91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

IDM模式將是第三代半導(dǎo)體發(fā)展主流

我快閉嘴 ? 來(lái)源:南方日?qǐng)?bào) ? 作者:郜小平 ? 2020-08-17 13:31 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

“中國(guó)半導(dǎo)體材料與國(guó)外的差距已不是那么大,我很樂(lè)觀地相信可以追得上。”在近日由中信建投證券與金沙江資本聯(lián)合主辦的“中國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展機(jī)遇交流峰會(huì)”上,鮮少露面的中芯國(guó)際創(chuàng)始人、原CEO張汝京發(fā)聲。

他的自信來(lái)自于第三代半導(dǎo)體的發(fā)展機(jī)遇:未來(lái),新能源汽車(chē)、5G通信、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域都將規(guī)模應(yīng)用第三代半導(dǎo)體,隨著中國(guó)在高科技領(lǐng)域的領(lǐng)跑,第三代半導(dǎo)體發(fā)展可以“換道超車(chē)”。

此次峰會(huì)上,還包括金沙江資本創(chuàng)始人及董事局主席伍伸俊、資產(chǎn)管理公司TPG(德太投資)中國(guó)區(qū)管理合伙人孫強(qiáng)、瑞信集團(tuán)董事會(huì)成員李山等,就如何發(fā)展第三代半導(dǎo)體開(kāi)展頭腦風(fēng)暴。

5G、新能源都離不開(kāi)第三代半導(dǎo)體

何謂第三代半導(dǎo)體?半導(dǎo)體發(fā)展至今已經(jīng)歷三個(gè)發(fā)展階段:第一階段是以硅(Si)、鍺(Ge)為代表的第一代半導(dǎo)體原料;第二階段是以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三階段是以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、硒化鋅(ZnSe)等寬帶半導(dǎo)體原料為主。

“5G領(lǐng)域常常會(huì)用到第三代半導(dǎo)體,比如很多高頻芯片用的材料是氮化鎵,耐高壓、耐高溫;此外,無(wú)人駕駛汽車(chē)、新能源等領(lǐng)域也常常用到碳化硅,也屬于第三代半導(dǎo)體。”張汝京說(shuō),中國(guó)在5G技術(shù)上保持領(lǐng)先,并在通信、人工智能、云端服務(wù)等領(lǐng)域超前發(fā)展,這些高科技的應(yīng)用都將推動(dòng)第三代半導(dǎo)體發(fā)展。

伍伸俊也舉例說(shuō),5G射頻芯片必須用到第三代半導(dǎo)體,僅快充芯片在中國(guó)市場(chǎng)就非常龐大,整體看,隨著中國(guó)在5G、電動(dòng)汽車(chē)、超高壓、特高壓電網(wǎng)等領(lǐng)域布局走在前列,龐大的需求催生。

“第三代半導(dǎo)體跑道是敞開(kāi)的,很難說(shuō)哪家能夠壟斷行業(yè)。目前領(lǐng)跑者包括英飛凌羅姆、Transphorm等,而中國(guó)勝在市場(chǎng)需求比較大?!蔽樯炜≌f(shuō),如果能夠組織好國(guó)際領(lǐng)先的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)、有規(guī)模的第三代芯片廠,就有希望推出更高水平的產(chǎn)品服務(wù)全球客戶。

最關(guān)鍵是人才,投資半導(dǎo)體需耐心

一直以來(lái),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一直是資金、技術(shù)、人才密集型產(chǎn)業(yè),但張汝京強(qiáng)調(diào),第三代半導(dǎo)體的投資并不大,關(guān)鍵還是人才。

伍伸俊也認(rèn)為,在第三代半導(dǎo)體這個(gè)“新賽道”,從事半導(dǎo)體行業(yè)的工程師非常多,中國(guó)人才優(yōu)勢(shì)非常明顯,“三星的崛起就是一個(gè)生動(dòng)的案例:在小小的市場(chǎng)通過(guò)聚焦投入,加上國(guó)家政策支持和幾代人努力,最終在半導(dǎo)體領(lǐng)域超過(guò)了領(lǐng)先的日本”。

