一、臺(tái)積電第一季度財(cái)報(bào)

臺(tái)積電一季度收入為103.1億美元，同比增長(zhǎng)45.2％，較上一季度下降0.8％。相較于去年同期，2020年第一季度收入同比增長(zhǎng)42.0%，而凈收入和稀釋后的每股收益均增長(zhǎng)90.6％。對(duì)比2019年第四季度，該季度收入則環(huán)比下降2.1%，凈收入增長(zhǎng)0.8%。綜合來(lái)看，該季度毛利率達(dá)到51.8％，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為41.4％，凈利潤(rùn)率為37.7％。

從制程結(jié)構(gòu)來(lái)看，臺(tái)積電28nm及以下制程營(yíng)收占比為69.5%，其中7nm占比達(dá)35%，16nm占比為19%，28nm占比為14%。

從應(yīng)用端看，智能手機(jī)占比為49%，高性能計(jì)算占30%，物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)、消費(fèi)電子等各占9%、4%、5%和3%。智能手機(jī)、汽車(chē)和其他業(yè)務(wù)的營(yíng)收同比分別下降了9%、1%和5%，HPC、物聯(lián)網(wǎng)和消費(fèi)電子的營(yíng)收分別增長(zhǎng)了3%、8%和44%。

二、臺(tái)積電目前主要制程

擁有最先進(jìn)的制程技術(shù)是臺(tái)積電在專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域取得強(qiáng)大市場(chǎng)地位的重要關(guān)鍵。

2019年，有50% 的晶圓營(yíng)收來(lái)自先進(jìn)制程技術(shù)（16 納米及以下更先進(jìn)制程），高于2018年的41%。臺(tái)積電提供客戶(hù)專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域中最全面的制程技術(shù)，并且持續(xù)投資先進(jìn)及特殊制程技術(shù)，以提供客戶(hù)更多附加價(jià)值。這是臺(tái)積電有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

邏輯制程技術(shù)

● 5納米鰭式場(chǎng)效電晶體制程（Fin Field-Effect Transistor, FinFET）（N5）技術(shù)為臺(tái)積公司推出的最新技術(shù)。此一領(lǐng)先全球的技術(shù)于2019已接獲多個(gè)客戶(hù)產(chǎn)品投片，包含行動(dòng)通訊以及高效能運(yùn)算產(chǎn)品，并預(yù)計(jì)于2020年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。

相較于7納米FinFET（N7）技術(shù)，N5技術(shù)速度增快約15%，或者功耗降低約 30%。此外，N5技術(shù)自規(guī)劃開(kāi)始，便同時(shí)針對(duì)行動(dòng)通訊與高效能運(yùn)算應(yīng)用提供優(yōu)化的制程選項(xiàng)。

● 5納米FinFET強(qiáng)效版（N5P）技術(shù)為N5技術(shù)的效能強(qiáng)化版技術(shù)，并采用相同的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則。相較于 N7技術(shù)，N5P技術(shù)速度增快約20%，或功耗降低約40%。N5P技術(shù)的設(shè)計(jì)套件預(yù)計(jì)于2019年第二季進(jìn)行下一階段 N5 技術(shù)更新時(shí)推出。

● 6納米FinFET（N6）技術(shù)于2019年成功完成產(chǎn)品良率驗(yàn)證。由于N6技術(shù)采用極紫外光（ExtremeUltraviolet, EUV）微影技術(shù)，能夠減少光罩?jǐn)?shù)量，因此，如果與N7技術(shù)生產(chǎn)相同產(chǎn)品相較，采用N6技術(shù)生產(chǎn)可以獲得更高的良率，并縮短產(chǎn)品生產(chǎn)周期。此外，與N7技術(shù)相較，N6技術(shù)的邏輯晶體管密度提高約 18％，加上因光罩總數(shù)減少而獲得較高良率，能夠協(xié)助客戶(hù)在一片晶圓上，獲得更多可用的晶粒。
另外，N6技術(shù)的設(shè)計(jì)法則與N7技術(shù)兼容，亦可大幅縮短客戶(hù)產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期和上市的時(shí)間。N6技術(shù)于2020年第一季開(kāi)始試產(chǎn)，并預(yù)計(jì)于2020年底前進(jìn)入量產(chǎn)。

