。 IC Insights最新資料顯示，隨著Flash市場需求增加，各存儲器業(yè)者為擴大或升級3D NAND生產(chǎn)線，紛紛增加Flash資本支出，使得2017與2018年全球該項支出分別年增92%與16%，達276億與319億美元，均高于各當年半導(dǎo)體業(yè)者在DRAM與晶圓代工上的資本支出。 而隨著主要存儲
2019-01-23 09:24:56
1391 最高的64層3D NAND芯片。據(jù)techweb的消息顯示，長江存儲今年年底預(yù)計正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，明年開始逐步提升產(chǎn)能，預(yù)計2020年底有望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬片晶圓的規(guī)模。
2019-08-27 09:32:512672 臺灣專用存儲器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲器。該公司將成為臺灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295966 歐盟宣布將增加4條先進生產(chǎn)線建設(shè)計劃，包括發(fā)光二極管和450mm晶圓等。此前，歐盟宣布建設(shè)全耗盡絕緣體上硅（FDSOI）試生產(chǎn)線。該五條芯片試生產(chǎn)線項目是歐盟于5月23日宣布的“歐洲電子策略
2013-06-03 09:45:281000 ）亦可能利用M10廠生產(chǎn)3D NAND Flash，業(yè)界預(yù)期未來3~4年內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)既有平衡競局恐將被打破。
2015-10-09 09:40:15980 句點，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢，主要的生產(chǎn)廠商，以及三星、東芝和Intel在這個領(lǐng)域的實力產(chǎn)品。
2016-08-11 13:58:0644661 
今日，由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設(shè)的國家存儲器基地項目正式動工，預(yù)計 2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個項目，初期計劃以先進的3D NAND為策略產(chǎn)品
2016-12-31 01:52:114140 受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進
2017-02-07 17:34:129182 
2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息，近日，由國家存儲器基地主要承擔(dān)單位長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。
2017-02-16 11:35:241161 近日，由國家存儲器基地主要承擔(dān)單位長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。
2017-02-17 07:48:232091 借由此案進入3D NAND代工，更說服東芝在臺灣設(shè)廠生產(chǎn)，此舉目的是擊破三星電子長期來以存儲器利潤補貼邏輯虧損的策略，一報大客戶高通（Qualcomm）被搶之仇。
2017-03-02 07:51:24844 通過3D堆疊技術(shù)將存儲層層堆疊起來，促成了NAND 技術(shù)進一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248 
Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528 對相關(guān)業(yè)務(wù)進行了重新聚焦：壓縮了NAND部分產(chǎn)品線。 紫光存儲方面表示，未來隨著長江存儲3D NAND穩(wěn)步量產(chǎn)，相關(guān)業(yè)務(wù)將逐步轉(zhuǎn)移到長江存儲；同時，還將增強DRAM部分產(chǎn)品線。 去年9月2日，紫光集團旗下長江存儲宣布，已開始量產(chǎn)中國首款
2020-03-19 09:18:226283 據(jù)路透社報道，鎧俠Kioxia于本周四（10月29日）表示，將在日本中部新建一條NAND存儲芯片生產(chǎn)線，以滿足智能手機、自動駕駛汽車等領(lǐng)域不斷增長的數(shù)據(jù)存儲需求。
2020-10-29 11:22:522536 東芝官網(wǎng)顯示，3月10日，東芝發(fā)布功率器件業(yè)務(wù)重大投資消息，表示準備開工建設(shè)300mm晶圓制造廠。據(jù)其披露，東芝將在日本石川縣加賀東芝電子公司新建一條300mm晶圓生產(chǎn)線，以提高功率半導(dǎo)體生產(chǎn)能力，該生產(chǎn)線計劃于2023年上半年開始量產(chǎn)。不過，東芝未在新聞稿中披露具體投資額。
2021-03-11 09:28:134520 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認為當前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
請教大家一個問題： Altium designer 的3D封裝在機械層是有線的，我的板子在機械層也畫了線來切掉一部分。那么在PCB的生產(chǎn)加工中，3D封裝位于機械層的線是否會影響加工效果。請實際操作過的回答下，非常感謝。如下圖：
2016-07-22 14:05:18
