電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）繼SK海力士、三星之后，南京臺積電也被撤銷了豁免？

9月2日消息，美國商務部官員在近期通知臺積電，決定終止臺積電南京廠的所謂“經過驗證的最終用戶”(VEU)地位，即撤銷了過去臺積電向南京工廠輸送受美國出口管制的半導體設備等的豁免權，意味著未來臺積電供應商向南京工廠供應半導體設備和其他相關產品時都需要單獨申請批準。

臺積電也證實，已接到美國政府通知，南京廠的VEU授權將會在2025年12月31日撤銷。

月產4萬片，營收150億，占比不足3%

臺積電南京廠（Fab 16）項目于2016年啟動，初期規(guī)劃投資30億美元建設12英寸晶圓廠，聚焦16nm制程，目標月產能2萬片。該工廠在2018年10月實現(xiàn)16nm量產，并在2020年達產，實現(xiàn)月產2萬片的初期產能目標。2021年，南京廠16nm晶圓月產達到2.5萬片。

在2021年的全球缺芯潮中，成熟制程產能嚴重緊缺，于是臺積電在2021年4月宣布投資28.87億美元在南京廠擴建28nm制程產能，新增月產4萬片。新增的產能在2022年下半年開始量產，并在2023年中達產。達產后，南京廠總產能達到月產6萬片以上。

根據(jù)臺積電2024年年報，臺積電南京廠去年營收約150億元，占臺積電總營收約2.4%。而近年來受到地緣政治等因素影響，臺積電南京廠也沒有新的擴產計劃。

臺積電表示，正在評估情況并與美國政府保持溝通，將全力確保南京廠的持續(xù)運作不受影響。美國商務部也承諾，將批準必要的許可證申請，以避免工廠停擺。鑒于南京廠主要生產16nm及以上成熟制程，且當前庫存和現(xiàn)有設備足以維持生產，短期內產能利用率（目前接近100%）和輸出不會顯著下降。

盡管南京廠對臺積電營收影響不大，但在消息傳出后，臺積電主要的半導體設備供應商，包括應用材料、ASML、東電和科磊等股價跌幅都超過大盤。

年底撤銷VEU授權后，對臺積電南京廠的影響主要是進口設備、材料等可能受到逐案審查，導致設備進口延誤，增加運營成本和不確定性。特別是工廠維護、升級或更換設備時，需額外合規(guī)程序，這可能影響效率并抬高成本。

同時，這也基本將臺積電南京廠的定位固化，由于可能無法獲得新設備，或許未來該工廠難以像2021年這樣快速響應市場需求增設產能，促使臺積電將產能加速轉移到海外。

SK海力士、三星同樣未能幸免

2022年，美國商務部針對中國實施嚴格的半導體出口管制，但為三星和SK海力士在中國的工廠，比如三星的西安廠和SK海力士的大連、無錫廠提供了VEU豁免。這允許它們無需逐案申請許可證，即可從美國供應商（如應用材料、KLA等）進口受管制的半導體設備、工具和材料，用于維護和升級工廠。

然而在8月底，美國商務部正式通知三星和SK海力士，將撤銷其VEU豁免，并在120天后生效。美國商務部在一份聲明中表示，美國政府計劃批準這些公司的現(xiàn)有設施運營許可申請，但不打算授予它們擴大產能或升級技術的許可。

值得一提的是，這次被撤銷VEU授權的，還包括SK海力士此前收購英特爾位于大連的存儲工廠。

韓國產業(yè)部表示，政府已向商務部“說明我們半導體公司在中國穩(wěn)定運營對全球半導體供應鏈穩(wěn)定的重要性”。韓國外交部表示，首爾將繼續(xù)與華盛頓進行磋商以盡量減少對韓國公司的影響。

相比于臺積電南京廠，三星、SK海力士在中國大陸的產能占比要高得多。根據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)，截至今年三季度，三星西安工廠月產能達25 萬 - 26.5 萬片 12 英寸晶圓，占三星全球 NAND 閃存總產能的40%-42%。這一比例自 2024 年以來持續(xù)穩(wěn)定，主要得益于西安工廠二期和三期項目的持續(xù)擴產。

西安工廠是三星在全球范圍內最大的NAND制造基地，在2023年獲得VEU豁免后，三星電子就在西安工廠投資升級工藝，計劃2024年引進236層NAND制造設備。

而無錫工廠也是SK海力士全球最大的DRAM制造基地，截至今年三季度，月產能約17萬片12英寸晶圓，占到SK海力士全球DRAM總產能的35%-40%。就在今年6月，SK海力士還與合資公司海太半導體簽署新合同，推進后端工藝升級和產能擴張。

但在VEU豁免被撤銷后，三星和SK海力士在中國大陸的產能擴張和制程升級可能會因此停滯。短期來看，制程上三星的高層數(shù)NAND制造設備已經完成導入，產能較為穩(wěn)定；但SK海力士近期才傳出消息稱計劃提升無錫工廠DDR4晶圓投片規(guī)模，這可能需要新的設備導入，但在撤銷豁免節(jié)點前，仍有時間準備。

現(xiàn)在可以確定的是，三星和SK海力士位于中國的工廠，這些占全球產能比例非常大的工廠，產能和制程可能被限制在2025年當下的節(jié)點，未來擴產以及制程升級都很有可能會受到限制。

從中國市場的角度來看，隨著時間的推進以及技術升級，這將會有利于本土存儲芯片廠商，比如長存和長鑫可能會獲得更廣闊的市場機會。從全球的角度來看，兩家韓國存儲大廠的產能擴張，未來需要轉移到其他地區(qū)。

實際上，三星和SK海力士目前已經分別在美國得州和印第安納州投資建廠。但人力成本和初期供應鏈成本可能會較高，兩家公司也希望通過增強自動化比例來降低運營成本。

長期來看，韓國存儲巨頭的產能布局，可能會受到設備管制影響而逐步“去中國化”。但對于中國本土的存儲廠商來說，也將會是市場擴張的機會。

小結：

海外半導體廠商VEU豁免被陸續(xù)撤銷，表明美國希望加速半導體產能“去中國化”并“回流”。毫無疑問，這將導致半導體供應鏈變得更加割裂，從全球化加速轉向區(qū)域化，分散的供應鏈也會為半導體制造帶來更大的成本波動。長期來看，成本攀升、技術分化將會是全球半導體產業(yè)下個階段的特性。對于中國半導體產業(yè)，要應對未來全球供應鏈的變化，則需要更加高度的自主化，以保障本土供應鏈安全。