除了屏幕，手機(jī)內(nèi)部集成的各種芯片和零部件同樣需要電力驅(qū)動(dòng)，而不同的芯片搭配，往往也會(huì)影響到最終的續(xù)航結(jié)果。內(nèi)存芯片如今手機(jī)內(nèi)存主要以LPDDR4和LPDDR4X為主。和更早期的LPDDR3內(nèi)存相比，LPDDR4將運(yùn)行頻率從933MHz提升到了1600MHzMHz，工作電壓也從1.2V降低到1.1V；LPDDR4X的Vddq電壓則進(jìn)一步從1.1V降至0.6V（Vdd2電壓保持1.1V不變），運(yùn)行頻率最高可達(dá)2133MHz，不僅效率（性能）更高，功耗最多也能下降40%。

通過內(nèi)存生產(chǎn)工藝的升級(jí)，其功耗還能進(jìn)一步降低。 據(jù)悉，三星第二代10nm工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，相比第一代雖然性能沒有提升，但是功耗卻可再降10%，可使手機(jī)平板等移動(dòng)設(shè)備更省電。 因此，在電池和其他硬件一致時(shí)，手機(jī)如果能搭配10nm工藝的LPDDR4X內(nèi)存，在續(xù)航潛力的表現(xiàn)上自然更加值得期待。 此外，內(nèi)存性能越高，意味著手機(jī)可以在更短的時(shí)間內(nèi)完成數(shù)據(jù)交互，同樣有利于節(jié)省電力。 以LPDDR4X內(nèi)存為例，它就可以運(yùn)行在單通道（多與驍龍4系搭配）、雙通道（驍龍6/7系）和四通道（驍龍8系，麒麟980）模式，通道數(shù)越多性能越強(qiáng)。

在不久的將來（預(yù)計(jì)2020年），手機(jī)內(nèi)存還會(huì)進(jìn)化到LPDDR5時(shí)代，拋開性能不談，LPDDR5內(nèi)存較LPDDR4X的功耗還能再降30%，它自然又是可以延長續(xù)航時(shí)間的芯片之一。閃存芯片閃存芯片大家應(yīng)該會(huì)更熟悉一些，目前手機(jī)領(lǐng)域主要以eMMC5.1和UFS2.1為主，而一加7、三星Note10、黑鯊2 Pro和ROG2等手機(jī)都用上了UFS3.0閃存。以持續(xù)讀取速度為例，eMMC5.1最高約400MB/s，UFS2.1平均在900MB/s左右，而UFS3.0則可突破1500MB/s大關(guān)。

速度的增加，可以讓UFS閃存在更短時(shí)間完成數(shù)據(jù)的讀寫，從而更快進(jìn)入省電待機(jī)狀態(tài)。 最新的UFS3.0還進(jìn)一步通過2.5V VCC電壓降低功耗，并支持最新NAND Flash技術(shù)，工作溫度范圍也從-25攝氏度~85攝氏度擴(kuò)展到了-45攝氏度~105攝氏，可避免在極高/低溫環(huán)境下手機(jī)停止工作的情況。 可見，當(dāng)手機(jī)用上UFS2.1或UFS3.0閃存后，無論是性能、功耗（主要在效率更高）還是可靠性都能進(jìn)一步提升，當(dāng)它們與10nm LPDDR4X或LPDDR5內(nèi)存搭配后，就手機(jī)存儲(chǔ)單元的功耗表現(xiàn)將更加理想。通信芯片手機(jī)內(nèi)置的通信芯片（4G+藍(lán)牙+Wi-Fi+GPS）同樣是手機(jī)硬件耗電的主要來源，再上層的應(yīng)用都是通過調(diào)取這些器件產(chǎn)生耗電。 其中，基帶和射頻模塊會(huì)影響4G+藍(lán)牙+Wi-Fi的性能和功耗，蘋果去年發(fā)售的iPhone XS和iPhone XS Max之所以4G信號(hào)和續(xù)航不理想，很多業(yè)內(nèi)人士就都將矛頭指向了其內(nèi)置的英特爾基帶芯片上。