密度，制造商開發(fā)了3D NAND或V-NAND(垂直NAND)技術(shù)，該技術(shù)將Z平面中的存儲單元堆疊在同一晶圓上。
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3D NAND, 即立體堆疊技術(shù)，如果把2D NAND看成平房，那么3D
2024-12-17 17:34:06
2.5V NAND，有效降低功耗，未來EDSFF將在散熱方面會有更杰出的表現(xiàn)，同時也希望對NAND進行進一步優(yōu)化。長江存儲：2019年量產(chǎn)64層3D NAND長江存儲作為NAND Flash產(chǎn)業(yè)新晉者
2018-09-20 17:57:05
世界首款3D芯片工藝即將由無晶圓半導(dǎo)體公司BeSang授權(quán)。 BeSang制造了一個示范芯片，在邏輯控制方面包含1.28億個縱向晶體管的記憶存儲單元。該芯片由韓國國家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
為我國最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，月產(chǎn)能為10萬片晶圓，而在去年七月份紫光集團還參與了長江存儲的投資，計劃投資1600億元，打造國產(chǎn)3D NAND閃存，研發(fā)DRAM。
2018-03-28 23:42:26
flash中運行。嵌入式系統(tǒng)多用一個小容量的nor flash存儲引導(dǎo)代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
?過去存儲器與晶圓代工業(yè)大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器
2018-12-24 14:28:00
在3D打印機上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機掉電測試。解決TF卡在3D打印機上常讀寫錯誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
是第一個推出1Tb級產(chǎn)品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發(fā)布的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲設(shè)備冠名Optane，而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
中圖儀器WD4000晶圓硅片表面3D量測系統(tǒng)采用光學(xué)白光干涉技術(shù)、精密 Z 向掃描模塊和高精度 3D 重建算法，Z 向分辨率最高可到 0. 1nm。它通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大
2024-10-25 16:46:20
Maxim近期已經(jīng)通過300mm晶圓生產(chǎn)線的模擬產(chǎn)品驗證并開始供貨。這一重大舉措進一步確立了Maxim在模擬/混和信號
2010-11-12 08:56:43934 2013年9月3日——領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器解決方案供應(yīng)商奧地利微電子公司（SIX股票代碼：AMS）今日宣布投資逾2，500萬歐元在其位于奧地利格拉茨附近的晶圓制造工廠，用以建立3D IC專用的生產(chǎn)線。
2013-09-03 14:55:341433 全球包括高階制程、3D NAND Flash及大陸半導(dǎo)體業(yè)者對于12寸晶圓代工產(chǎn)能需求大增，導(dǎo)致硅晶圓供應(yīng)缺口持續(xù)擴大，近期全球三大硅晶圓廠信越（Shin-Etsu）、Sumco、德國
2016-12-21 09:30:561358 ，投資規(guī)模累計超過100億美元，這也將是格羅方德在中國最大和最先進的晶圓制造基地。一期建設(shè)主流CMOS工藝12英寸晶圓生產(chǎn)線，預(yù)計2018年底投產(chǎn)；主要為0.13微米、0.18微米，從新加坡轉(zhuǎn)移至成都，產(chǎn)能2萬片/月。
2017-02-10 14:39:173908 技術(shù)的基礎(chǔ)上， 該公司運用其深厚的重直整合能力，開發(fā)出X4 3D NAND技術(shù)，包括硅晶圓加工、裝置工程（在每個存儲節(jié)點上提供16個不同的資料等級）、和系統(tǒng)專門技術(shù)（用于整體閃存管理）。
2017-07-26 16:07:111246 的廠商競爭，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:26
6 紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲芯片和DRAM存儲器芯片，一期占地約700畝，二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長江存儲、在成都打造晶圓廠，另一個紫光大型的存儲器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實質(zhì)啟動。
2017-11-28 12:54:402401 集微網(wǎng)消息，1月9日，英特爾(Intel)宣布與美光(Micron)即將在第三代3D NAND之后分道揚鑣。今日臺灣DIGITIMES報道指出，業(yè)界透露英特爾在3D NAND布局押寶大陸市場，不僅
