三星已將下一代嵌入式半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品MRAM納入生產(chǎn)制造范疇，并在韓國(guó)器興廠區(qū)率先進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)。MRAM號(hào)稱是次世代記憶體，是繼半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM和NAND Flash之后又一劃時(shí)代的創(chuàng)新存儲(chǔ)器
2019-03-06 16:43:28
7573 圖：三星華城半導(dǎo)體工廠。圖片來(lái)源/三星電子 2020年1月1日消息，三星半導(dǎo)體工廠停電，導(dǎo)致部分存儲(chǔ)器半導(dǎo)體生產(chǎn)線停止工作。 據(jù)三星電子1日?qǐng)?bào)道，周二下午1:30，電源線在華城變電站爆裂，在京
2020-01-02 10:45:156202 為突破半導(dǎo)體市場(chǎng)的不景氣，三星電子（Samsung Electronics）致力升級(jí)微細(xì)制程技術(shù)；SK海力士（SK Hynix）則準(zhǔn)備以史上最大規(guī)模的投資計(jì)劃應(yīng)戰(zhàn)。
2016-01-26 08:19:58849 三星電子（Samsung Electronics）與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲(chǔ)器自旋傳輸（Spin Transfer Torque）磁性存儲(chǔ)器（STT-MRAM）。兩家公司也表示，預(yù)計(jì)
2016-08-01 11:04:321256 據(jù)半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)DRAMeXchange消息，三星電子2016年第二季移動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的銷售額同比增長(zhǎng)19.4%至24.18億美元，全球市場(chǎng)占有率升至61.5%，創(chuàng)下移動(dòng)DRAM市場(chǎng)份額單獨(dú)統(tǒng)計(jì)以來(lái)的歷史最高紀(jì)錄。
2016-08-18 10:05:401258 
三星電子（Samsung Electronics）與三星顯示器（Samsung Display）正在加速投資半導(dǎo)體與面板產(chǎn)線，讓韓國(guó)相關(guān)設(shè)備廠商接傳連出大規(guī)模接單喜訊。
2017-05-16 09:00:071147 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，主要有
2023-06-25 14:30:185523 
MRAM在讀寫方面可以實(shí)現(xiàn)高速化，這一點(diǎn)與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)類似。由于磁體本質(zhì)上是抗輻射的﹐MRAM芯片本身還具有極高的可靠性，即MRAM本身可以免受軟錯(cuò)誤之害。MRAM可以做到與動(dòng)態(tài)隨機(jī)
2020-11-26 16:23:24
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
MRAM技術(shù)MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）架構(gòu)，其中鐵磁材料的磁性“狀態(tài)”作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。由于MRAM使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲(chǔ)（而不是隨時(shí)間推移而“泄漏
2022-11-17 15:05:44
中之外，與其他半導(dǎo)體制造工藝一樣，質(zhì)量控制和良率提高將是一個(gè)持續(xù)的挑戰(zhàn)和機(jī)遇，而且事實(shí)是所有大型半導(dǎo)體代工廠都已將MRAM存儲(chǔ)器作為一種選擇。嵌入式產(chǎn)品意義重大。通過(guò)將MRAM集成到其嵌入式產(chǎn)品中
2020-08-12 17:42:01
本文摘自《手機(jī)風(fēng)暴》（Mobile Unleashed），文章詳細(xì)介紹了三星半導(dǎo)體的歷史。原文詳見(jiàn)：https://www.semiwiki.com/forum/content
2021-07-28 07:32:28
預(yù)告明年的存儲(chǔ)器市況持續(xù)走低。另外，三星高層主管指出，受到需求趨緩、價(jià)格下MAX3232EUE+T滑的影響，市況并不好，三星今年資本支出已創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄，三星今年在半導(dǎo)體部門資本支
2012-09-21 16:53:46
尚未公開(kāi)。將根據(jù)市場(chǎng)情況等考慮增設(shè)生產(chǎn)設(shè)備，計(jì)劃總投資額最多為70億美元。由三星的全資子公司運(yùn)營(yíng)?！ ≡摴S將生產(chǎn)垂直疊放存儲(chǔ)元件的3D結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體。三星領(lǐng)先其他公司于2013年在韓國(guó)華城工廠率先
2014-05-14 15:27:09
對(duì)DRAM價(jià)格帶來(lái)不利的影響。三星打什么算盤頗堪玩味，而更多人擔(dān)心，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也許在未來(lái)幾年會(huì)有一個(gè)大的翻轉(zhuǎn)，已經(jīng)主導(dǎo)需求超過(guò)30年的DRAM、Flash組成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，會(huì)不會(huì)在MRAM等新技術(shù)出現(xiàn)后
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開(kāi)發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過(guò)手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
韓國(guó)《每日經(jīng)濟(jì)新聞》3月15日消息，三星電子已在日本建立一個(gè)新的半導(dǎo)體研發(fā)中心，將現(xiàn)有的兩個(gè)研發(fā)機(jī)構(gòu)合二為一，旨在推進(jìn)其芯片技術(shù)并雇傭更多優(yōu)秀研發(fā)人員。據(jù)報(bào)道，三星電子于去年年底重組在日本橫濱和大阪