● N7技術(shù)是臺(tái)積公司量產(chǎn)速度最快的技術(shù)之一，并同時(shí)針對(duì)行動(dòng)運(yùn)算應(yīng)用及高效能操作數(shù)件提供優(yōu)化的制程?？傆?jì)截至2019年底共接獲超過(guò)100個(gè)客戶(hù)產(chǎn)品投片，涵蓋相當(dāng)廣泛的應(yīng)用，包含行動(dòng)裝置、游戲機(jī)、人工智能、中央處理器、圖形處理器，以及網(wǎng)絡(luò)連接裝置等。此外，7納米FinFET強(qiáng)效版（N7+）技術(shù)于2019年開(kāi)始量產(chǎn)，協(xié)助客戶(hù)產(chǎn)品大量進(jìn)入市場(chǎng)。N7+技術(shù)是全球集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域首個(gè)應(yīng)用極紫外光于商業(yè)運(yùn)轉(zhuǎn)的技術(shù)。此一技術(shù)的成功，除了證明臺(tái)積公司領(lǐng)先全球的EUV技術(shù)量產(chǎn)能力，也為6納米和更先進(jìn)技術(shù)奠定良好基礎(chǔ)。

● 12納米FinFET精簡(jiǎn)型強(qiáng)效版（12nm FinFET Compact Plus, 12FFC+）技術(shù)與16納米FinFET精簡(jiǎn)型強(qiáng)效版（16nm FinFET Compact Plus，16FFC+）技術(shù)系臺(tái)積公司繼16納米FinFET強(qiáng)效版（16FF+） 技術(shù)、16納米FinFET精簡(jiǎn)型（16nm FinFET Compact, 16FFC）技術(shù)及12納米FinFET精簡(jiǎn)型（12nm FinFET Compact, 12FFC）技術(shù)之后，所推出的最新16/12納米系列技術(shù)，擁有集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域16/14納米技術(shù)中最佳產(chǎn)品效能與功耗優(yōu)勢(shì)，并于2019年進(jìn)入試產(chǎn)。

16FF+技術(shù)系針對(duì)高效能產(chǎn)品應(yīng)用，包括行動(dòng)裝置、服務(wù)器、繪圖芯片，及加密貨幣等產(chǎn)品。12FFC+、12FFC、16FFC+及16FFC則皆能支援客戶(hù)主流及超低功耗（Ultra-LowPower, ULP）產(chǎn)品應(yīng)用，包括中、低階手機(jī)、消費(fèi)性電子、數(shù)位電視、物聯(lián)網(wǎng)等?？傆?jì)目前 12FFC+、12FFC、16FFC+、16FFC、16FF+已接獲超過(guò) 500個(gè)客戶(hù)產(chǎn)品投片，其中絕大部分都是第一次投片即生產(chǎn)成功。

● 22納米超低漏電（Ultra-Low Leakage, ULL）（22ULL）技術(shù)于2019年進(jìn)入量產(chǎn)，能夠支援物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式裝置相關(guān)產(chǎn)品應(yīng)用。同時(shí)，此一技術(shù)的低操作電壓（Low Operating Voltage, Low Vdd）技術(shù)也于2019年準(zhǔn)備就緒。與40納米超低功耗（Ultra-Low Power, ULP）（40ULP）及55納米ULP制程相較，22ULL技術(shù)提供新的ULL元件、ULL靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體（Static Random Access Memory, SRAM），和低操作電壓技術(shù)，能夠大幅降低功耗。

● 22納米ULP（22ULP）技術(shù)發(fā)展系根基于臺(tái)積公司領(lǐng)先業(yè)界的28納米技術(shù)，并于2019開(kāi)始量產(chǎn)。與28納米高效能精簡(jiǎn)型強(qiáng)效版（28nm High Performance Compact Plus, 28HPC+）技術(shù)相較，22ULP技術(shù)擁有芯片面積縮小10%，及效能提升10% 或功耗降低20%的優(yōu)勢(shì)，以滿(mǎn)足影像處理器、數(shù)位電視、機(jī)上盒、智能型手機(jī)及消費(fèi)性產(chǎn)品等多種應(yīng)用。

● 28HPC+技術(shù)截至2019年底，總計(jì)接獲超過(guò)300個(gè)客戶(hù)產(chǎn)品投片。28HPC+ 技術(shù)進(jìn)一步提升主流智能型手機(jī)、數(shù)位電視、儲(chǔ)存、音效處理及系統(tǒng)單芯片等產(chǎn)品應(yīng)用的效能或降低其功耗。與28納米高效能精簡(jiǎn)型（High Performance Compact）（28HPC）技術(shù)相較，28HPC+ 技術(shù)能夠進(jìn)一步提升效能約15%或降低漏電約50%。

