光刻機(jī)中國(guó)能造嗎

光刻機(jī)被稱為“人類最精密復(fù)雜的機(jī)器”，該領(lǐng)域的龍頭老大是荷蘭ASML，并已經(jīng)壟斷了高端光刻機(jī)市場(chǎng)。荷蘭ASML公司EUV光刻機(jī)售價(jià)高達(dá)1億美元，而且只有ASML能夠生產(chǎn)。

相比之下，中國(guó)最好的光刻機(jī)廠商上海微電子裝備有限公司（SMEE）已經(jīng)量產(chǎn)的光刻機(jī)中，性能最好的SSA600/20工藝只能達(dá)到90nm，相當(dāng)于2004年上市的奔騰四CPU的水準(zhǔn)。而國(guó)外的先進(jìn)水平已經(jīng)達(dá)到了7納米，正因如此，國(guó)內(nèi)晶圓廠所需的高端光刻機(jī)完全依賴進(jìn)口。

就算是進(jìn)口也沒有那么容易，由于美國(guó)主導(dǎo)《瓦森納協(xié)議》的限制，中國(guó)只能買到ASML的中低端產(chǎn)品，出價(jià)再高，也無法購得ASML的高端設(shè)備。例如：Intel、三星、臺(tái)積電2015年能買到ASML10 nm的光刻機(jī)。而大陸的中芯國(guó)際，2015年只能買到ASML 2010年生產(chǎn)的32 nm的光刻機(jī)，5年時(shí)間對(duì)半導(dǎo)體來說，已經(jīng)足夠讓市場(chǎng)更新?lián)Q代3次了。

雖然和世界先進(jìn)水平有著不小的差距，但是這些年來中國(guó)一直在努力突破技術(shù)上的落后和封鎖，國(guó)家的“十二五”、“十三五”規(guī)劃也在半導(dǎo)體行業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域都有相應(yīng)的布局。

2017年，由長(zhǎng)春光機(jī)所牽頭承擔(dān)的國(guó)家科技重大專項(xiàng)02專項(xiàng)——“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項(xiàng)目順利完成驗(yàn)收。極紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography， EUVL）被公認(rèn)為是最具潛力的下一代光刻技術(shù)，面對(duì)的是7nm和5nm節(jié)點(diǎn)，代表了當(dāng)前應(yīng)用光學(xué)發(fā)展最高水平，作為前瞻性EUV光刻關(guān)鍵技術(shù)研究，國(guó)外同類技術(shù)封鎖嚴(yán)重，技術(shù)難度大、瓶頸多。

《中國(guó)制造2025》也將EUVL列為了集成電路制造領(lǐng)域的發(fā)展重點(diǎn)對(duì)象，并計(jì)劃在2030年實(shí)現(xiàn)EUV光刻機(jī)的國(guó)產(chǎn)化。

當(dāng)你突破了技術(shù)封鎖，拉近了技術(shù)代差，追逐商業(yè)利益的資本主義便向你拋來了橄欖枝。美帝的套路就是這樣，當(dāng)年我們準(zhǔn)備自研大飛機(jī)，美帝說你買我們的波音吧；當(dāng)年不允許我們進(jìn)入國(guó)際空間站，現(xiàn)在我們有了天宮二號(hào)后，又準(zhǔn)備和我們合作建立新的國(guó)際空間站了。

同理，當(dāng)我們突破了EUV光刻技術(shù)，ASML就開始松動(dòng)了。據(jù)網(wǎng)絡(luò)上的報(bào)道， ASML 說EUV光刻機(jī)要進(jìn)口到中國(guó)全沒有任何問題！最快2019年，中國(guó)或?qū)⒂瓉硎着_(tái)EUV光刻機(jī)。

最后，進(jìn)入十四五計(jì)劃后，隨著國(guó)家對(duì)芯片領(lǐng)域大幅度投資和持續(xù)投入，相信中國(guó)的光刻機(jī)發(fā)展也將最終進(jìn)入大規(guī)模自主生產(chǎn)的階段。還是那句話，一切只是時(shí)間問題！

中國(guó)光刻機(jī)技術(shù)和ASML的差距

大家又為中芯國(guó)際以及中國(guó)高端芯片制造擔(dān)憂起來了，原因是中國(guó)芯國(guó)際向ASML采購的一臺(tái)極紫外光刻機(jī)，可能生變了。因?yàn)锳SML已向荷蘭當(dāng)局申請(qǐng)出口許可4個(gè)月了，一直沒有得到許可，導(dǎo)致ASML無法按時(shí)交貨。

而這臺(tái)極紫外光刻機(jī)是中國(guó)唯一一臺(tái)極紫外光刻機(jī)，也是制造高端芯片必不可少的設(shè)備，目前只有ASML能夠生產(chǎn)。

于是有人問，目前中國(guó)刻蝕機(jī)能夠生產(chǎn)出5nm的來了，那么國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的技術(shù)究竟在什么水平，和ASML相比，還差多少，能不能短時(shí)間內(nèi)追上來，從而不再依賴ASML？

實(shí)話實(shí)說，中國(guó)目前的光刻機(jī)技術(shù)要和ASML相比的話，至少有10年以上的差距，短時(shí)間內(nèi)是追不上的，所以還是想辦法把這臺(tái)極紫外光刻機(jī)趕緊拉回來才是正事，國(guó)產(chǎn)短時(shí)間內(nèi)是沒戲的。

我們知道在光刻機(jī)領(lǐng)域，有人根本ASML的技術(shù)并結(jié)合芯片制造，分為四個(gè)檔次，分別是超高端，高端，中端，低檔。

分別對(duì)應(yīng)的節(jié)點(diǎn)分別5/7nm工藝、7-28nm工藝、28-65nm工藝，65-90nm工藝。目前ASML的產(chǎn)品覆蓋所有檔次，而nikon的產(chǎn)品停留在28nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)，cannon和smee（上海微電子）停留在90nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)。

意思就是中國(guó)的最高技術(shù)是90nm，生產(chǎn)出來的光刻機(jī)處于低端，只能生產(chǎn)90nm的芯片，而在90nm之后，還有65nm，45nm，32nm，22nm，14nm，10nm，7nm，5nm。

而這些節(jié)點(diǎn)技術(shù)，有好幾個(gè)臺(tái)階要上，首先是45nm的臺(tái)階，再到22nm的臺(tái)階，再到10nm臺(tái)階，再到7nm的臺(tái)階，真的是一步一個(gè)坎，有些坎幾年都未必能夠更新出一代來。

所以說，從目前的這個(gè)情況來看，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)技術(shù)落后ASML至少是10年以上，甚至說10年都算是少的了，可以說是萬里長(zhǎng)征才開始第一步。

當(dāng)然了，正如大家所想，再難也得研發(fā)，否則就會(huì)被人卡脖子，目前這臺(tái)極紫外光刻機(jī)不就是如此么？用于生產(chǎn)5/7/8nm芯片的，是中芯國(guó)際用于下一代技術(shù)研發(fā)的，現(xiàn)在被卡了，可能會(huì)給中國(guó)高端芯片制造拖后腿了。