2023-03-15 14:04:55
隨機(jī)存儲(chǔ)器，DynamicRandomAccessMemory)VLSI芯片，并因此成為世界半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前，三星只是為本國(guó)市場(chǎng)生產(chǎn)半導(dǎo)體。 在八十年代中期，三星開(kāi)始進(jìn)入系統(tǒng)開(kāi)發(fā)業(yè)務(wù)領(lǐng)域，在
2019-04-24 17:17:53
Erasable PROM）?！ 。?） 混合型?！ 《?、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電
2020-12-25 14:50:34
國(guó)際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49
`這幾年以來(lái)，國(guó)內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動(dòng)DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點(diǎn)。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴(kuò)張
2018-10-12 14:46:09
。 Everspin MRAM技術(shù)可靠 與大多數(shù)其他半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)不同，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為磁性狀態(tài)而不是電荷，并通過(guò)測(cè)量電阻來(lái)感測(cè)而不干擾磁性狀態(tài)。使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲(chǔ)有兩個(gè)主要好處。首先，磁極化不會(huì)像電荷一樣隨時(shí)
2020-08-31 13:59:46
輸入地址代碼指定的那些存儲(chǔ)單元才能與公共的輸入/輸出引腳接通，進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀出或寫入。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的種類很多，首先從存、取功能上可以分為只讀存儲(chǔ)器（read only memory 簡(jiǎn)稱ROM）和隨機(jī)
2023-02-23 15:24:55
MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲(chǔ)器的非易失性。STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲(chǔ)密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
TAS-MRAM概念從磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器到磁性邏輯單元
2021-03-03 06:10:33
早有計(jì)劃。 2017年，三星與NXP達(dá)成代工合同，從這一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列將通過(guò)三星28nm FD-SOI工藝批量生產(chǎn)，并計(jì)劃2018年將三星的eMRAM嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)將用于下一代
2023-03-21 15:03:00
的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況。今年以來(lái)，汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及數(shù)據(jù)中心等下游產(chǎn)業(yè)需求激增，從而拉動(dòng)對(duì)上游存儲(chǔ)器、邏輯、模擬IC、分立器件等各類半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求增長(zhǎng)，進(jìn)而傳導(dǎo)至材料、設(shè)備、代工等產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)，維持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
2018-08-21 18:31:47
作者 MahendraPakala半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來(lái)下一代存儲(chǔ)器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢(shì)正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說(shuō)明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
2019-07-16 08:46:10
小幅上漲 有手機(jī)從業(yè)者曾告訴記者，存儲(chǔ)已經(jīng)超過(guò)屏幕、CPU，成為手機(jī)最大的成本，存儲(chǔ)在手機(jī)中的成本達(dá)到25%-35%，可見(jiàn)其重要性。而三星、SK海力士均在存儲(chǔ)器領(lǐng)域占據(jù)壟斷地位。 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體
2020-02-27 10:45:14
需求看淡 設(shè)備投資恐遞延存儲(chǔ)器價(jià)格下滑、資料中心的需求也有減緩的跡象，三星、SK海力士都出現(xiàn)縮小2019年半導(dǎo)體投資的征候。原先計(jì)劃進(jìn)駐平澤的三星第二層DRAM工廠的設(shè)備時(shí)間延后，SK海力士也將新設(shè)
2018-12-24 14:28:00
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠將存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。MRAM技術(shù)仍遠(yuǎn)未
2020-04-15 14:26:57
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，三者科技內(nèi)涵各有所長(zhǎng),市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
TCL AT29128三星存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:24:36
