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半導體集成電路選用的八大原則

電源研發(fā)精英圈 ? 來源:電源研發(fā)精英圈 ? 2020-05-19 10:29 ? 次閱讀
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電子元器件是電子產(chǎn)品最基本組成單元,電子設(shè)備的故障有很大一部分是由于元器件的性能、質(zhì)量或選用的不合理而造成的,故電子元器件的正確選用是保障電子產(chǎn)品可靠性的基本前提??煽啃栽O(shè)計就是選用在最壞的使用環(huán)境下仍能保證高可靠性的元器件的過程。

半導體集成電路選用八大原則

01:集成電路的優(yōu)選順序為超大規(guī)模集成電路→大規(guī)模集成電路→中規(guī)模集成電路→小規(guī)模集成電路。

02:盡量選用金屬外殼集成電路,以利于散熱。

03:選用的集成穩(wěn)壓器,其內(nèi)部應(yīng)有過熱、過電流保護電路。

04:超大規(guī)模集成電路的選擇應(yīng)考慮可以對電路測試和篩選,否則影響其使用可靠性。

05:集成電路MOS器件的選用應(yīng)注意以下內(nèi)容:

1)MOS器件的電流負載能力較低,并且容抗性負載會對器件工作速度造成較大影響。

2)對時序、組合邏輯電路,選用器件的最高頻率應(yīng)高于電路應(yīng)用部位的2~ 3倍。

3)對輸入接口,器件的抗干擾要強。

4)對輸出接口,器件的驅(qū)動能力要強。

06:應(yīng)用CMOS集成電路時應(yīng)注意下列問題:

1)CMOS集成電路輸入電壓的擺幅應(yīng)控制在源極電源電壓與漏極電源電壓之間。

2)CMOS集成電路源極電源電壓VSS為低電位,漏極電源電壓VDD為高電位,不可倒置。3)輸入信號源和CMOS集成電路不用同一組電源時,應(yīng)先接通CMOS集成電路電源,后接通信號源;應(yīng)先斷開信號源,后斷開CMOS集成電路電源。

4)CMOS集成電路輸入(出)端如接有長線或大的積分或濾波電容時,應(yīng)在其輸入(出)端串聯(lián)限流電阻(1~10kΩ),把其輸入(出)電流限制到10mA以內(nèi)。

5)當輸入到CMOS集成電路的時鐘信號因負載過重等原因而造成邊沿過緩時,不僅會引起數(shù)據(jù)錯誤,而且會使其功耗增加,可靠性下降。為此可在其輸入 端加一個施密特觸發(fā)器來改善時鐘信號的邊沿。

07:CMOS集成電路中所有不同的輸入端不應(yīng)閑置,按其工作功能一般應(yīng)作如下處理:

1)與門和非門的多余端,應(yīng)通過0.5~1MΩ的電阻接至VDD或高電平。

2)或門和或非門的多余端,應(yīng)通過0.5~1MΩ的電阻接至VSS或低電平。

3)如果電路的工作速度不高,功耗也不要特別考慮的話,可將多余端與同一芯片上相同功能的使用端并接。應(yīng)當指出,并接運用與單個運用相比,傳輸特性有些變化。

08:選用集成運算放大器和集成比較器時應(yīng)注意下列問題:

1)無內(nèi)部補償?shù)募蛇\算放大器在作負反饋應(yīng)用時,應(yīng)采取補償措施,防止產(chǎn)生自激振蕩。

2)集成比較器開環(huán)應(yīng)用時,有時也會產(chǎn)生自激振蕩。采取的主要措施是實施電源去耦,減小布線電容、電感耦合。

3)輸出功率較大時,應(yīng)加緩沖級。輸出端連線直通電路板外部時,應(yīng)考慮在輸出端加短路保護。

4)輸入端應(yīng)加過電壓保護,特別當輸入端連線直通電路板外部時,必須在輸入端采取過電壓保護措施。

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原文標題:電子元器件如何選用?看看半導體集成電路選用的八大原則!

文章出處:【微信號:dianyuankaifa,微信公眾號:電源研發(fā)精英圈】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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