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關(guān)于工藝節(jié)點(diǎn)的分析和介紹以及發(fā)展

lC49_半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:djl ? 作者:ED SPERLING ? 2019-09-03 11:04 ? 次閱讀
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大量的新節(jié)點(diǎn)、半節(jié)點(diǎn),以及在兩者之間的每一個(gè)數(shù)字的產(chǎn)生正在芯片制造商之造成混淆。雖然大多數(shù)人認(rèn)為有選擇是好事,但大家并不清楚哪個(gè)或哪些選擇是上策。

問(wèn)題在于哪個(gè)IP可用于這些節(jié)點(diǎn);該IP在功率、性能、面積和對(duì)各種噪聲類型的敏感度方面與其他節(jié)點(diǎn)的差異如何;面對(duì)不同的節(jié)點(diǎn)和nodelet,不同版本的IP對(duì)應(yīng)那些不同制造工藝進(jìn)行測(cè)試。因?yàn)榇蠖鄶?shù)新的不全節(jié)的節(jié)點(diǎn)定義尚未明確。因此,對(duì)于哪種類型的晶體管會(huì)被使用,哪種會(huì)影響柵極泄漏和動(dòng)態(tài)功率密度,以及這將如何影響相鄰的IP和其他組件需要多少額外的掩模圖案等等問(wèn)題,現(xiàn)在下結(jié)論還為時(shí)過(guò)早。

ClioSoft公司的營(yíng)銷副總裁Ranjit Adhikary表示:“現(xiàn)在,不同廠商之間的節(jié)點(diǎn)數(shù)字和名字不盡相同,每一種的PPA(性能、功耗、面積)表現(xiàn)怎么樣?因?yàn)镻PA是決定你設(shè)計(jì)產(chǎn)品使用哪種IP的最基礎(chǔ)因素。但是,因?yàn)檫x擇太多,現(xiàn)在你需要查看哪些代工廠提供它,它支持哪個(gè)節(jié)點(diǎn)。對(duì)于每個(gè)IP,可能會(huì)有不同的內(nèi)存或緩存,并且因代工廠、類別和工藝節(jié)點(diǎn)而異。”

關(guān)于工藝節(jié)點(diǎn)的分析和介紹以及發(fā)展

代工廠的計(jì)劃和它們?nèi)缃竦奈恢谩?(來(lái)源:Analysts, Foundry Reports/Semiconductor Engineering)

但是,所有主要的工藝節(jié)點(diǎn)都有多種類型,多個(gè)部分節(jié)點(diǎn)從22nm到3nm不等。這引發(fā)了關(guān)于哪些IP可用的問(wèn)題,它是否已針對(duì)每個(gè)節(jié)點(diǎn)進(jìn)行了充分的特性描述和測(cè)試,以及是否會(huì)支持適用于不同的終端市場(chǎng)所需要的時(shí)間。這對(duì)移動(dòng)器件而言并不是問(wèn)題,在過(guò)去的幾十年中,移動(dòng)器件以相對(duì)較短的產(chǎn)品周期占據(jù)了芯片市場(chǎng)的主導(dǎo)地位,但對(duì)于工業(yè)和汽車應(yīng)用而言則完全是另外一回事,此處的器件需要數(shù)十年的支持。

Synopsys公司DesignWare Analog和MSIP解決方案集團(tuán)的高級(jí)營(yíng)銷總監(jiān)Navraj Nandra表示:“我們從未見(jiàn)過(guò)如此的代工廠節(jié)點(diǎn)激增。我們有從18nm到1nm的節(jié)點(diǎn)名稱。但這需要管理層承諾投資一個(gè)節(jié)點(diǎn)。他們希望看到硬IP是否可用,為此,你需要一個(gè)可用的SoC,因?yàn)槟愦_實(shí)希望看到在新節(jié)點(diǎn)中使用的IP的芯片測(cè)試報(bào)告。這同樣需要IP供應(yīng)商的投資。所以代工廠可能會(huì)從時(shí)序角度和ROI角度(如高速內(nèi)存接口或基于HBM的產(chǎn)品)中找到一些稍好的東西。 但你也可能在這里花一大筆錢(qián),卻賺不到錢(qián)?!?/p>