43 7.1.1 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的特點(diǎn)與應(yīng)用7.1.2 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類7.1.3 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo) 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是用半導(dǎo)體器件來(lái)存儲(chǔ)二值信息的大規(guī)模集成電路。
2009-07-15 18:40:530 韓國(guó)政府?dāng)y手三星與海力士 研發(fā)MRAM芯片
根據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)政府宣布，已與半導(dǎo)體廠三星電子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作，進(jìn)行磁性隨機(jī)存儲(chǔ)
2009-11-30 10:43:55897 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器原理圖解
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是具備可以儲(chǔ)存圖像數(shù)據(jù)或文字?jǐn)?shù)據(jù)、程序等信息，在必要時(shí)
2010-03-01 16:58:2327148 三星半導(dǎo)體工廠跳電 三星：已將損失降到最低
據(jù)路透(Reuters)報(bào)導(dǎo)，全球最大存儲(chǔ)器廠商三星電子(Samsung Electronics)驚傳半導(dǎo)體廠房跳電消息，
2010-03-25 13:09:52820 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 (semi-conductor memory)是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒體的存儲(chǔ)器,內(nèi)存儲(chǔ)器就是由稱為存儲(chǔ)器芯片的半導(dǎo)體集成電路組成。按其功能可分為：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱RAM)和只讀存
2011-05-30 18:26:10199 北京時(shí)間8月3日早間消息，三星周二宣布，他們已收購(gòu)MRAM(磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器)芯片開(kāi)發(fā)商Grandis。具體協(xié)議條款尚未披露。
2011-08-03 08:51:04782 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報(bào)告指出，2015與2016年發(fā)生的大規(guī)模并購(gòu)（M&A）活動(dòng)已經(jīng)改變了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的格局，大型廠商在市場(chǎng)占據(jù)的比例越來(lái)越大。
2016-12-13 11:01:37662 
自1980年代之后，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)才開(kāi)始跨越式的進(jìn)步，三星在1983年開(kāi)始籌備集成電路制造，也即DRAM的研發(fā)。三星電子在存儲(chǔ)器方面的成功,有外在因素，如韓國(guó)政府的大力支持，以及美國(guó)對(duì)于日本半導(dǎo)體的反傾銷策略等，顯然三星電子內(nèi)在因素起著決定性的作用。
2016-12-28 14:23:11564
據(jù)了解，在今年的半導(dǎo)體行業(yè)中三星豪擲260億美元投資其中，數(shù)額增至260億美元被稱為半導(dǎo)體史上最大的投資額度。三星的巨額投資將會(huì)影響該行業(yè)未來(lái)的格局?；蛴锌赡軌褐浦袊?guó)儲(chǔ)存器廠商的發(fā)展
2017-11-17 11:24:251522 
根據(jù)21017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)的需求來(lái)看，今年中韓存儲(chǔ)器業(yè)將紛紛擴(kuò)大存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)能，預(yù)定2018、2019 年投產(chǎn)。外界擔(dān)憂，大規(guī)模的擴(kuò)產(chǎn)將有可能導(dǎo)致2019 年半導(dǎo)體原料大缺貨。
2018-01-03 13:55:011561 三星手機(jī)存儲(chǔ)器最新資料下載
2018-01-19 09:44:541 因2017年存儲(chǔ)器領(lǐng)域遭遇大幅度的內(nèi)存不足，飚價(jià)過(guò)高，三星等存儲(chǔ)器巨頭借此賺的缽滿盆盈。今年中國(guó)廠商將進(jìn)行大規(guī)模的擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)器價(jià)格將會(huì)有所松動(dòng)，也就是說(shuō)三星半導(dǎo)體龍頭將不保。
2018-02-01 09:37:211089 全球市場(chǎng)調(diào)查公司顧能（Gartner）最新研究報(bào)告指出，三星2017年擠下英特爾，成為全球最大的半導(dǎo)體制造商，但隨著大陸存儲(chǔ)器廠大幅擴(kuò)產(chǎn)，存儲(chǔ)器價(jià)格將下調(diào)，三星半導(dǎo)體龍頭寶座恐坐不久。
2018-06-28 11:18:00976 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道， 三星電子 表示，已經(jīng)開(kāi)始在華城工廠建設(shè)一條新的 半導(dǎo)體 生產(chǎn)線，該生產(chǎn)線將生產(chǎn)7納米或更小的芯片。 三星將投資60億美元到2019年完成的生產(chǎn)線上，并在2020年開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。三星公司將在開(kāi)始運(yùn)營(yíng)時(shí)根據(jù)市場(chǎng)情況投入更多資金。
