全球存儲器壟斷格局已經(jīng)持續(xù)近20年，按2018年12月數(shù)據(jù)，韓國三星，海力士總計獲得DRAM的73%及NAND閃存52%的市場份額。但是據(jù)觀察，未來這樣的壟斷格局遲早可能會發(fā)生改變。

根本原因是市場中的利益不可能長久獨(dú)占，到時候一定會分化，它是全球市場化的基本規(guī)則。

存儲器業(yè)前景看好

美光副總裁Sumit Sadana認(rèn)為存儲器業(yè)將迎來未來10-20年的好光景。按照成長率計，NAND的年均增長率可達(dá)35%，以及DRAM為15-19%。

因為存儲器是伴隨著計算機(jī)業(yè)成長與進(jìn)步，開初時CPU與存儲器的銷售額為近1：1，如今在移動時代，加上AI，5G及大數(shù)據(jù)等共同推動下，存儲器的使用量大幅上升，在2018年已經(jīng)達(dá)到3：1，存儲器的銷售額已達(dá)1,600億美元。

阿里云智聯(lián)網(wǎng)首席科學(xué)家丁險峰預(yù)測，2030年大陸將會設(shè)計制造世界上80~90%的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備以及50%的云端運(yùn)算。80%的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備不僅制造在大陸，設(shè)計也在大陸。物聯(lián)網(wǎng)是高度碎片化的市場，必須有大量的工程師支持各種應(yīng)用場景。大陸的認(rèn)知運(yùn)算將占據(jù)全球一半以上。

IDC預(yù)測2020年全球數(shù)據(jù)總量將突破40ZB，到2025年，全球聯(lián)網(wǎng)設(shè)備一年產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量達(dá)到79.4ZB。在阿里云棲大會上，阿里巴巴董事長張勇提出的公開預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，到2025年，全球一年產(chǎn)生的數(shù)據(jù)將達(dá)175ZB，是IDC預(yù)測的兩倍。

雖然全球數(shù)據(jù)量呈爆炸式增長，但是數(shù)據(jù)的存儲卻面臨很大的挑戰(zhàn)，那就是存儲產(chǎn)業(yè)的增長速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)追不上數(shù)據(jù)增長的速度。

從歷史的數(shù)據(jù)看，2018年全球生成了32ZB的數(shù)據(jù)但是只有5ZB的數(shù)據(jù)被存儲下來，預(yù)計到2023年，全球會有103ZB數(shù)據(jù)產(chǎn)生，但是能存儲的數(shù)據(jù)只有12ZB！所以只有不到10%的數(shù)據(jù)被存儲！

為什么全球存儲器產(chǎn)能不會同步的跟進(jìn)？這是個非?，F(xiàn)實的問題，由于產(chǎn)能擴(kuò)充需要投入大量的資金，另外存儲器的價格與供求緊密相關(guān)，所以每個大廠在產(chǎn)能擴(kuò)充方面都是十分謹(jǐn)慎。它們的邏輯是寧愿讓市場的供應(yīng)稍稍短缺一些。

再有存儲器的周期性起伏十分明顯，需要企業(yè)有充足的現(xiàn)金流支持。所以即便在市場態(tài)勢上升時，存儲器的產(chǎn)能擴(kuò)充仍是緩慢的，不太可能急升。

據(jù)Gartner的預(yù)測，2018年全球DRAM月產(chǎn)能總計約1250K片(12英寸計)，其中三星為460K片，海力士350K及美光的345K。至2021年時估計新建產(chǎn)能再增加20-25萬片。

另據(jù)IBS的預(yù)測，2018年全球NAND閃存月產(chǎn)能總計約為1450K，到2021年時約為1,700K，在此期間再增加新建產(chǎn)能約為300K，總計為月產(chǎn)能近2,000K。

