9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 的堆疊NAND閃存 V-NAND實現(xiàn)了具有最新第六代產(chǎn)品的128層單堆疊，并通過TLC實現(xiàn)了512 Gb（千兆位）容量。它計劃于2020年投放市場，并且正在針對在5年內(nèi)達到500層或更多層的堆棧
2019-11-25 09:52:316442 三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè)，計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后，于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。
2015-08-11 08:32:001030 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 明年蘋果iPhone將迎來十周年，屆時將發(fā)布的iPhone 8將進行大幅升級，除采用了OLED曲面屏全新設(shè)計外，配置方面自然也會提升不少?？紤]到今年iPhone 7和7 Plus都將存儲提升至256GB，如果蘋果再提升，明年512GB版iPhone就有望跟我們見面。
2016-11-21 10:39:181372 西數(shù)公司日前表示今年會試產(chǎn)512Gb核心容量的64層堆棧3D NAND閃存，單顆核心容量就達到了64GB，比目前主流水平翻倍，制造超大容量SSD硬盤更容易了。
2017-02-07 14:21:311053 據(jù)外媒報道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發(fā)燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 1、三星宣布512GB eUFS3.1閃存已大規(guī)模生產(chǎn)，寫入速度提升3倍 據(jù)ZDnet報道，三星電子宣布，已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)面向智能手機的512GB嵌入式通用閃存（eUFS） 3.1。這款新的閃存
2020-03-18 11:33:375189 6月16日，三星電子宣布，6月開始量產(chǎn)其最新的智能手機內(nèi)存解決方案，即基于LPDDR5和UFS的多芯片封裝uMCP。三星的uMCP集成了最快的LPDDR5?DRAM 和最新的UFS3.1?NAND
2021-06-17 07:08:004659 V-NAND 已達290 層 ? 前不久，三星宣布第9代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，第9代 V-NAND 采用雙重堆疊技術(shù)達到了290層。早在2022年
2024-05-25 00:55:005554 
3D NAND提高市場競爭力，控制芯片選擇了Silicon Motion SM2262EN。原廠早在2018下半年開始量產(chǎn)96或92層3D NAND，并陸續(xù)推出了新制程的SSD，比如：三星970
2022-02-06 15:39:12
USB2.0接口，并且在2.0接口時也能夠有足夠的傳輸速度。目前將推出512GB的版本，1TB版本將在第一季稍后上市。DTVP30/4GB/8GB/16GBDTVP30/32GB/64GB
2022-02-10 12:13:59
BiCS 3的TLC NAND芯片沒任何區(qū)別，均包含256Gb和512Gb兩種規(guī)格，但是采用BiCS 4技術(shù)的QLC的存儲芯片還可以有768Gb甚至1Tb這兩種規(guī)格。同時西部數(shù)據(jù)在他們的PPT中表示從
2022-02-03 11:41:35
應(yīng)用。2018年智能型手機對大容量需求強勁，尤其是蘋果、三星、華為等新機容量向512GB升級，正推動高端旗艦機容量需求翻倍增加。西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU321 UFS2.1產(chǎn)品采用了96層3D NAND技術(shù)
2022-02-02 08:45:13
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費產(chǎn)品【轉(zhuǎn)】東芝公司宣布推出全球最小級別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合
2018-09-13 14:36:33
大家好，我有一個有趣的困境，我無法在網(wǎng)上找到任何地方。我有一個三星970 pro 512gb用于啟動驅(qū)動器，WD Black 4TB Hdd用于存儲，而intel optane 800p 58gb
2018-12-03 15:33:05
STM32F4的USB端口能讀寫512GB的UFS卡嗎？
2024-03-28 06:42:15
三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達64GB
2010-01-14 17:00:041005 金士頓發(fā)布512GB新品固態(tài)硬盤
金士頓今天發(fā)布了新款SSDNow V+系列固態(tài)硬盤，容量達到512GB。雖然原本印象中SSDNow V系列以低價面向固態(tài)
2010-01-27 09:22:02660 7月28日消息，三星上周五表示，公司已量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這將是全球速度最快的嵌入式存儲芯片。三星將提供16GB、32GB、64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2013-07-29 09:56:171224 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 11月21日消息，目前蘋果iPhone手機最高存儲容量為256GB?，F(xiàn)在有微博網(wǎng)友爆料，蘋果將在明年將iPhone8高配版存儲容量升級為512GB。
2016-11-21 17:54:063043 如今，不少手機都不能拓展內(nèi)存，用戶在使用時，可能會遇到過存儲空間不足的情況，只能不斷刪文件清出空間。為了解決這一問題，臺灣某廠商就推出了一款UFS 2.1主控制器，最高可搭配512GB閃存。
2017-03-13 14:38:521144 在三星S8賣得最火熱的時候，S9也慢慢被曝光了。據(jù)悉，三星S9身上有諸多光環(huán)——驍龍845頂級處理器、8GB運存 、512GB存儲空間、5.7英寸4K AMOLED屏幕等。