2018-04-26 15:14:002366 三星 17 日宣布，量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲(chǔ)器顆粒，速率可達(dá) 6，400Mbps，比現(xiàn)有 LPDDR4-4266 存儲(chǔ)器快了 50%，同時(shí)功耗降低 30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004088 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來(lái)下一代存儲(chǔ)器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢(shì)正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 （MRAM） 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說(shuō)明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
2018-05-29 15:42:002967 
三星在半導(dǎo)體市場(chǎng)的地位舉足輕重，尤其是存儲(chǔ)器更是獨(dú)霸一方，但是這也導(dǎo)致三星的業(yè)務(wù)對(duì)于存儲(chǔ)器的依賴過(guò)于嚴(yán)重，而如今最火爆的AI方面，三星有些遲鈍了，該如何追趕成為現(xiàn)在最重要的事。
2018-06-20 09:54:373847 收成長(zhǎng) 64%，也使得存儲(chǔ)器在 2017 年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的總收入中占比達(dá)到 31%。而這樣的發(fā)展，雖然使得韓國(guó)三星一舉擠下了處理器大廠英特爾 （intel），成為全球最大的半導(dǎo)體制造商。不過(guò)，這樣的情況隨著中國(guó)存儲(chǔ)器廠的大幅擴(kuò)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)器價(jià)格將會(huì)下調(diào)，讓三星這個(gè)半導(dǎo)體龍頭的寶座再拱手讓出。
2018-07-06 14:01:001521 IC Insights預(yù)計(jì)，存儲(chǔ)器占2018年三星半導(dǎo)體銷售額的84％，將比2017年的81％上升3個(gè)點(diǎn)；三星除存儲(chǔ)器外的其他半導(dǎo)體產(chǎn)品今年銷售額僅為135億美元，比2017年增長(zhǎng)8％。相反，三星今年的存儲(chǔ)器銷售額預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)31％，達(dá)到700億美元。
2018-08-22 13:22:543887 
就在臺(tái)積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲(chǔ)器龍頭三星在未來(lái)1Y納米制程的DRAM存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)上，也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外，韓國(guó)另一家
2018-10-29 17:03:244026 Random Access Memory)，它是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 (SRAM) 的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 (DRAM) 的高集成度，而且基本上可以無(wú)限
2018-12-17 16:09:01429 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器，易失存儲(chǔ)器在過(guò)去的幾十年里沒(méi)有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）為主，非易失存儲(chǔ)器反而不斷有
2019-01-01 08:55:0013980 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。
2019-01-07 16:46:4916885 三星電子是存儲(chǔ)器半導(dǎo)體行業(yè)全球第一的企業(yè)，由于最近存儲(chǔ)器半導(dǎo)體需求不振、價(jià)格下跌，轉(zhuǎn)為強(qiáng)調(diào)發(fā)展晶圓代工、系統(tǒng)半導(dǎo)體等非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體領(lǐng)域。韓國(guó)證券界指出，三星電子將收購(gòu)海外非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體企業(yè)，備選企業(yè)有荷蘭恩智浦半導(dǎo)體,德國(guó)英飛凌，美國(guó)賽靈思等，3家公司均是系統(tǒng)半導(dǎo)體企業(yè)
2019-02-20 17:06:506421 
據(jù)日本共同社21日?qǐng)?bào)道，日本半導(dǎo)體巨頭東芝存儲(chǔ)器最快將于今年9月在東京證券交易所首次公開(kāi)募股(IPO)。另?yè)?jù)路透社報(bào)道，東芝存儲(chǔ)器的上市或將成為日本今年最大規(guī)模IPO。
2019-02-22 14:38:435614 半導(dǎo)體界人士認(rèn)為，三星展開(kāi)并購(gòu)的可能性很大。三星是全球第一大存儲(chǔ)器半導(dǎo)體公司，但時(shí)下存儲(chǔ)器半導(dǎo)體需求不振，價(jià)格下跌，迫使三星尋求非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展機(jī)會(huì)，而并購(gòu)則是最直接的手段。之前傳聞三星有意收購(gòu)格羅方德，進(jìn)一步擴(kuò)大半導(dǎo)體代工的規(guī)模。
2019-03-08 08:59:02956 三星宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:581340 據(jù)報(bào)道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-25 14:42:513762 從韓國(guó)三星電子及韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)方面了解到，為配合韓國(guó)政府對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的扶持計(jì)劃，三星電子將出資30萬(wàn)億韓元，培育非存儲(chǔ)類系統(tǒng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，并以2030年前在全球占領(lǐng)領(lǐng)先地位作為目標(biāo)。
