根據(jù)Omdia的一項(xiàng)新研究,在電動(dòng)汽車(chē)和光伏應(yīng)用需求的推動(dòng)下,預(yù)計(jì)到2020年底,SiC MOSFET的全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3.2億美元。憑借更高的擊穿電壓、更好的熱性能和更低的開(kāi)關(guān)損耗,SiC MOSFET正在取代硅MOSFET和IGBT,并已成為制造更小更輕的逆變器的熱門(mén)選擇。
PI的SIC1182K和汽車(chē)級(jí)SIC118xKQSCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器,可提供最大峰值輸出門(mén)極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級(jí)。
SCALE-2門(mén)極驅(qū)動(dòng)核和其他SCALE-iDriver門(mén)極驅(qū)動(dòng)器IC還支持不同SiC架構(gòu)中的不同電壓,允許使用SiC MOSFET進(jìn)行安全有效的設(shè)計(jì)。
為何使用SCALE門(mén)極驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET?
可以通過(guò)外部VEE電路來(lái)調(diào)整門(mén)極電壓
≤2μs的超快速短路關(guān)斷
大輸出電流及絕緣能力
帶dv/dt反饋的動(dòng)態(tài)高級(jí)有源鉗位
開(kāi)關(guān)頻率可高達(dá)500 kHz
深入了解:
訪(fǎng)問(wèn)驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET功率開(kāi)關(guān)技術(shù)頁(yè)面
下載應(yīng)用指南AN-1601 - 使用SCALE門(mén)極驅(qū)動(dòng)器控制SiC MOSFET功率開(kāi)關(guān)
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原文標(biāo)題:使用SCALE門(mén)極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET
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