聞網(wǎng)站The Bell消息，三星電子已和一家從事比特幣挖礦的企業(yè)簽訂協(xié)議，并從本月起開始生產(chǎn)用于比特幣挖礦的芯片。 該公司指出，三星在去年已經(jīng)完成用于比特幣挖礦所需
2018-02-21 14:01:00806 三星電子準備調整鑄造技術藍圖，2019年下半年開始量產(chǎn)6納米芯片。按照原來的計劃，三星本打算在2019年試產(chǎn)6納米芯片。在7納米技術上，三星落后于臺積電，現(xiàn)在它想在6納米技術上加速前進。
2018-03-14 16:41:425956 為實現(xiàn)更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進入64層TLC時代，展望2019年，三星（Samsung）、東芝
2018-06-11 09:16:004985 三星電子(Samsung Electronics)計劃于2021年量產(chǎn)FinFET電晶體架構的后繼產(chǎn)品——采用3nm制程節(jié)點的環(huán)繞式閘極(gate-all-around；GAA)電晶體。
2018-05-30 11:37:135440 三星電子今天宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動設備。據(jù)介紹，三星512GB eUFS采用了三個三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 根據(jù)韓國媒體ET News于28日的報道，在明年初旗下首款可折疊智能手機上市之前，三星目前已在準備對其使用的顯示屏進行量產(chǎn)，而量產(chǎn)工作將在今年夏天正式開始。
2018-07-02 16:19:00820 三星終于宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND存儲芯片，聲稱其堆疊層數(shù)超過90層，可能指的是其96層，制造生產(chǎn)率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:002032 據(jù)外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 很顯然從今年開始，廠商們都開始將目光轉向了QLC閃存，之前Intel就已經(jīng)推出了首款搭載QLC閃存的SSD，而現(xiàn)在三星也正式宣布量產(chǎn)首款搭載QLC閃存的SSD，這些SSD從1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三種規(guī)格。
2018-08-07 17:00:031358 傳三星首款 AMOLED 可摺疊手機spec與量產(chǎn)計劃曝光，項目命名「Winner」三星計劃推出可摺疊手機的
2018-09-15 11:15:025068 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:471294 三星宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)該公司的5G芯片，涵蓋調制解調器芯片Exynos Modem 5100、無線射頻收發(fā)芯片Exynos RF 5500，以及電源控制芯片Exynos SM 5800，這3款芯片皆同
2019-04-09 17:19:035189 SK海力士宣布已向主要SSD（固態(tài)硬盤）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND樣品，并開發(fā)了自己的QLC軟件算法和控制器，計劃擴大基于96層1Tb QLC 4D NAND的組合產(chǎn)品。
2019-07-25 15:08:544098 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-03 10:38:04981 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-09 16:05:251778 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 現(xiàn)在，UFS 3.0芯片已經(jīng)成為旗艦機的標配，不過未來我們在旗艦機上或許還能看到速度更快的芯片。今天，三星電子正式宣布已開始量產(chǎn)業(yè)界首款用于旗艦機的512GB eUFS 3.1芯片，與此前的三星eUFS 3.0芯片相比，eUFS 3.1芯片的寫入速度是以前的三倍。
2020-03-17 14:46:253396 盡管新冠疫情仍存在影響，三星 （Samsung） 已按計劃啟動了其位于中國西安的新閃存工廠，開始量產(chǎn)閃存晶圓。
2020-03-25 11:43:563552 繼三星去年實現(xiàn)量產(chǎn)128層第六代NAND閃存芯片后，又在兩個月前宣布將完成160層第七代NAND閃存芯片的開發(fā)，目前看來三星已經(jīng)將對手遠遠甩在身后。
2020-06-18 16:06:512328 據(jù)相關報道稱，三星Display將于2021年開始量產(chǎn)QD-OLED面板，并計劃在2季度進行正式生產(chǎn)，目前，三星正在為QD-OLED面板的產(chǎn)能擴充，這為后續(xù)降低成本做好鋪墊。
2020-07-29 11:50:311132 11 月 19 日消息，據(jù)國外媒體報道，三星電子正在奮力趕超臺積電，計劃在 2022 年量產(chǎn) 3 納米芯片。 三星電子高管 Park Jae-hong 最近在一次活動中表示，公司已定下目標，在
2020-11-19 11:39:071911 前兩天有媒體報道華為P50系列會如期發(fā)布，原因是來自于韓媒的消息三星、LG兩大面板生產(chǎn)商已經(jīng)開始著手為華為P50系列提供屏幕做生產(chǎn)前的準備。至于這個消息是真是假，目前還無法查證。但對于國內(nèi)的消費者來講當然希望這一切都是真的。
2020-11-25 16:45:142024 11月19日消息，據(jù)國外媒體報道，三星電子正在奮力趕超臺積電，計劃在2022年量產(chǎn)3納米芯片。三星電子高管Park Jae-hong最近在一次活動中表示，公司已定下目標，在2022年量產(chǎn)3納米芯片
2020-11-30 11:26:532651 據(jù)Korea IT News報道，三星電子已經(jīng)開始進行巨額半導體投資，總價值達317億美元。該公司最近開始對其在中國的NAND閃存工廠和在韓國的DRAM工廠進行投資。 據(jù)報道，除NAND閃存
2021-01-29 09:05:242367 三星電子宣布，已經(jīng)開始量產(chǎn)該公司迄今為止最為先進的數(shù)據(jù)中心SSD，型號為“PM9A3”。
2021-02-25 09:54:362336 三星電子宣布，已經(jīng)開始量產(chǎn)該公司迄今為止最為先進的數(shù)據(jù)中心SSD，型號為“PM9A3”。
2021-02-25 10:25:202349 眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競爭對手開始表現(xiàn)出更好的工藝，它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術能力。
2021-02-26 15:49:373205 日前，三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息，今天上午，三星官方宣布已經(jīng)開始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱，其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經(jīng)在韓國華城工廠開始量產(chǎn)。 現(xiàn)在全球