市場(chǎng)因素也非常關(guān)鍵,伍伸俊舉例說(shuō),二十多年前,日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷“廣場(chǎng)協(xié)議”后節(jié)節(jié)敗退,很重要原因是市場(chǎng)容量較小,而如今國(guó)內(nèi)可以憑借廣闊的市場(chǎng),尤其是龍頭企業(yè)的帶動(dòng),將推動(dòng)第三代半導(dǎo)體快速成長(zhǎng)。

“工序也相對(duì)簡(jiǎn)單,不少設(shè)備并不需要7nm、5nm光刻機(jī),0.8微米的也能用上,而且不少設(shè)備可以國(guó)產(chǎn)化,需要考慮的是如何把SiC、GaN等原材料做到外延可靠性好、質(zhì)量好、良率高、成本低。”伍伸俊說(shuō)。

李山則關(guān)注到,半導(dǎo)體的投資投入大、回報(bào)時(shí)間長(zhǎng)導(dǎo)致PE、VC望而卻步,目前在半導(dǎo)體領(lǐng)域政府投入資金較多,如何把市場(chǎng)和政府兩個(gè)優(yōu)勢(shì)相結(jié)合,在風(fēng)險(xiǎn)上進(jìn)行互補(bǔ)。

“投資確實(shí)有這個(gè)問(wèn)題,一級(jí)市場(chǎng)和二級(jí)市場(chǎng)是掛鉤的,一般人投資的時(shí)候都看二級(jí)市場(chǎng)怎么樣,做一個(gè)可比公司分析。就好比過(guò)去是很多互聯(lián)網(wǎng)公司、電商公司和醫(yī)療公司迅速成長(zhǎng)起來(lái),再反過(guò)來(lái)推基礎(chǔ)研發(fā)公司成長(zhǎng)?!睂O強(qiáng)說(shuō),半導(dǎo)體行業(yè)投資需要耐心、膽量、眼光,資本整體比較浮躁,“短平快”模式無(wú)法在半導(dǎo)體行業(yè)做起來(lái)。

IDM模式或重返主流,全產(chǎn)業(yè)布局更有效率

“要想超車(chē)應(yīng)該找合適的跑道去超”,在此次峰會(huì)上,以新的模式發(fā)展第三代半導(dǎo)體也成為關(guān)注焦點(diǎn)。

李山認(rèn)為,要抓住半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域出現(xiàn)的商業(yè)模式與產(chǎn)業(yè)分工機(jī)遇。此前,半導(dǎo)體企業(yè)多從北方電信、愛(ài)立信等大企業(yè)內(nèi)部成長(zhǎng)出來(lái),但隨著分工專(zhuān)業(yè)化,設(shè)計(jì)、封裝、代工逐步分開(kāi)。

目前,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要分為兩種模式:一是從設(shè)計(jì)一直做到制造和封裝的IDM模式,以英特爾、三星為代表;另一種是垂直分工模式,只設(shè)計(jì)或者只生產(chǎn)(Fabless或Foundry),前者以華為海思、高通、聯(lián)發(fā)科為代表,后者以臺(tái)積電、中芯國(guó)際為代表。

“分久必合,合久必分,現(xiàn)在由于技術(shù)本身變化和市場(chǎng)機(jī)會(huì),我們?cè)诿恳粋€(gè)環(huán)節(jié)上受限,這種情況下中國(guó)第三代半導(dǎo)體可能會(huì)采用IDM模式?!崩钌秸f(shuō)。

張汝京也認(rèn)為,第三代半導(dǎo)體是“后摩爾定律時(shí)代”,線寬不是很小,設(shè)備不特別貴,芯片設(shè)計(jì)、資本投資都占優(yōu)勢(shì)的情況下,唯有材料突破不易,這正是IDM模式的優(yōu)勢(shì)。

他舉例說(shuō),第三代半導(dǎo)體中碳化硅為例,新能源車(chē)中應(yīng)用較多,特斯拉Model 3已開(kāi)始使用。這些功率模組主要由意法半導(dǎo)體、英飛凌兩家供應(yīng),而這兩家基本上都是IDM公司,看起來(lái)第三代半導(dǎo)體中較大公司都是IDM公司,產(chǎn)業(yè)鏈從頭到尾是一家公司負(fù)責(zé),做出來(lái)效率較高。