這似乎是IP開(kāi)發(fā)人員的一致意見(jiàn)。他們沒(méi)有像過(guò)去那樣支持每個(gè)節(jié)點(diǎn),而是試圖評(píng)估哪些節(jié)點(diǎn)可能產(chǎn)生足夠的產(chǎn)量,以創(chuàng)造合理的投資回報(bào)。努力并不總是轉(zhuǎn)化為利潤(rùn),特別是在高級(jí)節(jié)點(diǎn)上,而錯(cuò)誤的選擇可能代價(jià)高昂。

Cadence公司的產(chǎn)品營(yíng)銷,DDR,HBM,F(xiàn)lash/存儲(chǔ)和MIPI IP部門(mén)主管 Marc Greenberg表示:“我們都知道,較新的工藝掩模圖案更多的是一種工藝能力(晶體管密度和功率/速度的折中)指南,而不是工藝的任何實(shí)際物理尺寸。迄今為止的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)一直是指出工藝中的關(guān)鍵差異——例如,SiON(氮氧化硅)vs high-k/metal gate,是否使用EUV——使用字母或符號(hào)后綴對(duì)工藝進(jìn)行標(biāo)記。但是這可能最終會(huì)成為新的nodelet而不是新的后綴。在28nm節(jié)點(diǎn)上,我們看到了28nm工藝的很多變種,它們通?;ゲ患嫒?。這為IP行業(yè)帶來(lái)了許多工作,以涵蓋所有這些工藝節(jié)點(diǎn)的變化。我們還看到一些早期的finFET節(jié)點(diǎn)起飛出現(xiàn)了一些困難,這對(duì)于IP行業(yè)來(lái)說(shuō)是更大的工作,而這并不一定會(huì)轉(zhuǎn)化為銷量?!?/p>

nodelet是什么?

市場(chǎng)營(yíng)銷術(shù)語(yǔ)是造成nodelet困惑的主要原因。數(shù)字也模糊到?jīng)]有人確切知道數(shù)字的真正含義。例如臺(tái)積電和三星所謂的5nm實(shí)際上是英特爾、GlobalFoundries和Imec的7nm,對(duì)于10/7nm和5/3nm也是如此。最重要的是,這些節(jié)點(diǎn)有不同的版本,基于低功耗、基于高性能、基于成本,每一種都有其不同的特點(diǎn)。

Synopsys公司的Nandra表示:“一個(gè)既定節(jié)點(diǎn)的預(yù)想的工藝是,如果它在量產(chǎn),那么你可以優(yōu)化該節(jié)點(diǎn)。例如,你有28nm,你知道它很好用,而缺陷密度是一個(gè)固定的百分比。為了改善這一點(diǎn),你可以稍微壓縮一下,給它一個(gè)新的名字,比如22nm。但這并不意味著它有22nm的柵極長(zhǎng)度。你只是做了一些事情來(lái)讓它擁有更好的密度。對(duì)于IP行業(yè)而言,這不應(yīng)該是一個(gè)大的改變。但是,當(dāng)涉及到高速版本時(shí),由于封裝的提取,仿真,電阻,電容和感應(yīng)關(guān)系,光學(xué)縮小對(duì)晶體管的影響,所有這些都會(huì)造成大量的重新工作。你需要對(duì)IP進(jìn)行完全的重新驗(yàn)證。布局后寄生參數(shù)提取可能是一個(gè)相當(dāng)大的挑戰(zhàn)?;蛘吣阈枰瓿梢粋€(gè)新的測(cè)試芯片,以確保你沒(méi)有遺漏任何東西?!?/p>