● 40ULP技術(shù)截至2019年底共接獲超過(guò)100個(gè)客戶(hù)產(chǎn)品投片。此技術(shù)支援多種物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式裝置相關(guān)產(chǎn)品應(yīng)用，包含無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)連接產(chǎn)品、穿戴式應(yīng)用處理器及微控制器（Micro Control Unit, MCU）（Sensor Hub） 等。此外， 臺(tái)積公司采用領(lǐng)先的40ULP Low Vdd技術(shù)，為物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品及穿戴式聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品提供低功耗的解決方案。新的強(qiáng)化版類(lèi)比元件順利開(kāi)發(fā)中，將進(jìn)一步強(qiáng)化40ULP平臺(tái)，支援客戶(hù)未來(lái)更廣泛的類(lèi)比電路設(shè)計(jì)。

● 55納米ULP（55ULP）技術(shù)，截至2019年底共接獲超過(guò)70個(gè)客戶(hù)產(chǎn)品投片。相較于55納米低功耗（55LP）技術(shù)，55ULP技術(shù)可大幅延長(zhǎng)物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)產(chǎn)品的電池使用壽命。此外，55ULP亦整合了射頻制程與嵌入式快閃存儲(chǔ)器制程，能讓客戶(hù)的系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)更為簡(jiǎn)單。
再看特殊制程技術(shù)方面；

特殊制程技術(shù)

● 16FF+技術(shù)自2017年起已為客戶(hù)生產(chǎn)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品。16FFC技術(shù)基礎(chǔ)硅智財(cái)（FoundationIP） 已 通 過(guò) 車(chē) 用 電 子 協(xié) 會(huì)（Automotive Electronic Council, AEC）AEC-Q100 Grade-1驗(yàn)證，并且獲得功能性安全標(biāo)準(zhǔn)ISO 26262 ASIL-B認(rèn)證。

此外，也導(dǎo)入TSMC 9000A質(zhì)量管理系統(tǒng)來(lái)規(guī)范車(chē)用硅智財(cái)，透過(guò)和第三方硅智財(cái)供應(yīng)商合作來(lái)建立車(chē)用設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境。臺(tái)積公司持續(xù)開(kāi)發(fā)更多7納米車(chē)用基礎(chǔ)硅智財(cái)，并于2020年第一季通過(guò)AEC-Q100 Grade-2驗(yàn)證。

● 16FFC射頻（Radio Frequency, RF）（16FFC RF）技術(shù)于2018年上半年領(lǐng)先業(yè)界為客戶(hù)量產(chǎn)第五代行動(dòng)通信技術(shù)（5G）RF 芯片。此一技術(shù)進(jìn)一步支援新一代無(wú)線(xiàn)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)802.11ax（Wireless Local Area Network, WLAN 802.11ax）、 毫 米 波（Millimeter Wave, mmWave），以及5G智能型手機(jī)等無(wú)線(xiàn)連接應(yīng)用。臺(tái)積公司不斷精進(jìn)16FFC RF技術(shù)，不但于2019年領(lǐng)先全球推出首個(gè)截止頻率（Cut-offFrequency, fT）超過(guò)300吉赫茲（GHz） 的 FinFET元件，亦領(lǐng)先全球完成震蕩頻率（Maximum Clock Frequency, fmax）超過(guò)400GHz的最佳FinFET元件的開(kāi)發(fā)。此一高性能且更具成本效益的技術(shù)也將被采用來(lái)滿(mǎn)足更多的應(yīng)用，例如雷達(dá)、擴(kuò)增實(shí)境／虛擬實(shí)境等，以降低芯片功耗及芯片尺寸并支援SoC設(shè)計(jì)。

● 22ULL RF技術(shù)除了支援磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Magnetic Random Access Memory, MRAM）、可變電阻式存儲(chǔ)器（Resistive Random Access Memory,RRAM），及高截止頻率（Cut-off Frequency, fT）元件之外，于2019年新增支援無(wú)線(xiàn)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)功率放大器（Wireless LAN Power Amplifier）元件與極低漏電（Ultra-Low Leakage）元件，進(jìn)一步支援5G 毫米波行動(dòng)無(wú)線(xiàn)通訊和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的芯片開(kāi)發(fā)。

