安世半導體是半導體行業(yè)的領先企業(yè)，提供離散元件、功率元件和邏輯集成電路，在質量和可靠性方面享有盛譽。安世半導體矢志創(chuàng)新，不斷快速擴展產(chǎn)品組合，尤其是功率 MOSFET、寬帶間隙半導體、IGBT 以及模擬和電源管理集成電路。每年增加 800 多種新類型。僅在 2024 年，就發(fā)布了超過 70 款模擬和電源管理類新部件。

安世半導體大筆投資制造業(yè)，如在漢堡工廠投資 2 億美元研發(fā) SiC 和 Gan 技術，彰顯出公司在努力踐行提升生產(chǎn)能力和滿足未來需求的承諾。安世半導體總部位于荷蘭，在歐洲擁有超過 60 年的悠久歷史。目前在歐洲、亞洲和美國共有 12,500 多名員工，每年出貨量超過 1,000 億件產(chǎn)品，業(yè)務遍及全球，確保提供強大的支持和供應鏈管理。

特色產(chǎn)品

功率 MOSFET

工業(yè)級功率 MOSFET、汽車認證功率 MOSFET、小信號 MOSFET 以及專用 MOSFET（電壓范圍為 20V 至 100V）。采用銅夾片封裝技術（LFPAK、CCPAK）和微型引線封裝 (MLPAK)，提供卓越的開關性能和可靠性

IGBT

H 系列（高速）和 M 系列（電動機驅動）650V IGBT 分立器件展現(xiàn)出出色的耐用性與可靠性，同時可提升逆變器功率密度，適用于中高壓工業(yè)領域

SiC 二極管

具有不受溫度影響的電容關閉和零恢復開關特性，以及出色的品質因數(shù)(Qc x VF)。合并 PiN 肖特基二極管提高了穩(wěn)健性，可耐受高 IFSM。

SiC MOSFET

提供出色的 RDSon 溫度穩(wěn)定性、快速開關速度和高短路耐受能力，適用于高功率和高電壓工業(yè)應用。

增強型/共源共柵 GaN FET

低壓增強型 GaN FET、650 V 增強型 GaN FET、雙向 GaN FET 和 650 V 共源共柵 GaN FET。通過降低低功率或高功率轉換應用中的傳導和開關損耗來提高功率密度。

電源管理

通過快速增長的產(chǎn)品組合（包括交流/直流控制器集成電路、LED 驅動器集成電路、直流-直流轉換器、電子保險絲、柵極驅動器、低壓差線性穩(wěn)壓器、負載開關等），實現(xiàn)高系統(tǒng)效率與高可靠性。

隔離

數(shù)字隔離器和變壓器驅動器對于高壓應用中數(shù)字通信和電源的隔離至關重要。

功率整流器

可以提供高功率密度，同時還能帶來極小的反向恢復時間和功率損耗，從而實現(xiàn)高效開關。采用經(jīng)過汽車行業(yè)認證的銅夾片 CFP 封裝，節(jié)省空間。