2019-04-26 10:49:023736 就在當(dāng)前DRAM價(jià)格處于低檔，沖擊到韓國(guó)三星的營(yíng)運(yùn)狀況時(shí)，三星不斷加強(qiáng)其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，來(lái)填補(bǔ)存儲(chǔ)器低價(jià)所造成的營(yíng)收缺口。其中，除了大規(guī)模投資晶圓代工設(shè)備，期望能從臺(tái)積電手中搶下部分生意之外，還期望能借由號(hào)稱低價(jià)且高品質(zhì)的影像傳感器產(chǎn)品，挑戰(zhàn)日本SONY在此市場(chǎng)上的龍頭地位。
2019-08-12 16:15:013943 MRAM)在新興非揮發(fā)存儲(chǔ)器中發(fā)展較為成熟，2018年主要供應(yīng)商Everspin營(yíng)收可望年增36%，2019~2020年以后，隨GlobalFoundries、臺(tái)積電、三星、聯(lián)電等晶圓代工廠商逐步
2019-09-11 17:33:293777 三星宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591577 全球第一的非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體企業(yè)英特爾在韓國(guó)推出新一代存儲(chǔ)器半導(dǎo)體，外界解讀，英特爾選在存儲(chǔ)器半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)發(fā)表新產(chǎn)品，是在向全球前兩大存儲(chǔ)器半導(dǎo)體企業(yè)三星電子、SK海力士宣戰(zhàn)。
2019-09-27 17:20:141177 根據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，在當(dāng)前存儲(chǔ)器價(jià)格已經(jīng)觸底反彈，整體市場(chǎng)庫(kù)水水位也進(jìn)一步降低的情況之下，三星決定開(kāi)始恢復(fù)針對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的投資。而根據(jù)知情人士的消息指出，三星最近為韓國(guó)P2晶圓廠訂購(gòu)了DRAM設(shè)備，也
2019-10-30 15:15:303224 據(jù)韓國(guó)業(yè)界 27 日消息，三星電子重啟存儲(chǔ)器投資項(xiàng)目。據(jù)了解，目前新建的平澤存儲(chǔ)器第二工廠和中國(guó)西安第二工廠已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)入半導(dǎo)體設(shè)備訂購(gòu)階段。
2019-11-19 10:37:46998 臺(tái)工業(yè)技術(shù)研究院10日于美國(guó)舉辦的國(guó)際電子元件會(huì)議（IEDM）中發(fā)表鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）、磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）等6篇技術(shù)論文。其中，從研究成果顯示，工研院相較臺(tái)積電、三星的MRAM技術(shù)更具穩(wěn)定、快速存取優(yōu)勢(shì)。
2019-12-10 14:15:493198 三星半導(dǎo)體DS部門負(fù)責(zé)人金基南表示，盡管新冠肺炎疫情等不確定因素的影響仍會(huì)持續(xù)下去，但在人工智能以及汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的擴(kuò)張、數(shù)據(jù)中心的投資與 5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的帶動(dòng)下，全球半導(dǎo)體需求有望增長(zhǎng)。此外，他特別強(qiáng)調(diào)，三星正在進(jìn)行制程升級(jí)的相關(guān)投資，與去年相比，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)會(huì)在今年趨于穩(wěn)定。
2020-03-19 15:59:442917 ReRAM，目前暫無(wú)商用產(chǎn)品，其代表公司是美國(guó)的Crossbar。 上述新型存儲(chǔ)器已被研究了近數(shù)十年，只是相對(duì)于早已產(chǎn)業(yè)化的隨機(jī)存儲(chǔ)sram、DRAM存儲(chǔ)器、和NAND Flash，還未能大規(guī)模商用
2020-04-25 11:05:573525 
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面由英尚微電子詳細(xì)介紹
2020-04-30 15:48:133900 
新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FeRAM），磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM），相變存儲(chǔ)器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:312446 新式存儲(chǔ)器技術(shù)隊(duì)伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技術(shù)、材料、設(shè)備等環(huán)節(jié)的關(guān)鍵突破，正邁向大規(guī)模量產(chǎn)的路上，眼前我們正處于見(jiàn)證存儲(chǔ)器歷史的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。新式存儲(chǔ)器可分為獨(dú)立型產(chǎn)品，以及嵌入于邏輯
2020-06-30 16:21:581550 MRAM（磁性RAM）是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)（MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備）。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力，能夠將存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)
2020-08-07 17:06:122668 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂非易失性是指掉電后﹐仍可以保持存儲(chǔ)內(nèi)容完整，此功能與Flash閃存相同;而隨機(jī)存取是指處理器讀取資料時(shí)，不定要從頭開(kāi)始，隨時(shí)都可用相同的速率，從內(nèi)存的任何