“IDM模式將是第三代半導(dǎo)體發(fā)展主流?!彼袛?。而張汝今也認(rèn)為,三星在發(fā)展第三代半導(dǎo)體方面獨(dú)具優(yōu)勢(shì),它可從技術(shù)、開(kāi)發(fā)材料、設(shè)備等全產(chǎn)業(yè)“一腳踢”。
責(zé)任編輯:tzh

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 新能源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    27

    文章

    6841

    瀏覽量

    114539
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31086

    瀏覽量

    265830
  • 5G
    5G
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1368

    文章

    49195

    瀏覽量

    632830
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    高頻交直流電流探頭在第三代半導(dǎo)體功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試中的精準(zhǔn)測(cè)量

    高頻交直流電流探頭克服磁飽和問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)超寬頻帶響應(yīng),適用于第三代半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)測(cè)試,提升電流測(cè)量精度與效率。
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:56 ?136次閱讀

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù),開(kāi)啟了在半導(dǎo)體行業(yè)高速
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開(kāi)發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺(tái)。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?910次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔?chē)道,碳化硅器件成本有望年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔?chē)道,碳化硅器件成本有望年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?495次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)特性、柵極電流測(cè)量及開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?335次閱讀

    青禾晶元常溫鍵合方案,破解第三代半導(dǎo)體異質(zhì)集成熱損傷難題

    性能提出極限要求,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體異質(zhì)集成技術(shù),已成為延續(xù)摩爾定律、突破性能瓶頸的關(guān)鍵。然而,傳統(tǒng)高溫鍵合工藝導(dǎo)致的熱應(yīng)力損傷、材料失配與界面氧化問(wèn)題,長(zhǎng)期制約著該技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。 面對(duì)
    的頭像 發(fā)表于 12-29 11:24 ?510次閱讀
    青禾晶元常溫鍵合方案,破解<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>異質(zhì)集成熱損傷難題

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    %。研發(fā)與認(rèn)證成本技術(shù)迭代:GaN技術(shù)處于快速發(fā)展期,Neway需持續(xù)投入研發(fā)(如第三代模塊研發(fā)費(fèi)用占比超15%)以保持技術(shù)領(lǐng)先。行業(yè)認(rèn)證:進(jìn)入新能源車(chē)、軌道交通等領(lǐng)域需通過(guò)AEC-Q100、ISO
    發(fā)表于 12-25 09:12

    芯干線斬獲2025行家極光獎(jiǎng)年度第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)開(kāi)拓領(lǐng)航獎(jiǎng)

    2025年12月4日,深圳高光時(shí)刻!由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說(shuō)三代半」主辦的「2025行家極光獎(jiǎng)」頒獎(jiǎng)晚宴盛大啟幕,數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂,共襄產(chǎn)業(yè)盛事。
    的頭像 發(fā)表于 12-13 10:56 ?1096次閱讀
    芯干線斬獲2025行家極光獎(jiǎng)年度<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>市場(chǎng)開(kāi)拓領(lǐng)航獎(jiǎng)

    第三代半導(dǎo)體碳化硅(Sic)加速上車(chē)原因的詳解;

    如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱(chēng)為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表;而半導(dǎo)體這個(gè)行業(yè)又過(guò)于學(xué)術(shù),為方便閱讀,以下這篇文章的部分章節(jié)會(huì)以要點(diǎn)列示為主,如果遺漏
    的頭像 發(fā)表于 12-03 08:33 ?674次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>碳化硅(Sic)加速上車(chē)原因的詳解;

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開(kāi)。省工業(yè)和信息化廳二級(jí)巡視員余雷、副市長(zhǎng)祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書(shū)記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書(shū)記、區(qū)長(zhǎng)臧沖主持會(huì)議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1517次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?995次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺(tái)深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?840次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來(lái)最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè),萬(wàn)眾矚目。陶瓷方面,
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?1583次閱讀
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>材料 |  耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2740次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過(guò)降低能量損耗,來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?1014次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)