強(qiáng)手都欲聚焦存儲器

“人無遠(yuǎn)慮必有近憂”，再好的企業(yè)也必須要具有危機(jī)感，想到“萬一”情況出現(xiàn)時相應(yīng)的對策，如三星，已是連續(xù)多年全球存儲器老大，2018年它的存儲器利潤創(chuàng)新高，但是近期它宣布在未來的10年中要總投資達(dá)1,000億美元，欲奪取全球代工的首位。

再如英特爾，它己連續(xù)多年是全球半導(dǎo)體銷售額的首位，雖然它是全球最早做存儲器的企業(yè)之一，但是之后離開存儲器集中力量做處理器。如今時隔34年后它宣布要重返存儲器市場。發(fā)布新一代存儲器業(yè)務(wù)戰(zhàn)略，將炮火瞄準(zhǔn)存儲器半導(dǎo)體大廠三星電子和SK海力士。

英特爾為何選擇向存儲器市場進(jìn)攻呢？它的高級副總裁兼非易失性存儲器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理羅布?克魯克解釋，因為存儲器和CPU有密不可分的關(guān)系，為加強(qiáng)CPU潛力，因此選擇進(jìn)軍存儲器，并決定再擴(kuò)新墨西哥州的新生產(chǎn)線。

值得注意的是英特爾采用3D Xpoint、是與美光聯(lián)合發(fā)布的新型閃存技術(shù)，號稱是25年來存儲技術(shù)的革命性突破，速度是目前NAND閃存的1000倍，耐用性也是目前閃存的1000倍，密度是NAND的10倍。

英特爾指出，機(jī)器所產(chǎn)生的大量資料通常需透過實時分析后，才能賦予數(shù)據(jù)價值。此項需求凸顯了內(nèi)存儲層級結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的缺口，即DRAM容量不足、SSD則不夠快。而這些缺口可透過Optane DC持續(xù)性內(nèi)存來填補(bǔ)，就連更大量的數(shù)據(jù)集(data set)也可透過儲存接口連接的Optane技術(shù)來填補(bǔ)缺口。

然而英特爾能否如愿以償，決定于3D Xpoint產(chǎn)品能否取得眾多服務(wù)器客戶的青睞，目前尚為時過早。

另外，如全球代工的臺積電，實際上它一直在作嵌入式存儲器的代工。但是它至今并未表示要向存儲器進(jìn)軍。僅是業(yè)界有人認(rèn)為臺積電要保持“常青”，應(yīng)該及早跨入存儲器業(yè)，此話并非一時沖動。因為全球代工業(yè)中臺積電的市占己達(dá)54%，離第二名的三星有很大的距離。但是由于工藝制程技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入3nm，計劃向2nm挺進(jìn)，甚至達(dá)1nm。不可否認(rèn)的事實，僅5nm的工藝研發(fā)費(fèi)用為近5億美元，及3nm為近15億美元，業(yè)界預(yù)估2nm時可能高達(dá)65億美元。而7nm的一次工藝流片費(fèi)用約3，000萬美元，及5nm的流片費(fèi)用高達(dá)約3億人民幣。

由此隨著定律接近終點(diǎn)，工藝研發(fā)費(fèi)用呈火箭狀上升，能支持高額費(fèi)用的fabless越來越少。所以臺積電要開辟新的戰(zhàn)場是理所當(dāng)然的事。

權(quán)衡比較，顯然存儲器業(yè)是“甜點(diǎn)”，因為它的市場容量大，成功的關(guān)鍵要充滿信心及大量資金投入，對于臺積電來說技術(shù)可能不是阻礙。所以業(yè)界有人猜測臺積電要涉足存儲器也并非捕風(fēng)捉影。

至于臺積電會選擇DRAM，NAND，或是新型的存儲器產(chǎn)品，業(yè)界預(yù)估非?？赡苁切滦痛鎯ζ鳌?/p>

中國要加入存儲器行列

站在不同立場，對于中國要加入存儲器行列的態(tài)度是截然不同。

中國半導(dǎo)體業(yè)認(rèn)為中方消耗了近60%的全球存儲器，未來要實現(xiàn)國產(chǎn)化，是理所當(dāng)然的事。至多從開初到占領(lǐng)市場份額，會多化些時間。

