據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，三星于今（18）日，召開了股東大會(huì)。

三星半導(dǎo)體DS部門負(fù)責(zé)人金基南表示，盡管新冠肺炎疫情等不確定因素的影響仍會(huì)持續(xù)下去，但在人工智能以及汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的擴(kuò)張、數(shù)據(jù)中心的投資與 5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的帶動(dòng)下，全球半導(dǎo)體需求有望增長(zhǎng)。此外，他特別強(qiáng)調(diào)，三星正在進(jìn)行制程升級(jí)的相關(guān)投資，與去年相比，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)會(huì)在今年趨于穩(wěn)定。

此外，金基南談及了三星的工作計(jì)劃，擬定在存儲(chǔ)器領(lǐng)域通過(guò)開發(fā)第四代10nm級(jí)DRAM和第七代V NAND以擴(kuò)大技術(shù)差距，另外通過(guò)高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）等產(chǎn)品來(lái)確保在新興領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。

在系統(tǒng)大規(guī)模集成電路（LSI）方面，金基南指出，三星打算提高在 5G 和高分辨率感光元件的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

另外在晶圓代工市場(chǎng)方面，金基南則表示三星計(jì)劃用 5 納米制程來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片量產(chǎn)，同時(shí)也會(huì)進(jìn)行 3 納米制程的研發(fā)，以鞏固其在半導(dǎo)體制造上的領(lǐng)先地位。

關(guān)于與臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)問(wèn)題，金基南也給與了回應(yīng)，他表示，代工市場(chǎng)是由先進(jìn)的工藝決定的，在這方面，三星并不比臺(tái)積電差。