2017-05-16 11:07:512190 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長的一年，主要是因為Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 三星512GB UFS閃存開始量產(chǎn)，它具有860MB/s讀取速度和255MB/s寫入速度，它的存在必將滅亡手機存儲卡。
2017-12-05 14:21:281953 三星表示，這款512GB的閃存芯片專門面向移動設(shè)備開發(fā)，其中整合了八個多層存儲數(shù)據(jù)的V-NAND芯片。和過去三星256GB的芯片相比，雖然容量翻一倍，但是使用的空間卻相同。這給手機設(shè)計帶來了福音。
2017-12-06 11:03:441513 蘋果之前向外宣布明年的新iPhone將會進行擴容到512GB儲存容量，不久后就有網(wǎng)友爆出中國廠商已經(jīng)率先為iPhone加512GB存儲，搶先蘋果官方一步，還表明升級512GB 容量并不太復(fù)雜。
2017-12-10 09:59:519806 在Intel第三代3D閃存固態(tài)盤我們可以知道的是，用上了 Host Memory Buffer （HMB）技術(shù)，Intel的單Die升級到了512Gb，不需要整合DRAM做緩沖池。具體的信息將會CES 2018上才知曉。
2017-12-25 15:18:453696 據(jù)報道最大容量512GB的microSD存儲卡終于開始發(fā)售，該卡支持Video Speed Class 10即V10標準，滿足10MB/s寫入速度，可用于一般的電子移動設(shè)備。
2018-01-23 16:06:442136 三星在今年必然會發(fā)的手機中，還有一款備受期待，就是三星Galaxy Note 9，在外觀上可能會繼續(xù)保留Note 8的設(shè)計，但會在內(nèi)部性能上有明顯的提升。根據(jù)知情人士爆料，Galaxy Note 9很有何能帶來8GB內(nèi)存＋512GB存儲的配置。
2018-06-11 16:37:00974 
日前，英國一家名為Integral Memory的公司，推出了全球首款512GB TF存儲卡。
2018-06-01 15:10:005350 三星終于宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND存儲芯片，聲稱其堆疊層數(shù)超過90層，可能指的是其96層，制造生產(chǎn)率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:002032 據(jù)外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應(yīng)時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 三星電子有限公司今天宣布推出三星移動固態(tài)硬盤T5-全新的移動固態(tài)硬盤（PSSD），提升了外部存儲產(chǎn)品的性能標準。T5采用三星最新的64層V-NAND（垂直NAND）技術(shù)和緊湊耐用的設(shè)計，具有業(yè)界領(lǐng)先的傳輸速度和加密的數(shù)據(jù)安全性，使消費者更輕松隨時隨地訪問其最有價值的數(shù)據(jù)。
2018-07-26 17:43:092951 隨著Flash各家原廠紛紛升級到64層3D NAND技術(shù)量產(chǎn)256Gb或512Gb單顆Die，以及提高新工廠的產(chǎn)出量，2018年三星將全面向3D NAND普及，美光預(yù)計2018年全球NAND
2018-08-22 16:53:432050 三星SSD路線圖更新QLC閃存是重點 在三星Tech Day會議上，三星不僅宣布了7nm EUV、16Gb GDDR6顯存等新工藝、新產(chǎn)品及新技術(shù)，SSD方面也更新了路線圖，未來的重點就是96層堆棧
2018-10-18 17:33:006571 趨勢看，128GB、256GB、512GB容量的機型也層出不窮，閃存容量高達1TB的機型也出現(xiàn)過，因此存儲卡的作用與需求將越來越小，從三星的512GB的存儲卡目前只上架不發(fā)售的情況看，似乎有炫技的意圖在里面。
2018-11-02 14:42:434062 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 1TB固態(tài)硬盤單價已經(jīng)有節(jié)奏的下跌50%，存儲芯片價格崩盤再次給高容量的固態(tài)硬盤普及推波助瀾。很快，傳說中的512GB和1TB產(chǎn)品將會成為主流。
2019-02-18 15:19:051434 隨著3D閃存的問世，固態(tài)硬盤的容量一直在提升，同時SSD主控技術(shù)也在進步。早在850 PRO和850 EVO這一行業(yè)首個使用V-NAND技術(shù)的消費者固態(tài)硬盤，當時用的還是MHX主控，閃存則是從32層堆棧升級到了48層堆棧。
2019-05-09 11:25:2626064 現(xiàn)在，長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069 的存儲空間將從64GB提高到128GB，iPhone XI系列會保留256GB/512GB的高配版本，但iPhone XR 2019是否會提供512GB存儲版本還未能確定。
2019-06-08 18:08:006115 此次三星推出的三星Galaxy A50是三星旗下的一款中端產(chǎn)品。該機配備6.4英寸顯示屏，后置三顆攝像頭，包括一個主攝像頭、一個景深鏡頭和一個廣角鏡頭；配備4000mAh電池，輔以64GB存儲，支持512GB最大擴容。
2019-06-12 16:44:443317 三星最新宣布，已開始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲芯片，三星將提供16GB、32GB和64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-07-02 11:46:151133 據(jù)外媒報道稱，三星歐洲等官網(wǎng)上都已經(jīng)出現(xiàn)了Note 10的細節(jié)，不過雖然不多，但是還是能看出一些端倪，比如Note 10+將會運行安卓10.0系統(tǒng)，并且頂配是512GB版本，當然也有256GB版本