在finFET時(shí)代之前,代工廠將采用英特爾的節(jié)點(diǎn)和半節(jié)點(diǎn)的“Tick-Tock”策略。但是,在28nm之后,節(jié)點(diǎn)編號(hào)開(kāi)始分裂成可能或不可能出現(xiàn)的編號(hào)片段,這在很大程度上是因?yàn)闆](méi)有足夠的IP選擇使它們可行。雖然大IP供應(yīng)商將跟進(jìn),至少目前來(lái)說(shuō),目前還不清楚行業(yè)其他廠商能否跟上。

Cadence公司的Greenberg表示:“12/11nm節(jié)點(diǎn)也獲得了代工廠的良好支持。我們從代工廠得到的指導(dǎo)是,它應(yīng)該是一個(gè)從16/14nm到12/11nm的‘簡(jiǎn)單’IP端口。然而,在某些情況下,我們已經(jīng)采取了生產(chǎn)和描述這些節(jié)點(diǎn)的新IP測(cè)試芯片的步驟。一些代工廠正在支持10nm半節(jié)點(diǎn)和它的8nm nodelet,我們正在支持選擇的IP。在7nm處,我們有一個(gè)強(qiáng)大的節(jié)點(diǎn),Cadence廣泛支持最新的先進(jìn)技術(shù)IP?,F(xiàn)在還無(wú)法確定是否會(huì)有一個(gè)廣泛支持的6nm節(jié)點(diǎn),或者行業(yè)是否會(huì)跳躍到5nm?!?/p>

Nandra指出,這一工作可能比IP開(kāi)發(fā)者預(yù)期的更昂貴?!叭绻梢缘脑挘蛻魰?huì)要求基于芯片的特性報(bào)告。如果有強(qiáng)大的模擬/混合信號(hào)部分,客戶會(huì)更加保守。他們希望看到更多的芯片?!?/p>

越來(lái)越多細(xì)節(jié)中的魔鬼

對(duì)于28nm及以下的節(jié)點(diǎn),節(jié)點(diǎn)的微縮似乎沒(méi)有盡頭。目前的估計(jì)是在1.2到1.3nm之間,盡管確切的數(shù)字可能會(huì)根據(jù)環(huán)繞閘極FET vs finFET的類型而變化,例如,引入光刻選項(xiàng),如定向自組裝和high-NA EUV來(lái)擴(kuò)展器件微縮比例,以及在計(jì)量、蝕刻和沉積方面的進(jìn)步。

Fraunhofer公司工程自適應(yīng)系統(tǒng)部門(mén)設(shè)計(jì)方法負(fù)責(zé)人Roland Jancke表示:“7nm技術(shù)正在開(kāi)發(fā)中,5nm和4nm已經(jīng)公布。為了提高這種技術(shù)的性能,集成器件是極度優(yōu)化的。因此,在技術(shù)節(jié)點(diǎn)中出現(xiàn)了大量的獨(dú)立器件類型,例如I/O器件、核心器件、上拉和下拉器件、以及器件的幾個(gè)閾值電壓版本。這種趨勢(shì)極大地增加了技術(shù)特性、資格和模型開(kāi)發(fā)的工作量,這需要在每次工藝變更后重復(fù)進(jìn)行?!?/p>

此外,這些器件對(duì)諸如溫度和噪音等物理因素越來(lái)越敏感。閾值電壓在不同溫度下響應(yīng)不同,并且靈敏度隨著每個(gè)節(jié)點(diǎn)縮小而增加。其結(jié)果是需要比過(guò)去更詳細(xì)的描述。

Rambus公司的首席科學(xué)家Craig Hampel表示:“我們?cè)诟遃t段上做了調(diào)整,起初沒(méi)能解決這個(gè)問(wèn)題。所以,現(xiàn)在如果我們有高Vt,我們會(huì)提高特性描述的級(jí)別。在過(guò)去的幾年里,隨著節(jié)點(diǎn)遷移到16nm,我們的特性描述幾乎增加了四倍?!?/p>