但是部分西方業(yè)者并不同意此看法，甚至認(rèn)為中國半導(dǎo)體涉足存儲器業(yè)可能會打亂國際上的平衡格局。

因此從國際分析機(jī)構(gòu)對于全球存儲器市場的預(yù)測，至少在現(xiàn)階段，幾乎很少會把中國的投資及產(chǎn)能擴(kuò)充部分如實地考慮進(jìn)去。

中國涉足存儲器主要有兩個問題，一個是技術(shù)從那里來？另一個是產(chǎn)業(yè)規(guī)模，存儲器必須要具足夠大的規(guī)模量產(chǎn)，才能持續(xù)的生存下來。

中國半導(dǎo)體業(yè)對于知識產(chǎn)權(quán)的保護(hù)一直以來予以足夠重視，因為加強(qiáng)研發(fā)必須要有知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)相匹配，才能起到相輔相成的作用。但是由于產(chǎn)業(yè)剛啟步，企業(yè)之間的認(rèn)知度尚有差異，所以需要有個熟悉及學(xué)習(xí)的過程。

中國半導(dǎo)體業(yè)涉足存儲器完全是為了提高國產(chǎn)化的需求，一是肯定不會在全球稱霸，與韓國，美國相抗衡，也缺乏實力，另一個中國是集國家之力攻克存儲器，因此一定能夠成功，無非是花的時間可能久些，但是國家意志已決，現(xiàn)階段的主要目標(biāo)是盡快地出產(chǎn)品，至于市占率剛開始能達(dá)3-5%已經(jīng)相當(dāng)可觀，另外即便暫時有些虧損，對于國家而言也完全可以承受。所以對于中國要涉足存儲器業(yè)，部分西方人士也應(yīng)該要正確的理解，總不能扼殺中國要自制自用部分存儲器的權(quán)利。同樣完全拿西方的經(jīng)驗來觀察及分析中國的半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展，可能未必能夠得出正確的結(jié)果。

結(jié)語

存儲器業(yè)壟斷格局不可能一成不變，此點(diǎn)可能連三星的心里也十分清楚。依目前態(tài)勢分析，壟斷格局可能分化，什么時間尚不可預(yù)測。除了強(qiáng)手及中國涉足之外，新型存儲器的“攪局”，目前的“候選者”也不少，可能是另一個變數(shù)，但是哪一種能勝出，及在什么時間段開始尚有待市場來抉擇。

中國半導(dǎo)體業(yè)要涉足存儲器業(yè)是國家意志，不會改變，要相信中國半導(dǎo)體業(yè)會按照國際通用規(guī)則，一方面大力開發(fā)IP，同時會尊重與保護(hù)知識產(chǎn)權(quán)，融合全球化之中。目前1xnm DRAM已取得實質(zhì)性的進(jìn)展，正在繼續(xù)產(chǎn)能爬坡與擴(kuò)充。而3DNAND，長江存儲擁有獨(dú)創(chuàng)的Xtaking技術(shù)，它已從32層向64層過度，預(yù)計2020年也將進(jìn)入量產(chǎn)階段。

中國半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)入存儲器業(yè)對于全球半導(dǎo)體業(yè)應(yīng)該是件好事，它至少推動半導(dǎo)體設(shè)備及材料業(yè)的進(jìn)步，同時有利于全球存儲器業(yè)的轉(zhuǎn)型，相信在中國半導(dǎo)體業(yè)參與下，通過市場的公平競爭，會對全球存儲器業(yè)發(fā)展作出更大貢獻(xiàn)。

本文來自求是半導(dǎo)體微信號，本文作為轉(zhuǎn)載發(fā)布。