首家獲得JEDEC和AEC-Q101認證、具有最高可靠性的650 V氮化鎵(GaN)半導體的設(shè)計和制造領(lǐng)導者Transphorm Inc.透露，該公司已交付了逾50萬高壓GaN FET（場效應晶體管）。這一里程碑的實現(xiàn)歸因于客戶對其高質(zhì)量、高可靠性GaN平臺的不斷采用。

一年前，Transphorm發(fā)布了第一套完整的高壓GaN功率半導體驗證數(shù)據(jù)。不久前，該公司正式發(fā)布了其最新的實地可靠性數(shù)據(jù)。Transphorm的GaN技術(shù)擁有逾50億小時的實際使用時間，目前其FIT率（故障率）小于2.0，PPM（不良率）每年低于19.8。

許多工業(yè)、基礎(chǔ)設(shè)施、IT和PC游戲市場的客戶已經(jīng)公開宣布了使用Transphorm的GaN技術(shù)制造的在產(chǎn)設(shè)備。這說明了人們對于GaN解決方案的信心日益增強，預計它將成為一個有吸引力的市場。

事實上，現(xiàn)已屬于Informa Tech旗下的行業(yè)分析公司IHS Markit Technology預測，GaN電源分立器件、模塊和系統(tǒng)IC的總收入到2028年將達到12億美元，其中約7.5億美元（占整個市場的近三分之二））來自于高壓GaN解決方案。

Transphorm聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席運營官Primit Parikh表示：“在業(yè)界普遍使用單芯片常關(guān)硅MOSFET的時候，我們就推出了最強大的兩芯片常關(guān)器件。正如我們眾所周知的發(fā)展勢頭以及消費類適配器領(lǐng)域中其他知名制造商（如Power Integrations）所證明的那樣，兩芯片常關(guān)GaN解決方案是當今最實用的高壓GaN FET設(shè)計。事實上，正是這種設(shè)計才使Transphorm的GaN實現(xiàn)了高性能和高可靠性，獲得了迄今為止超過50億小時(<2 FIT)的現(xiàn)場可靠性數(shù)據(jù)?！?/p>

Transphorm產(chǎn)品的成功很大程度上還是歸因于其產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性(Q+R)。這種Q+R以該公司強大的常關(guān)型GaN平臺、對外延工藝的強大控制以及制造能力為后盾——可以很好地滿足從消費型適配器到汽車等各種跨行業(yè)市場的數(shù)量和質(zhì)量要求。這些因素的綜合使該公司能夠生產(chǎn)具備空前可靠性、可設(shè)計性、可驅(qū)動性和可再現(xiàn)性的GaN FET。

Transphorm全球技術(shù)營銷兼北美銷售副總裁Philip Zuk表示：“在GaN的目標核心高功率市場中取得成功之后，我們還正與快速增長的半導體落后市場（如消費類適配器和機頂盒）的客戶合作，因為到目前為止，我們已經(jīng)交付的大多數(shù)產(chǎn)品都針對的是更高功率的應用。超過50萬的650V FET相當于400多萬低功率（低于100瓦）FET，這證明了我們的批量生產(chǎn)能力?！?/p>

關(guān)于Transphorm

富士通電子旗下代理品牌 Transphorm，是一家設(shè)計、生產(chǎn)氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器和模塊的企業(yè)。 2007年成立，Transphorm以美國加州大學圣塔芭芭拉分校的教授和研究人員為主體，致力于設(shè)計、生產(chǎn)GaN（氮化鎵）功率轉(zhuǎn)換器和模塊，已獲得了包括谷歌、富士通、凱鵬華盈、考菲爾德及拜爾斯、索羅斯基金管理公司、量子戰(zhàn)略合作伙伴在內(nèi)的眾多投資機構(gòu)的青睞。 2013年，Transphorm推出了當時業(yè)內(nèi)唯一經(jīng)過JEDEC認證的GaN器件，建立了業(yè)界第一個也是唯一通過JEDEC認證的600V GaN產(chǎn)品線。 2014年2月，Transphorm與富士通半導體的功率器件業(yè)務(wù)部進行了業(yè)務(wù)合并，Transphorm負責設(shè)計、富士通半導體負責制造并代理銷售。 2015年，Transphorm和安森美建立合作關(guān)系，共同推出基于GAN的電源方案。公司創(chuàng)立十多年來，Transphorm一直專注于將高壓GaN FET推向市場。致力于為電力電子市場（數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、PV轉(zhuǎn)換器、感應/伺服電機、工業(yè)及汽車等商業(yè)供電市場）設(shè)計、制造和銷售GaN產(chǎn)品。 2017年3月，又推出了市場上僅有的一款經(jīng)過AEC-Q101認證的650V車用GaN器件。