● 22ULL嵌入式電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ResistiveRandom Access Memory, RRAM） 技術(shù)，于 2019年開(kāi)始試產(chǎn)，并預(yù)計(jì)于2020年完成硅智財(cái)（IP）可靠性認(rèn)證。此一技術(shù)可支援各種不同應(yīng)用，例如物聯(lián)網(wǎng)微控制器（IoT MCU）及人工智能（Artificial Intelligence, AI）存儲(chǔ)器元件等。

● 22ULL嵌入式磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Magnetic Random Access Memory, MRAM）技術(shù)硅智財(cái)預(yù)計(jì)于2020年度完成可靠性認(rèn)證。此外，16納米MRAM 技術(shù)也正在開(kāi)發(fā)，且進(jìn)展良好。MRAM 技術(shù)為包括AEC-Q100 Grade-1產(chǎn)品應(yīng)用在內(nèi)的高可靠性MCU產(chǎn)品的eFlash替代方案，提供了一個(gè)極具競(jìng)爭(zhēng)力的轉(zhuǎn)換途徑。

● 28HPC+ RF于2018年領(lǐng)先集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域提供首個(gè)RF制程設(shè)計(jì)套件（Process Design Kit,PDK），支援110吉赫茲（GHz）毫米波和150℃車(chē)用規(guī)格等元件，以支援5G毫米波射頻及車(chē)用雷達(dá)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。2019年，28HPC+RF技術(shù)新增支援極低漏電（Ultra-Low Leakage）元件及嵌入式快閃存儲(chǔ)器（Embedded Flash）。客戶(hù)5G毫米波射頻及車(chē)用雷達(dá)產(chǎn)品皆已進(jìn)入量產(chǎn)。

● 28 納米ULL嵌入式快閃存儲(chǔ)器制程（eFlash）技術(shù)，已于2019年通過(guò)AEC-Q100 Grade-1可靠性認(rèn)證。臺(tái)積公司持續(xù)強(qiáng)化此一技術(shù)，并預(yù)計(jì)于2020年通過(guò)更嚴(yán)格的AEC-Q100 Grade-0要求。

● 40ULP嵌入式快閃存儲(chǔ)器制程（eFlash）技術(shù)截至2019年底，總計(jì)接獲超過(guò)40個(gè)客戶(hù)產(chǎn)品投片，其中包括微控制器（MCU）、無(wú)線(xiàn)通訊微控制器（Wireless MCU），和安全元件（Security Element）。此外，此一技術(shù)也提供低操作電壓選擇，為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和可穿戴連接設(shè)備提供低能耗的解決方案。
● 40ULP嵌入式RRAM技術(shù)的IP于2019年完成可靠性認(rèn)證。此一技術(shù)的設(shè)計(jì)套件和硅智財(cái)完全與互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體（Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS）邏輯制程兼容，其相關(guān)應(yīng)用包括無(wú)線(xiàn)通訊微控制器（Wireless MCU）、物聯(lián)網(wǎng)裝置，以及穿戴式裝置。

● 持續(xù)強(qiáng)化40ULP類(lèi)比技術(shù)平臺(tái)，包括降低噪聲、改善匹配（Mismatch），及提供低漏電元件等。完整的設(shè)計(jì)技術(shù)文件則預(yù)計(jì)于2020年完成。此一強(qiáng)化的40ULP類(lèi)比技術(shù)平臺(tái)與數(shù)位邏輯制程完全兼容，并可以同時(shí)支援高精確類(lèi)比效能、低耗能的類(lèi)比設(shè)計(jì)。

● 十二寸0.13微米雙載子-互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體-擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體強(qiáng)化版（Bipolar-CMOS-DMOS Plus, BCD Plus）技術(shù)于2017年開(kāi)始生產(chǎn)，晶圓出貨于2018年及2019年皆顯著成長(zhǎng)。相較于前一世代0.13微米雙載子 - 互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體-擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體強(qiáng)化版（Bipolar-CMOS-DMOS, BCD）技術(shù)，此一新制程技術(shù)持續(xù)提供更優(yōu)異的效能及功能強(qiáng)化，以滿(mǎn)足高階智能型手機(jī)的電源管理應(yīng)用。