2018-01-10 19:43:16679 上周，隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨立開發(fā)3D NAND，其維持多年的長期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時，有外媒報道，英特爾將于紫光合作，在中國生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來幾年，英特爾將會
2018-01-16 14:37:555172 
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項存儲技術(shù)。由于具備以下四點優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
4月11日，長江存儲以芯存長江，智儲未來為主題，慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項目（一期）一號生產(chǎn)及動力廠房實現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，正是為4月搬入機臺設(shè)備而準備，預(yù)計很快就可以實現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:0010302 京東方（BOE）作為中國面板巨擘，目前已經(jīng)在四川成都和綿陽布局了2條第6代柔性AMOLED生產(chǎn)線，其中成都線是中國第一條柔性AMOLED生產(chǎn)線，也是全球第2條量產(chǎn)的6代柔性AMOLED產(chǎn)線。而綿陽
2018-05-02 10:32:003835 的平面閃存，3D存儲器的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝，技術(shù)工藝差別較大，而且相對2D NAND來說，國際大廠在3D存儲器布局方面走得并不遠。
2018-06-20 17:17:495087 韓國第二大存儲芯片巨頭SK海力士宣布，將與中國成立新的合資企業(yè)，并于今年下半年興建新的200毫米晶圓代工生產(chǎn)線。
2018-07-17 11:33:525114 作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司（長江存儲）今年將首次參加閃存峰會（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:015077 紫光集團旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發(fā)完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770 存儲器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體存儲器市場總額達835億美元。各類存儲器中，NAND Flash是一個亮點。其廣泛應(yīng)用于PC、手機、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品，2015年營收達到267億美元，占半導(dǎo)體存儲器市場總額的32%。
2018-08-13 09:01:001863 ?由于國家政策和大基金的支持，中國大陸現(xiàn)在也把存儲芯片作為重點來抓，3D NAND也順理成章成為廣大廠商關(guān)注的重點，早前被紫光納入旗下的武漢新芯科技（XMC）很早已經(jīng)在武漢開工建設(shè)12英寸晶圓廠
2018-10-08 15:52:39780 再投240億美元，紫光成都存儲器制造基地成又一個長江存儲！ 繼2016年12月30日，紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)，項目總投資為240億美元的長江存儲國家
2018-10-15 17:07:021241 根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿(mào)試驗區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402936 10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿(mào)試驗區(qū)隆重舉行。
2018-10-18 09:34:1711110 華潤12吋晶圓生產(chǎn)線項目投資約100億元，建設(shè)國內(nèi)首座本土企業(yè)的12吋功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
2018-11-08 10:15:139889 全球 3D NAND 價格近來快速崩跌，紫光集團旗下的長江存儲肩負打破國內(nèi)“零”存儲自制率之重任，以”光速”的氣勢加入這場存儲世紀大戰(zhàn)。除了武漢 12 寸廠進入生產(chǎn)，南京廠也將于年內(nèi)動工，加上成都廠
2018-11-30 09:16:252791 技術(shù)確實降低了每千兆字節(jié)的成本。本報告展示了目前市場上四家存儲器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析。
2018-12-11 09:28:467716 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2018-12-25 14:39:563714 昨日，紫光集團旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司發(fā)布信息，宣布公司成功實現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)。他們表示，這次公告標志著內(nèi)資封測產(chǎn)業(yè)在3D NAND先進封裝測試技術(shù)實現(xiàn)從無到有的重大突破，也為紫光集團完整存儲器產(chǎn)業(yè)鏈布局落下關(guān)鍵一步棋。