2019-07-30 10:39:478324 在2016年的舊金山閃存峰會上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間）、包含獨特的電路設(shè)計與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 Galaxy Book S提供了13.3英寸的全高清觸控屏，采用8GB LPDDR4X內(nèi)存，最高512GB機身存儲，最多支持1TB的micro SD卡。這款筆記本電腦的電池42Wh，三星稱視頻播放時間長達23小時，這表明充滿電就能用一整天。該筆記本電腦還支持QC 2.0和PD 2.0快充。
2019-08-09 08:46:551648 三星發(fā)布全新企業(yè)級固態(tài)硬盤PM1733，該產(chǎn)品采用了三星自家研發(fā)的主控，搭配自家的第五代V-NAND閃存，單Die容量512Gb(64GB)，提供兩種不同規(guī)格，一個是2.5英寸雙U.2接口，另一個是PCIe接口。
2019-08-21 16:52:493293 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計技術(shù)。
2019-09-03 10:38:04981 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計技術(shù)。
2019-09-09 16:05:251778 9月19日晚上20點，Redmi最強旗艦K20 Pro尊享版將正式發(fā)布，官方最新預(yù)熱海報顯示，新機將搭載512GB超大存儲空間。
2019-09-18 11:48:315657 紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 紫光集團旗下長江存儲正式宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking？架構(gòu)的中國首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:181727 三星宣布，已開始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲芯片，三星將提供16GB、32GB和64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-10-18 14:30:401575 據(jù)悉，三星W20 5G采用4235mAh雙芯電池，搭配12GB+512GB大內(nèi)存，采用Dynamic AMOLED材質(zhì)的可折疊柔性屏幕，6攝像頭組合。
2019-11-20 10:16:341742 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 為什么買了512GB的硬盤到手只有480GB？
2019-12-17 09:55:3518017 為什么買了512GB的硬盤到手只有480GB？
2019-12-17 09:59:537203 固態(tài)硬盤市場的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的，也是目前技術(shù)最強的，已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)達到了48層。
2019-12-22 11:19:011517 今日，三星電子宣布已開始量產(chǎn)512GB封裝容量的eUFS 3.1閃存，可用于手機、平板等。
2020-03-17 11:45:262694 三星今日宣布開始量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片，其連續(xù)寫入速度超過1.2GB/s，是其前代產(chǎn)品寫入速度的3倍。
2020-03-17 14:22:143844 3月18日消息，據(jù)國外媒體報道，三星電子日前公告稱，該公司開始大規(guī)模量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片，適用于旗艦智能手機。
2020-03-18 17:01:052969 智能手機的運算能力越來越高，下載速度也越來越快，儲存芯片的讀寫速度亦需要配合，才能發(fā)揮每個環(huán)節(jié)的最高效能。日前三星（Samsung）就宣布開始大規(guī)模投產(chǎn)512GB的eUFS 3.1儲存芯片，它的特點就是其讀寫速度較上一代更快。
2020-03-21 10:06:273022 據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776 長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功。同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），用以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421991 存儲芯片大廠SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，TLC顆粒，容量達512Gb（64GB）。 ? 據(jù)，SK海力士透露，該閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術(shù)
2020-12-14 15:55:321786 疊加而成，第一批為TLC顆粒，單個Die的容量為512Gb（64GB），當然后期很可能會加入QLC。 更重要的是，美光不只是宣布了新技術(shù)，而且176層閃存已經(jīng)量產(chǎn)并出貨了，已經(jīng)用于一些Crucial英睿達品牌的消費級SSD，明年還會發(fā)布更多新產(chǎn)品。 在176層閃存技術(shù)上，美光
2020-11-14 10:01:202368 、512GB，那么這兩種情況下SSD有什么區(qū)別，廠商為什么要隱瞞部分SSD容量呢？ 針對這個現(xiàn)象，長江存儲旗下的致鈦科技今天繼續(xù)科普SSD硬盤，這次就談到了SSD足容的問題。 首先，閃存顆粒在設(shè)計的時候都是以2的冪次方來設(shè)計的，比方說256GB、512GB等，所以依托于閃存顆粒進行
2020-12-01 16:24:3612229 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術(shù)。 4D閃存是SK