2020-09-21 13:50:343890 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。專注于代理銷售MRAM芯片等存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商英尚微電子詳細(xì)介紹關(guān)于MRAM
2020-10-21 14:32:592572 
MRAM與傳統(tǒng)的隨機(jī)存儲(chǔ)器的區(qū)別在于MRAM的信息攜帶者是磁性隧道結(jié)（MTJ ），而后者則是電荷。 每一個(gè)磁性隧道結(jié)包含一個(gè)固定層和一個(gè)自由層。固定層的磁化方向被固定了，而自由層的磁化方向可以由旋轉(zhuǎn)
2020-11-09 16:23:541339 MRAM是磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Magneto-resistiveRandom Access Memory ）的縮寫。MRAM是一種非揮發(fā)性電腦存儲(chǔ)器（ NVRAM ）技術(shù)，從20世紀(jì)90年代以來(lái)
2020-11-24 14:45:22941 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。 MRAM的存儲(chǔ)原理 MRAM
2020-12-09 15:54:193134 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片，按照讀寫功能可分為隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器（RandomAccessMemory，RAM）和只讀存儲(chǔ)器（ReadOnlyMemory，ROM）兩大類。
2020-12-28 10:11:387291 今天，三星宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其最先進(jìn)的數(shù)據(jù)中心 SSD 生產(chǎn)線，PM9A3 E1.S。 三星表示，PM9A3 完全符合 OCP NVMe 云 SSD 規(guī)范，滿足企業(yè)工作負(fù)載的嚴(yán)格要求。 IT之家
2021-02-24 16:00:212315 一些自旋電子存儲(chǔ)器已經(jīng)面世。MRAM（磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器）已經(jīng)商業(yè)化，在某些情況下可以取代電子存儲(chǔ)器，但它是基于鐵磁開(kāi)關(guān)的。
2022-07-22 17:05:142353 三星半導(dǎo)體宣布，通過(guò)結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)了基于MRAM（磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)）的存儲(chǔ)內(nèi)運(yùn)算（In-Memory Computing），進(jìn)一步拓展了三星下世代低功耗AI芯片技術(shù)。
2022-11-10 12:16:211045 按照存儲(chǔ)介質(zhì)的不同，現(xiàn)代數(shù)字存儲(chǔ)主要分為光學(xué)存儲(chǔ)器、磁性存儲(chǔ)器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器三類。光學(xué)存儲(chǔ)器包括 CD、DVD 等。磁性存儲(chǔ)器包含磁帶、軟盤、HDD 硬盤等。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是目前存儲(chǔ)領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模最大
2022-12-01 10:18:333782 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:464760 何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器？ 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:132304 
在三星和sk hynix的最大存儲(chǔ)器市場(chǎng)——智能手機(jī)和電腦市場(chǎng)上，因終端機(jī)需求的減少，存儲(chǔ)器半導(dǎo)體價(jià)格暴跌之后，大部分半導(dǎo)體制造企業(yè)撤回了對(duì)新存儲(chǔ)器設(shè)備的投資。投資者們熱切地期待著復(fù)蘇的跡象。
2023-10-31 11:39:061303 后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失存儲(chǔ)器（Volatile Memory），存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:012866 
根據(jù)最新的韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子已經(jīng)做出重大決策，將對(duì)公司的顯示部門和半導(dǎo)體部門進(jìn)行大規(guī)模的重組和任務(wù)調(diào)整。
2023-12-28 16:31:351813 MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:032925 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（Semiconductor Memory）是一種電子元件，用于存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)。它由半導(dǎo)體材料制成，采用了半導(dǎo)體技術(shù)，是計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中最常用的存儲(chǔ)器。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩種
2024-02-01 17:19:055136 在全球人工智能市場(chǎng)蓬勃發(fā)展的浪潮下，三星電子再次展現(xiàn)出其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的雄心壯志，宣布進(jìn)行大規(guī)模改組，以進(jìn)一步鞏固其在行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位。此次改組的核心在于新設(shè)一個(gè)專注于高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，旨在滿足人工智能市場(chǎng)對(duì)高性能存儲(chǔ)解決方案的激增需求。
2024-07-05 16:25:391394
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