編者按：在存儲產品競爭中，三星已經在制程和產能上領先，三星最新成立芯片專家組，以提高閃存芯片的生產良率。最新報道，中國長江存儲二期正式開建，國家存儲器基地項目總投資達240億美元。其中，一期主要實現(xiàn)技術突破，并建成10萬片/月產能；二期規(guī)劃產能20萬片/月

6月20日上午，以長江存儲二期廠房為施工主體的國家存儲器基地項目二期在武漢東湖高新區(qū)未來科技城國家存儲器基地建設工地開工建設。

在開工儀式上，紫光集團兼長江存儲公司董事長趙偉國介紹了項目情況。

他表示，國家存儲器基地項目一期開工建設以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的存儲器芯片工廠，實現(xiàn)了技術水平從跟跑到并跑的跨越。

國家存儲器基地項目由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設，計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠。

項目一期于2016年底開工建設，進展順利，32層、64層存儲芯片產品已實現(xiàn)穩(wěn)定量產，并成功研制出目前業(yè)內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量的128層閃存芯片。

國家存儲器基地項目總投資達240億美元。其中，一期主要實現(xiàn)技術突破，并建成10萬片/月產能；二期規(guī)劃產能20萬片/月，兩期項目達產后月產能共計30萬片。

三星成立芯片專家團隊 提升NAND生產良率

據(jù)韓媒Sammobile報道，這家芯片巨頭已經成立了一個專家組，以提高其閃存芯片的生產良率。

該小組有來自三星設備解決方案 (SDS) 制造技術中心的專家、以及負責NAND閃存生產的高管。新的團隊將解決芯片生產過程中出現(xiàn)的任何問題，并實施提高整個流程生產效率的步驟。

目前在128層V-NAND閃存芯片生產方面，三星面臨著英特爾和YMTC (長江存儲) 等公司的激烈競爭，因此公司希望確保工藝是行業(yè)內最高效的，并提高生產良率。公司還在投資擴大閃存芯片的產能。

三星采用了通道孔蝕刻技術，從上到下穿孔疊加128層。這提供了層與層之間的電連接。層數(shù)越高，閃存容量越大。單堆疊法表示一次穿孔的工藝，三星在生產第6代NAND閃存芯片時采用了這種方法，以提高價格競爭力。還有一種雙層疊加法，就是分兩步穿孔，但成本高達30%以上。

據(jù)稱，與穿透96層NAND閃存芯片相比，穿透128層NAND閃存芯片所需的時間是其兩倍。三星的新任務組將努力克服盡可能多的限制，形成更大的技術壁壘。這是三星“Super Gap”計劃中的重要一環(huán)，希望通過巨大技術優(yōu)勢讓競爭對手無法追趕。

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