在此之后,每個(gè)新節(jié)點(diǎn)的問(wèn)題也會(huì)越來(lái)越嚴(yán)重。但是,增加的特性描述不再只是較低節(jié)點(diǎn)的問(wèn)題。舊節(jié)點(diǎn)工藝也有許多變體,而且還有更多涉及安全性和可靠性的使用案例,即使在較舊節(jié)點(diǎn)上也需要更多特性描述。

Fraunhofer公司的Jancke表示:“對(duì)于低至110nm以內(nèi)的混合信號(hào)技術(shù)節(jié)點(diǎn),在給定節(jié)點(diǎn)中存在著巨大的多樣性。對(duì)于超低功耗、高功率、高電壓、RF和光學(xué)應(yīng)用、MEMS器件等等,通常有單獨(dú)的技術(shù)版本。另一方面,設(shè)計(jì)師傾向于將SoC的幾個(gè)部分集成到一個(gè)硅片裸片中,這導(dǎo)致了功率集成電路的BCD工藝等組合技術(shù)的興趣和發(fā)展?!?/p>

這也使得評(píng)估哪個(gè)IP最有效變得更困難,因?yàn)橐粋€(gè)IP需要與其他IP協(xié)同工作。 所有這些都會(huì)影響上市時(shí)間,整體成本以及功率/性能。甚至更糟糕的是,如果可用選項(xiàng)較少,則可能會(huì)限制器件的功能。

ClioSoft公司的Adhikary表示:“有很多問(wèn)題需要用IP來(lái)解答。如果你想要更高的性能,從9nm節(jié)點(diǎn)獲取IP并將其移動(dòng)到5nm,那么這樣做你能獲得多少面積?為一個(gè)新節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)IP可能需要三到四個(gè)月的時(shí)間。不過(guò),你真的能在面積和性能上獲得好處嗎?如果你每年都要做多次流片,你使用的是什么版本的IP?如果其他人使用該IP,他們是否使用相同的PDK庫(kù)?如果你正在將IP與其他IP集成,你確實(shí)需要確保你擁有相同版本的PDK。我們現(xiàn)在更關(guān)注PDK的版本和什么版本的庫(kù)正在使用。你需要了解的細(xì)節(jié)越來(lái)越多?!?/p>

從IP開(kāi)發(fā)人員的角度來(lái)看,這也是有問(wèn)題的。Synopsys公司的Nandra表示:“這種工作的差異顯然會(huì)出現(xiàn)在更新的技術(shù)版本上。開(kāi)發(fā)7nm或10nm IP比14nm或28nm需要更長(zhǎng)的時(shí)間,而且這項(xiàng)工作通常是原來(lái)工作量的兩到四倍?!?/p>

結(jié)論

所有這一切都因新節(jié)點(diǎn)、nodelet和節(jié)點(diǎn)命名約定而變得更加復(fù)雜。代工廠已經(jīng)加大了提供更多數(shù)據(jù)的力度,而且IP供應(yīng)商的特性描述要比過(guò)去更多,因?yàn)槊總€(gè)新節(jié)點(diǎn)和nodelet的容限變得更加緊密。

Greenberg表示:“每個(gè)人都從28nm時(shí)代開(kāi)始學(xué)習(xí),雖然在節(jié)點(diǎn)的生命周期中總會(huì)有工藝方面的進(jìn)步,但代工廠已經(jīng)更好地為IP提供商提供了早期的指導(dǎo),并指導(dǎo)了基本過(guò)程及其變體之間的差異。在某些情況下,這允許我們針對(duì)來(lái)自同一IP開(kāi)發(fā)的節(jié)點(diǎn)及其nodelet或多個(gè)后綴工藝的混合信號(hào)IP進(jìn)行開(kāi)發(fā)。當(dāng)代工廠能夠提前將這些計(jì)劃傳達(dá)給我們時(shí),它有助于我們提供更廣泛的IP,并最終有助于降低成本?!?/p>

但至少在可預(yù)見(jiàn)的將來(lái),管理節(jié)點(diǎn)名稱、數(shù)字和IP版本將變得更加困難。有太多的選擇和潛在的交互作用,還有太多的定義不清或尚未定義的變動(dòng)部分。

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