● 0.18微米第三代BCD制程技術(shù)于2018年完成 AEC-Q100 Grade-1驗(yàn)證，并進(jìn)一步于2019年完成 AEC-Q100 Grade-0 驗(yàn)證。相較于第二代BCD制程技術(shù)，此一制程技術(shù)提供更優(yōu)異的成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

● 持續(xù)強(qiáng)化電源硅基板氮化鎵（Gallium Nitride on Silicon）技術(shù)，在650伏特和100伏特兩種平臺(tái)上，將氮化鎵功率開(kāi)關(guān)與驅(qū)動(dòng)器整合，并持續(xù)改善硅基板氮化鎵技術(shù)的可靠度，以支援客戶(hù)高功率密度及高效率解決方案的芯片設(shè)計(jì)，滿(mǎn)足多元的產(chǎn)品應(yīng)用。650伏特和100伏特氮化鎵集成電路技術(shù)平臺(tái)皆預(yù)計(jì)于2020年開(kāi)發(fā)完成。

● 硅基板有機(jī)發(fā)光二極體（Organic light-emittingdiode on silicon, OLED-on-Silicon）面板技術(shù)與傳統(tǒng)玻璃基板有機(jī)發(fā)光二極管面板技術(shù)相較，能夠增加像素點(diǎn)密度5到10倍，以支援對(duì)高質(zhì)量擴(kuò)增實(shí)境（Augmented Reality）/ 虛擬實(shí)境（Virtual Reality）眼鏡日益增加的需求。臺(tái)積公司與客戶(hù)共同合作，成功同時(shí)在八吋及十二吋高壓技術(shù)上展示此一技術(shù)的可行性，為擴(kuò)增實(shí)境 / 虛擬實(shí)境供應(yīng)商在工業(yè)、醫(yī)療，及消費(fèi)電子多種產(chǎn)品應(yīng)用的下一世代眼鏡開(kāi)發(fā)上，奠定精實(shí)的基礎(chǔ)。

● 有鑒于許多安防監(jiān)控、汽車(chē)、家用，和行動(dòng)通訊應(yīng)用已迅速導(dǎo)入機(jī)器視覺(jué)（Machine Vision）技術(shù)，臺(tái)積公司提供下一世代全區(qū)域曝光式（Global Shutter）互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器（CMOS Image Sensor,CIS）與強(qiáng)化版近紅外光CIS技術(shù)，使得機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)更安全、更小巧，及更省電。

● 臺(tái)積公司成功采用晶圓級(jí)封裝（CSP）技術(shù)協(xié)助客戶(hù)推出全球尺寸最小的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體微機(jī)電（Micro-electromechanical Systems）單芯片加速度計(jì)（Accelerometer），其尺寸可小于1平方厘米。此一尺寸小巧的優(yōu)勢(shì)，能夠協(xié)助許多物聯(lián)網(wǎng)與穿戴裝置減少體積與重量。

先進(jìn)封裝技術(shù)

● 針對(duì)先進(jìn)行動(dòng)裝置的應(yīng)用，成功開(kāi)發(fā)能夠整合7納米系統(tǒng)單芯片和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的整合型扇出層疊封裝技術(shù)（Integrated Fan-Out Packageon-Package, InFO-PoP），并于2019年協(xié)助數(shù)個(gè)客戶(hù)產(chǎn)品大量進(jìn)入市場(chǎng)。

● 針對(duì)高效能運(yùn)算的應(yīng)用，能夠在尺寸達(dá)二倍光罩大小的硅基板（Silicon Interposer）上異質(zhì)整合多顆7納米系統(tǒng)單芯片與第二代高頻寬存儲(chǔ)器（HighBandwidth Memory 2, HBM2）的CoWoS?技術(shù)，于2019年第三季成功通過(guò)驗(yàn)證。

● 除了CoWoS?技術(shù)之外，能夠整合多顆7納米單芯片的整合型扇出暨封裝基板（InFO on Substrate, InFO_oS）技術(shù)于2019年開(kāi)始量產(chǎn)。

● 針對(duì)先進(jìn)行動(dòng)裝置及高效能運(yùn)算的應(yīng)用，用于5納米晶圓覆晶封裝的細(xì)小間距陣列銅凸塊（Cu bump）技術(shù)已于2019年成功通過(guò)驗(yàn)證。