當(dāng)我們啟動(dòng)定位或?qū)Ш綉?yīng)用時(shí)，就該輪到GPS芯片運(yùn)行了，它是否支持GPS、GALILEO、QZSS和GLNONASS四大定位系統(tǒng)，采用了單天線還是雙定位天線設(shè)計(jì)都會(huì)影響其定位能力。 當(dāng)然，耗電量也是考核GPU芯片的指標(biāo)之一，以國內(nèi)首款支持新一代北斗三號(hào)信號(hào)體制的多系統(tǒng)多頻高精度SoC芯片HD8040為例，它的定位精度最高可達(dá)±1米的亞米級(jí)，而且連續(xù)定位功耗也降低了30％，待機(jī)功耗最低只有1uA。 如果你從事車輛運(yùn)營行業(yè)，需要長時(shí)間定位導(dǎo)航，選擇一款定位更準(zhǔn)、導(dǎo)航時(shí)更省電的手機(jī)還是很有必要的。移動(dòng)平臺(tái)手機(jī)搭載的處理器（準(zhǔn)確來說是SoC或移動(dòng)平臺(tái)），應(yīng)該是耗電量最高的芯片，而關(guān)于它的功耗等級(jí)，很多用戶還存在一些誤解。

比如，采用最新工藝的新款處理器，它的耗電量就一定遠(yuǎn)低于上代前輩嗎？ 這個(gè)問題的答案自然是否定的。 以臺(tái)積電7nm工藝為例，官方對(duì)其的描述是——新工藝性能可提升35%或者功耗降低65%。請(qǐng)注意其中的“或”字，驍龍855相對(duì)驍龍845、麒麟980相對(duì)于麒麟970，它們的實(shí)際表現(xiàn)都是功耗保持不變或小幅下降的同時(shí)大幅提升性能。畢竟，在宣傳上更省電遠(yuǎn)沒有更強(qiáng)悍讓人印象深刻。 另一個(gè)誤解則是，高端處理器就一定比主流處理器費(fèi)電嗎？ 在工藝相同時(shí)（比如都是10nm），高端處理器比主流處理器還要省電并非不可能。比如驍龍855和驍龍710的工藝相同，前者滿負(fù)載時(shí)的功耗更高。 但是，很少有APP需要處理器始終滿負(fù)載輸出，而是屬于階段性的忽高忽低。而高端處理器，能在更短的時(shí)間完成處理任務(wù)然后進(jìn)入休息期，而主流處理器則需要更長的時(shí)間去處理相同的任務(wù)，所以反而會(huì)耗費(fèi)更多的電力。 現(xiàn)在很多手機(jī)都主打“游戲模式”，只要啟動(dòng)游戲，手機(jī)就會(huì)自動(dòng)清理后臺(tái)，將處理器設(shè)定為“滿血”狀態(tài)。實(shí)際上，只要你的手機(jī)搭載了驍龍710或更高級(jí)別的處理器，游戲模式往往會(huì)帶來不必要的耗電。 原因很簡單，以《王者榮耀》為例，哪怕是驍龍660，在沒有游戲模式加持的情況下也能跑出40fps到60fps的幀數(shù)，基本感覺不出卡頓。

同理，驍龍710可以維持在50fps到60fps、驍龍855可以穩(wěn)定在55fps到62fps。所謂“游戲模式”，只能幫手機(jī)減少幀數(shù)的波動(dòng)，比如讓驍龍855穩(wěn)定在60fps滿幀運(yùn)行，波動(dòng)范圍在1fps左右。 問題來了，在游戲的過程中如果不看幀數(shù)監(jiān)測(cè)，你能感覺得出50fps和60fps這兩種幀數(shù)時(shí)的差異嗎？ 答案是不能，而游戲模式帶來的后遺癥，就是讓處理器在不知不覺中產(chǎn)生了更多的耗電，得不償失。 從小編的經(jīng)驗(yàn)來看，游戲模式其實(shí)最適用于驍龍6/7系玩《和平精英》、驍龍7系玩《崩壞3》這種級(jí)別的游戲，將最低幀數(shù)從25fps提升到30fps，讓平均幀數(shù)從35fps變成39fps，這才有意義。因此，當(dāng)你用手機(jī)玩原本就很流暢的游戲時(shí)，最好可以關(guān)閉游戲模式（如何可以關(guān)閉的話），如此才能更大限度延長手機(jī)的續(xù)航潛力。