升壓芯片或者內(nèi)置升壓的功放燒片燒片的常見(jiàn)原因有兩個(gè)：一是開(kāi)關(guān)管的過(guò)沖超過(guò)了工藝的極限參數(shù)，這個(gè)之前的文章介紹過(guò)很多次，這里不再詳述。另外一個(gè)是今天聊的重點(diǎn)，也是大家非常容易忽視的地方—電解電容。

Boost升壓，環(huán)路必須要穩(wěn)定，穩(wěn)定性是由電感、輸出電容、補(bǔ)償線路決定的。如果輸出電容選擇不恰當(dāng)，或者輸出電容質(zhì)量問(wèn)題，會(huì)引起環(huán)路震蕩，LX震蕩、PVOUT震蕩，最終導(dǎo)致芯片損壞。

小編遇到一個(gè)1%芯片損壞問(wèn)題，更換芯片后，發(fā)現(xiàn)升壓線路出現(xiàn)震蕩，PVOUT和LX起伏震蕩較大，隨時(shí)會(huì)超出工藝極限，導(dǎo)致?lián)p壞。

改變信號(hào)大小，同樣存在震蕩。

確定這種震蕩是外圍器件引起的，更換電感后沒(méi)有明顯改善。

加大陶瓷電容有改善，PVOUT上的陶瓷電容從22uF改為44uF后不在震蕩，但是需要兩顆X7R的22uF，成本太高，另外理論上，PVOUT上已經(jīng)有470uF電解電容，容量足夠大，不應(yīng)該導(dǎo)致該問(wèn)題。

所以把重點(diǎn)放到電解電容，陶瓷電容保持與原來(lái)不變，更換電解電容后，不再震蕩。

那么電解電容怎么會(huì)導(dǎo)致震蕩呢？

下面把這個(gè)電解電容進(jìn)行測(cè)試。把470uF電解電容和1K電阻串聯(lián)，加入50%占空比方波做交流源，一個(gè)RC的時(shí)間是465ms，所以容量是對(duì)的。但是重點(diǎn)來(lái)了，電容充電的起始點(diǎn)發(fā)現(xiàn)異常，不是從0開(kāi)始，而是有一個(gè)固定的電壓。這個(gè)極有可能是電解電容已經(jīng)損壞，或者內(nèi)部寄生阻抗太大，甚至達(dá)到了100歐的級(jí)別，導(dǎo)致環(huán)路出現(xiàn)了不穩(wěn)定，震蕩。

總結(jié)：電解電容簡(jiǎn)單、常用，所以我們也常常忽視電解電容的品質(zhì)管理，但這對(duì)于升壓的影響卻是很大的。

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