2020-12-07 13:49:272200 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:092510 12月7日，韓國半導(dǎo)體公司SK海力士表示，近期已成功研發(fā)出基于三層存儲單元（TLC）的176層512Gb（千兆位）NAND閃存。
2020-12-08 11:01:412103 人民幣8400元）； Galaxy S21 Ultra起售價1349歐元（約合人民幣10700元）。 值得注意的是，Galaxy S21 Ultra提供了128GB、256GB和512GB三種存儲選擇，其中512GB頂配版本售
2020-12-23 10:18:333712 EVO 采用了 V-NAND 3-bit MLC，可選 250GB、500GB、1TB、2TB 和 4TB 版本。其中 1TB 以下搭載 512GB LPDDR4 緩存，1TB 版本 搭載 1GB
2021-01-19 17:52:314572 據(jù)供應(yīng)鏈消息，今年 iPhone Pro 系列的最高存儲容量將從 512GB 翻倍到 1TB。
2021-03-05 16:35:20892 今日，作為先進內(nèi)存技術(shù)的廠商，三星宣布開發(fā)出三星首款512GB內(nèi)存擴展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。
2022-05-10 10:16:082306 搭載 MediaTek 天璣 8100 5G 移動平臺，兼具澎湃性能與冰封能效；LPDDR5 + 512GB 超大存儲組合，處理速度大幅提升；144Hz 高配 LCD 屏幕，暢享高配護眼視覺
2022-10-27 09:57:186528 和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。 三星電子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361624 三星電子計劃從今年第四季度開始生產(chǎn)128gb和256gb產(chǎn)品，并生產(chǎn)512gb產(chǎn)品。256gb產(chǎn)品的連續(xù)讀取速度為2000兆/秒，連續(xù)寫入速度為700兆/秒。
2023-07-14 11:33:521477 據(jù)《電子時報》報道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫存緩慢，很難說服上調(diào)價格。
2023-08-02 11:56:241963 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達290層，但IT之家此前曾報道過，三星在學(xué)術(shù)會議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410 據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司預(yù)計將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。
2024-04-18 09:49:201500 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 此前，三星國行GalaxyZFlip5手機在存儲空間上提供256GB與512GB兩個選項，而常規(guī)配色（如冰薄荷、冰玫紫等）及三星商城限定色彩（如海浪藍、山林綠等）以及MaisonMargiela限量版（銀色）則均配備8GB內(nèi)存。
2024-04-24 15:16:531579 作為九代V-NAND的核心技術(shù)，雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計算領(lǐng)域。據(jù)了解，三星計劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)
2024-04-28 10:08:011536 在技術(shù)層面，第九代V-NAND無疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實力。它采用了雙重堆疊技術(shù)，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上，再次實現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破，堆疊層數(shù)飆升至驚人的290層。
2024-04-28 16:02:241874 據(jù)報道，三星Galaxy S24 Ultra已現(xiàn)身市場，其存儲版本分別有256GB、512GB及1TB三款，但內(nèi)存皆為12GB。然而，最新傳聞稱三星將于明年推出的Galaxy S25 Ultra或?qū)?nèi)存提升至16GB。
2024-05-10 14:25:371353 Lexar NM620 512GB SSD PCIE3.0 X4測評
2024-06-16 14:30:501833 
intel 660P SSD PCIE 3.0X4 512GB測評
2024-06-16 14:32:492191 
據(jù)韓國媒體最新報道，三星電子在其第9代V-NAND閃存技術(shù)中實現(xiàn)了重大突破，首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬（Mo）技術(shù)。這一創(chuàng)新標志著三星在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的又一次技術(shù)飛躍。
2024-07-04 09:23:501262 三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標志著三星在存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先，也預(yù)示著數(shù)據(jù)存儲市場即將迎來一場革命性的變革。
2024-09-12 16:27:311108 近日，據(jù)韓媒報道，三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進技術(shù)升級與產(chǎn)能擴張計劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術(shù))轉(zhuǎn)換至第八代V-NAND(238層技術(shù))的基礎(chǔ)上，年內(nèi)
2025-02-14 13:43:271089
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