2019-02-04 16:41:005697 紫光集團存儲芯片戰(zhàn)略規(guī)劃，紫光宏茂自2018年4月起，開始建設(shè)全新3D NAND封裝測試產(chǎn)線，組建團隊，研發(fā)先進封測技術(shù)。
2019-01-12 10:28:003677 SK海力士今年第一季財報和當初預(yù)期相同，受存儲器行情影響，營收和營益驟減，對此SK海力士準備以強化技術(shù)、調(diào)整生產(chǎn)線應(yīng)對市場，預(yù)計今年NAND晶圓投入量將比去年減少10％以上。
2019-04-25 19:23:191116 根據(jù)官網(wǎng)資料，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業(yè)客戶提供存儲器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動設(shè)備、計算機、數(shù)據(jù)中心和消費電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002725 據(jù)悉，紫光在四川的產(chǎn)業(yè)布局宏大，總投資已超2000億元，建設(shè)周期需3年-5年。而紫光在成都芯片的布局比較深入，主要包括服務(wù)器的芯片的研發(fā)，安全芯片的研發(fā)，存儲芯片、移動通訊芯片的相關(guān)研。目前，紫光
2019-06-27 16:52:347562 SkyWater科技的晶圓廠生產(chǎn)出第一批可以匹敵先進硅芯片性能的3D納米管晶圓。
2019-07-26 14:03:463706 由于 3D NAND 存儲器市場出現(xiàn)了供過于求的現(xiàn)象，制造商們不得不減產(chǎn)以穩(wěn)定價格。
2019-07-30 14:29:393096 根據(jù)臺積電在第二十四屆年度技術(shù)研討會中的說明，SoIC是一種創(chuàng)新的多芯片堆疊技術(shù)，是一種晶圓對晶圓（Wafer-on-wafer）的鍵合（Bonding）技術(shù)，這是一種3D IC制程技術(shù)，可以讓臺積電具備直接為客戶生產(chǎn)3D IC的能力。
2019-08-14 11:21:064993 
單元，這樣有利于選擇更先進的制造工藝。當兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
2019-09-03 10:07:021788 據(jù)外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321643 Xtacking是長江存儲在去年FMS（閃存技術(shù)峰會）首次公開的3D NAND架構(gòu)，榮獲當年“Best of Show”獎項。其獨特之處在于，采用Xtacking，可在一片晶圓上獨立加工負責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:373601 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:411115 據(jù)悉，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:005147 紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 據(jù)SEMI最新報告，2019年底，將有15個新Fab廠開工建設(shè)，總投資金額達380億美元。在全球新建的Fab廠中，約有一半用于200毫米（8英寸）晶圓尺寸。自2000年以來，芯片廠家逐漸遷移到更高
2019-09-23 16:21:165373 紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 長江存儲打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國家重點打造的存儲器大項目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:053808 在此前高調(diào)地宣布“分道揚鑣”之后，英特爾近日又與美光簽署了新的 3D XPoint 存儲器晶圓供應(yīng)協(xié)議。分析人士指出，鑒于英特爾是當前唯一的 3D XPoint 制造商，其需要向美光支付較以往更多的費用。
2020-03-17 14:21:142525 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 近日，華潤微電子在投資者互動平臺上表示，公司目前正在規(guī)劃12英寸晶圓生產(chǎn)線項目。
2020-09-03 09:39:524875 
Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:133095 上，TechInsights 高級技術(shù)研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關(guān)演講，詳細介紹了 3D NAND 和其他新興存儲器的未來。TechInsights 是一家對包括閃存在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品分析公司
2020-11-20 17:15:444306 8英寸晶圓被認為是落后產(chǎn)線，更關(guān)注12英寸晶圓產(chǎn)線的建設(shè)和量產(chǎn)。然而，就是這一比12英寸晶圓古老多年的產(chǎn)品，目前其產(chǎn)能依然很緊張。 供不應(yīng)求的8英寸晶圓與逐年下滑的生產(chǎn)線 目前全球代工廠產(chǎn)能爆滿，臺