2022-06-30 16:36:272953 根據(jù)外媒的消息報道稱，三星電子公司近日正式宣布已開始量產(chǎn)3納米芯片，三星電子正押注于將 GAA 技術應用于3 納米工藝，并且計劃于2025年量產(chǎn)基于GAA的2nm芯片，以追趕臺積電。
2022-07-04 09:34:041906 和2022年度三星內(nèi)存技術日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。 三星電子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361624 三星已經(jīng)訂出第三季量產(chǎn)89英寸Micro LED電視的計劃，將于本月開發(fā)審議，下個月試產(chǎn)，到第三季全面量產(chǎn)。
2023-01-07 10:39:531098 外媒在報道中提到，根據(jù)公布的計劃，三星電子將在2025年開始，采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動設備應用所需的芯片，2026年開始量產(chǎn)高性能計算設備的芯片，2027年則是利用2nm制程工藝開始量產(chǎn)汽車所需的芯片。
2023-06-30 16:55:071259 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:293142 三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開始。
2023-07-20 11:20:003104 
三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中，由于市場持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲器減產(chǎn)計劃。
2023-08-16 10:23:581255 最近，三星集團援引業(yè)界有關負責人的話表示，計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 三星業(yè)績近期表現(xiàn)非常差，三星為了增強NAND閃存競爭力計劃在2024年升級其NAND核心設備供應鏈。
2023-08-30 16:10:02863 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道，三星原計劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540 三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個。第一，在nand閃存市場尚未出現(xiàn)恢復跡象的情況下，在nand閃存市場保持世界領先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導體景氣低迷的影響，三星nand的銷量增加，從而使虧損擴大。
2023-10-16 14:36:001975 10月19日，韓國三星電子在德國慕尼黑舉辦了名為「三星代工論壇2023」的活動。在這個活動上，三星電子以霸氣十足的姿態(tài)公布了其芯片制造的先進工藝路線圖和代工戰(zhàn)略，宣稱將在未來3年內(nèi)量產(chǎn)2納米
2023-11-01 15:07:53988 
據(jù)業(yè)界2日透露，三星電子計劃對中國西安nand閃存工廠進行改造，將目前正在生產(chǎn)的128段（v6） nand閃存生產(chǎn)線擴大到236段（v8）。三星決定從明年初開始更換設備，并向業(yè)界通報了到2025年分階段完成的目標。
2023-11-03 11:48:032419 三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術。
2024-02-01 10:35:311299 三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995 據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司預計將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。
2024-04-18 09:49:201500 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 美光科技近期宣布，其創(chuàng)新的232層QLC NAND芯片已成功實現(xiàn)量產(chǎn)并已開始出貨。這一里程碑式的成就標志著美光在NAND技術領域再次取得了顯著進步，鞏固了其在全球存儲解決方案市場的領導地位。
2024-04-29 10:36:341553 三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標志著三星在存儲技術領域的持續(xù)領先，也預示著數(shù)據(jù)存儲市場即將迎來一場革命性的變革。
2024-09-12 16:27:311108 三星電子在NAND閃存技術領域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品，集成了多項前沿技術突破，標志著數(shù)據(jù)存儲性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構的QLC V-NAND，通過創(chuàng)新的通道孔蝕刻技術，實現(xiàn)了業(yè)界領先的單元層數(shù)，為各類AI應用提供了前所未有的內(nèi)存解決方案。
2024-09-23 14:53:521479 近日，三星電子被曝出計劃對其芯片高管職位進行大幅削減，并著手重組半導體相關業(yè)務。據(jù)相關消息稱，三星電子正在對其設備解決方案（DS）部門下的內(nèi)存部門進行嚴格的審計，該部門主要負責監(jiān)管公司的半導體業(yè)務。
2024-10-11 15:56:26833 在近日舉行的韓國半導體展覽會上，三星公司宣布了一項重要技術突破：其技術團隊已順利完成硅電容器的量產(chǎn)準備工作。這一成果標志著三星在先進半導體領域取得了顯著進展，預示著半導體技術的新一輪革新。
2024-10-28 16:59:03961 近日，據(jù)供應鏈消息，三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對NAND閃存進行減產(chǎn)，并預計根據(jù)市場狀況分階段實施。
2024-10-30 16:18:46970 近日，三星顯示在第三季度業(yè)績的電話會議上透露了其8.6代OLED產(chǎn)線的最新進展。公司表示，面向IT領域的8.6代OLED產(chǎn)線的主要設備已經(jīng)完成，目前正按計劃進行，原計劃于2026年實現(xiàn)量產(chǎn)。然而，據(jù)最新媒體報道，三星顯示已決定將這一量產(chǎn)時間表提前至最早2025年底。
2024-11-05 17:00:182240 三星半導體部門宣布已成功開發(fā)出名為S3SSE2A的抗量子芯片，目前正積極準備樣品發(fā)貨。這一創(chuàng)新的芯片專門設計用以保護移動設備中的關鍵數(shù)據(jù)，用以抵御量子計算可能帶來的安全威脅。 據(jù)悉，三星
2025-02-26 15:23:282483 據(jù)外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報道稱全球首款2nm芯片被曝準備量產(chǎn)；三星公司已確認 Exynos 2600 將成為全球首款采用 2nm 工藝的移動 SoC 芯片，目前該芯片完成
2025-09-04 17:52:152150
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