● 針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)及高階智能型手機(jī)產(chǎn)品應(yīng)用，成功開(kāi)發(fā)適用于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的16納米制程的晶圓級(jí)封裝（WaferLevel Chip Scale Packaging, WLCSP）技術(shù)，并于2019年協(xié)助客戶(hù)產(chǎn)品大量進(jìn)入市場(chǎng)。

三、未來(lái)展望、機(jī)會(huì)與挑戰(zhàn)

集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域這些年來(lái)的成長(zhǎng)，主要是由健康的市場(chǎng)需求所驅(qū)動(dòng)。然而，新型冠狀病毒（COVID-19）全球大流行對(duì)整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的供給與需求造成不確定性，臺(tái)積電考慮可能的影響后，預(yù)估整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)（不含內(nèi)存）在2020年將持平或是微幅下跌。

結(jié)合2020年Q1的市場(chǎng)表現(xiàn)，臺(tái)積電認(rèn)為下半年由于COVID-19疫情對(duì)手機(jī)、汽車(chē)、消費(fèi)電子等終端市場(chǎng)仍存影響，然而在線(xiàn)辦公、高性能計(jì)算5G仍有增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。

就長(zhǎng)期而言，因電子產(chǎn)品采用半導(dǎo)體組件的比率提升，無(wú)晶圓廠(chǎng)設(shè)計(jì)公司持續(xù)擴(kuò)大市占率，整合組件制造商委外制造的比例逐漸增加，以及系統(tǒng)公司增加特殊應(yīng)用組件委外制造等因素，自2019年至2024年，集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域的成長(zhǎng)可望較整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)（不含內(nèi)存）的中個(gè)位數(shù)百分比年復(fù)合成長(zhǎng)率更為強(qiáng)勁。集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域位居整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游，其表現(xiàn)與主要產(chǎn)品平臺(tái)的市場(chǎng)狀況息息相關(guān)，包含智能型手機(jī)、高效能運(yùn)算、物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)用電子與消費(fèi)性電子產(chǎn)品。

智能手機(jī)

智能型手機(jī)2018的單位出貨量首次衰退４％，2019年的單位出貨量再次衰退2%，反映許多先進(jìn)國(guó)家和中國(guó)市場(chǎng)已趨近飽和。2020年，隨著5G 商用化開(kāi)始加速，新的5G 智能型手機(jī)將縮短整體換機(jī)周期，然而，COVID-19 全球大流行將可能造成換機(jī)延后，臺(tái)積電因此預(yù)期智能型手機(jī)市場(chǎng)于2020年將呈現(xiàn)高個(gè)位數(shù)百分比衰退。長(zhǎng)期來(lái)看，由于智能型手機(jī)加速演進(jìn)至5G，加上擁有更高性能、更長(zhǎng)電池使用時(shí)間、生理傳感器及更多人工智能應(yīng)用，智能型手機(jī)將持續(xù)吸引消費(fèi)者的購(gòu)買(mǎi)興趣。低耗電特性的芯片對(duì)手機(jī)制造商而言是不可缺少的一環(huán)，擁有最佳成本、耗電及外型尺寸（芯片面積與高度）潛力的系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)，是首選的解決方案，而臺(tái)積電在此制程技術(shù)方面已居領(lǐng)導(dǎo)地位。對(duì)于人工智能應(yīng)用、各種復(fù)雜軟件運(yùn)算與高分辨率視訊處理的高效能需求，將持續(xù)加速先進(jìn)制程技術(shù)的推進(jìn)。

高效能運(yùn)算

高效能運(yùn)算平臺(tái)包括個(gè)人計(jì)算機(jī)，平板計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，基地臺(tái)，游戲機(jī)等。2019年，主要高效能運(yùn)算產(chǎn)品單位出貨量下降了4％，主要由于消費(fèi)類(lèi)個(gè)人計(jì)算機(jī)的更換周期延長(zhǎng)，企業(yè)服務(wù)器需求降低以及當(dāng)代游戲機(jī)進(jìn)入產(chǎn)品生命周期尾端；而5G 基地臺(tái)部署及成長(zhǎng)之企業(yè)個(gè)人計(jì)算機(jī)需求部份抵消了衰退.

