11月29日消息，據(jù)消息報(bào)道，從業(yè)內(nèi)人士獲悉，華為已開(kāi)始研發(fā)IGBT，目前正在從某國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IGBT廠商中挖人。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。

據(jù)華為官網(wǎng)顯示，IGBT早已成為其UPS電源的核心器件。做為一種雙極晶體管復(fù)合的器件，IGBT不僅具有易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)頻率高等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又具備導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大，損耗小等技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

據(jù)報(bào)道，我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的50%以上，是全球最大的IGBT市場(chǎng)，但I(xiàn)GBT產(chǎn)品嚴(yán)重依賴進(jìn)口，在中高端領(lǐng)域更是90%以上的IGBT器件依賴進(jìn)口，長(zhǎng)期被英飛凌，三菱，富士電機(jī)等國(guó)外巨頭壟斷全球場(chǎng)，IGBT國(guó)產(chǎn)化需求已是刻不容緩。

據(jù)悉，在華為被卷入中美貿(mào)易戰(zhàn)之前，華為海思主要研發(fā)數(shù)字芯片，并不涉及功率半導(dǎo)體，華為所需的IGBT產(chǎn)品主要從英飛凌等IGBT原廠處采購(gòu)。

被美國(guó)加入實(shí)體清單給了華為警醒，據(jù)悉目前在二極管、整流管、mos管等領(lǐng)域，華為正在積極與安世半導(dǎo)體、華微電子等國(guó)內(nèi)廠商合作，加大對(duì)國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的采購(gòu)量，而在高端IGBT領(lǐng)域，華為卻不得不開(kāi)啟自研之路。

值得一提的是，工信部10月8日表示，將持續(xù)推進(jìn)芯片，器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

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