2020-11-23 14:00:393711 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:493617 日前，有媒體報道稱，消息人士透露，長江存儲計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬片晶圓，并準備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片，不過為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量，該計劃有可能會被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:275875 生產(chǎn)線三維建模解決方案就是通過模型、虛實聯(lián)動和三維建模等先進技術(shù)，以一個3D立體模型展現(xiàn)出來，可以讓我們很直觀的看到生產(chǎn)線的運作以及對數(shù)據(jù)的監(jiān)控。商迪3D運用3D建模技術(shù)可以讓工業(yè)3D模型管理系統(tǒng)
2021-03-06 10:15:352040 日前，有媒體報道，雖然目前許多大廠都紛紛投資于建設(shè)12英寸晶圓廠，不過8英寸晶圓的需求依舊強烈，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會在一則報告中表示：預(yù)計到2024年之前，全球的8英寸晶圓生產(chǎn)線將會新增25條，今年8
2022-04-13 16:11:552342 根據(jù)合作框架協(xié)議，中芯國際將在當?shù)?b class="flag-6" style="color: red">建設(shè)12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項目，產(chǎn)品主要應(yīng)用于通訊、汽車電子、消費電子、工業(yè)等領(lǐng)域。項目擬選址西青開發(fā)區(qū)賽達新興產(chǎn)業(yè)園內(nèi)。規(guī)劃建設(shè) 產(chǎn)能為10萬片/月的12英寸晶圓代工生產(chǎn)線，可提供28納米~180納米不同技術(shù) 節(jié)點的晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。
2022-08-29 11:31:413729 NAND價格從2022年第1季在缺貨拉抬調(diào)漲報價后，市場價格快速反轉(zhuǎn)走跌，第3季NAND晶圓跌價約達3成以上，相當于從年初高點下跌約達50%，由于終端備貨消極，晶圓廠報價持續(xù)探底，市場預(yù)估第4季NAND晶圓價格跌幅將再季減20%。
2022-11-01 12:36:27887 NAND Flash。2007年，東芝推出3D NAND，三星也在2012年發(fā)布其第一代3D NAND。NAND Flash 技術(shù)幾十年發(fā)展保留了相同的概念、堆疊（stack）和架構(gòu)，存儲密度隨時間呈指數(shù)
2022-11-25 14:57:352730 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 SuperViewW1白光3D輪廓測量儀適配芯片制造生產(chǎn)線，致力于滿足時下半導(dǎo)體封裝中晶圓減薄厚度、晶圓粗糙度、激光切割后槽深槽寬的測量需求，助力半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。
2022-12-19 15:44:511608 
最近，三星集團援引業(yè)界有關(guān)負責(zé)人的話表示，計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標是能夠長時間儲存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand的存儲器容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:491360 W系列白光3D輪廓測量儀適配芯片制造生產(chǎn)線，致力于滿足時下半導(dǎo)體封裝中晶圓減薄厚度、晶圓粗糙度、激光切割后槽深槽寬的測量需求，助力半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。
2022-12-19 09:16:291 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
來源：天成先進 2024年12月30日，天成先進12英寸晶圓級TSV立體集成生產(chǎn)線正式投產(chǎn)! 本次投產(chǎn)聚焦三大類型，共計六款產(chǎn)品，產(chǎn)品基于天成先進“九重”晶圓級三維集成技術(shù)體系，圍繞“縱橫(2.5D
2025-01-02 10:54:221466 一、引言
隨著半導(dǎo)體技術(shù)向小型化、高性能化發(fā)展，3D 集成封裝技術(shù)憑借其能有效提高芯片集成度、縮短信號傳輸距離等優(yōu)勢，成為行業(yè)發(fā)展的重要方向 。玻璃晶圓因其良好的光學(xué)透明性、化學(xué)穩(wěn)定性及機械強度
2025-10-14 15:24:56317 
在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3D NAND存儲器。三星也在此前表示，將在
2024-06-29 00:03:008061
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