2020年，受到COVID-19 全球大流行影響，預(yù)期高效能運(yùn)算平臺(tái)單位出貨量將呈現(xiàn)中個(gè)位數(shù)百分比衰退。盡管如此，多項(xiàng)因素預(yù)期將推動(dòng)高效能運(yùn)算平臺(tái)需求，包括：持續(xù)的5G 基地臺(tái)部署，增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)中心人工智能服務(wù)器需求以及新一代游戲機(jī)的上市等。這些都需要高效能及高功耗效率的中央處理器、繪圖處理器、網(wǎng)絡(luò)處理器、人工智能加速器與相關(guān)的特殊應(yīng)用積體電路，并將驅(qū)使整體高效能運(yùn)算平臺(tái)朝向更豐富的半導(dǎo)體內(nèi)容與更先進(jìn)制程技術(shù)邁進(jìn)。

物聯(lián)網(wǎng)

物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)包含如智能穿戴、智能音箱、與網(wǎng)絡(luò)監(jiān)視器等各式各樣聯(lián)網(wǎng)裝置。2019年物聯(lián)網(wǎng)裝置單位出貨量成長(zhǎng)25%，藍(lán)牙耳機(jī)，智能手表與智能音箱為主要成長(zhǎng)動(dòng)能。

展望2020年，盡管受到COVID-19 全球大流行的影響，在藍(lán)牙耳機(jī)，智慧手表與智能音箱持續(xù)成長(zhǎng)，以及其他各式各樣應(yīng)用持續(xù)發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)裝置單位出貨量將呈現(xiàn)中十位數(shù)百分比的成長(zhǎng)。伴隨更多的人工智能功能的加入，物聯(lián)網(wǎng)裝置將帶動(dòng)更多需求于更強(qiáng)大卻更省電的控制芯片、聯(lián)網(wǎng)芯片與感測(cè)芯片。臺(tái)積電提供高效能、低功耗的制程技術(shù)來(lái)強(qiáng)化客戶(hù)競(jìng)爭(zhēng)力以贏得市場(chǎng)。

車(chē)用電子

2019年， 因?yàn)槿蚪?jīng)濟(jì)環(huán)境轉(zhuǎn)弱的影響，汽車(chē)單位銷(xiāo)售量衰退5%； 2020年， 受到COVID-19 全球大流行與整體經(jīng)濟(jì)持續(xù)的不確定性因素影響，預(yù)計(jì)將再次衰退低十位數(shù)百分比。展望未來(lái)，預(yù)期電動(dòng)車(chē)，先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)及信息娛樂(lè)系統(tǒng)需要更豐富的半導(dǎo)體內(nèi)容，將帶動(dòng)處理器、傳感器、模擬及電源集成電路等需求。臺(tái)積電提供各種車(chē)用制程技術(shù)以幫助客戶(hù)在車(chē)用市場(chǎng)取得勝利。

消費(fèi)性電子產(chǎn)品

2019年，消費(fèi)性電子產(chǎn)品單位銷(xiāo)售量衰退7%；電視及機(jī)頂盒銷(xiāo)售量受全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境的不確定因素影響而降低，而MP3 播放器、數(shù)字相機(jī)市場(chǎng)則持續(xù)受到智能型手機(jī)的侵蝕，銷(xiāo)售量皆呈現(xiàn)下滑。展望2020年，整體消費(fèi)性電子產(chǎn)品出貨量預(yù)計(jì)將維持下滑，但是其中的4K 及8K 超高分辨率電視出貨將達(dá)到正成長(zhǎng)。此外，電視上使用人工智能技術(shù)來(lái)提高畫(huà)面質(zhì)量、語(yǔ)音控制等功能已成為未來(lái)趨勢(shì)。預(yù)期臺(tái)積

公司將掌握此波趨勢(shì)，以廣泛的先進(jìn)制程技術(shù)以滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)市場(chǎng)趨勢(shì)之需求。

產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈

電子產(chǎn)品的供應(yīng)鏈冗長(zhǎng)而復(fù)雜，且各個(gè)環(huán)節(jié)環(huán)環(huán)相扣。身處產(chǎn)業(yè)鏈的上游，半導(dǎo)體組件供貨商必須提供充足且彈性的產(chǎn)能以因應(yīng)市場(chǎng)的激烈變化，而集成電路制造服務(wù)產(chǎn)業(yè)更是確保產(chǎn)業(yè)鏈健康、穩(wěn)健的重要元素。臺(tái)積電身為積體電路制造服務(wù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，將持續(xù)提供最先進(jìn)的制程技術(shù)及充足的產(chǎn)能，以確保整體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新。

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