硅功率器件現(xiàn)正開始達到其性能改進被抑制的階段，不可避免的結(jié)論是來自硅進一步支持的技術(shù)演進的能力逐漸減弱?，F(xiàn)在明確地需要實質(zhì)上的具有顛覆性的技術(shù)。

要獲得市場規(guī)模應用，功率半導體必須能提供以下性能組合：

· 高電源轉(zhuǎn)換能效

· 高功率密度/緊湊的尺寸

· 快速開關(guān)

· 成本效益

GaN極其滿足所有上述標準——一些現(xiàn)在就可以做到，另一些正在不斷提升中。

GaN設計優(yōu)勢大起底

GaN是第三代半導體材料，相比于第一代的硅（Si）以及第二代的砷化鎵（GaAs）等，它具備比較突出的優(yōu)勢特性。由于禁帶寬度大、導熱率高，GaN器件可在200℃以上的高溫下工作，能夠承載更高的能量密度，可靠性更高；較大禁帶寬度和絕緣破壞電場，使得器件導通電阻減少，有利于提升器件整體的能效；電子飽和速度快，以及較高的載流子遷移率，可讓器件高速地工作。

也就是說，利用GaN人們可以獲得具有更大帶寬、更高放大器增益、更高能效、尺寸更小的半導體器件。

在任何電源系統(tǒng)設計中，某種程度的電源轉(zhuǎn)換損耗將是固定的，但由于其寬帶隙，GaN明顯比硅表現(xiàn)出更低的損耗，即更好的電源轉(zhuǎn)換效率。因為GaN片可比等效的硅片更小，基于此技術(shù)的器件可被置于尺寸更小的封裝規(guī)格中。由于其高流動性，GaN在用于要求快速開關(guān)的電路中能效極高。

下圖中顯示了GaN HEMT器件的物理結(jié)構(gòu)和它如何類似于現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)。GaN中的側(cè)向電子流同時提供低導通損耗（低導通阻抗）和低開關(guān)損耗。而且，提高的開關(guān)速度也有助于節(jié)省空間，因為電源電路所含無源元件可以更少，配套的磁性元件中使用的線圈可以更小。此外，GaN提供的更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著更少的散熱量——減小了需要分配給熱管理的空間。

GaN與硅制造工藝之間的相似性

電力需求推動技術(shù)革新

GaN處于有利地位，可從已為硅器件到位的制造設施中受益。只需使用相同的設備，添加幾個簡單的工藝步驟，就可應用于現(xiàn)有的6英寸和8英寸的CMOS硅制造工藝，而且，一旦容量需求成為必要，可擴展至12英寸工藝。

隨著標準的CMOS硅制造轉(zhuǎn)為更大尺寸的晶圓，對傳統(tǒng)的最初用于硅器件的制造設施繼續(xù)工作是一個真正的機會（否則會變得多余）。這意味著舊的芯片生產(chǎn)基地通過切換輸出氮化鎵而將獲得第二次新生。

通過這樣的方式降低成本，新的渠道將開始為GaN打開。正如60年代末和70年代初為硅基IC所做的那樣，市場將滾雪球——GaN的需求增加將導致更多的產(chǎn)量和更低的單位成本。

GaN將不再被看作小生態(tài)半導體技術(shù)，僅僅簡單地在較小的制造場地和實驗室制造，而是將成為商業(yè)可行的解決方案，可通過大規(guī)模方案生產(chǎn)器件從而能達到與硅一致的價位。

總之，電力需求超越了長期的半導體技術(shù)，而且必須做些什么來解決這個問題。當應用于電源系統(tǒng)設計，GaN有能力使性能發(fā)生巨大的改善而超越硅器件可實現(xiàn)的性能。因此它必定在電力電子的新時代發(fā)揮巨大的作用——向工程師提供更高能效、更小外形因素和更快開關(guān)速度的器件。得益于技術(shù)的重大改進，將有可能降低GaN生產(chǎn)的費用。因此我們現(xiàn)在處于這樣一個階段，GaN終于可被看作一種準備量產(chǎn)的工藝技術(shù)。

Transphorm通過與日本富士通公司的合作，使之能夠滿足全球?qū)Φ壒β兽D(zhuǎn)換產(chǎn)品不斷增長的需求。Transphorm公司符合JEDEC認證的制程與富士通半導體的基礎技術(shù)進行整合，并導入富士通半導體福島會津的6寸CMOS制程產(chǎn)線，為高產(chǎn)量的硅芯片制造提供多項關(guān)鍵功能提升。GaN電源器件運用CMOS制程產(chǎn)品線投入量產(chǎn)，可為GaN電源器件廣泛普及帶來長足且關(guān)鍵的進程。未來還將持續(xù)提升富士通半導體的高質(zhì)量制程技術(shù)，確保穩(wěn)定的供貨，并將GaN電源器件的全新價值推廣到全球市場。

關(guān)于Transphorm

富士通電子旗下代理品牌 Transphorm，是一家設計、生產(chǎn)氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器和模塊的企業(yè)。 2007年成立，Transphorm以美國加州大學圣塔芭芭拉分校的教授和研究人員為主體，致力于設計、生產(chǎn)GaN（氮化鎵）功率轉(zhuǎn)換器和模塊，已獲得了包括谷歌、富士通、凱鵬華盈、考菲爾德及拜爾斯、索羅斯基金管理公司、量子戰(zhàn)略合作伙伴在內(nèi)的眾多投資機構(gòu)的青睞。 2013年，Transphorm推出了當時業(yè)內(nèi)唯一經(jīng)過JEDEC認證的GaN器件，建立了業(yè)界第一個也是唯一通過JEDEC認證的600V GaN產(chǎn)品線。 2014年2月，Transphorm與富士通半導體的功率器件業(yè)務部進行了業(yè)務合并，Transphorm負責設計、富士通半導體負責制造并代理銷售。 2015年，Transphorm和安森美建立合作關(guān)系，共同推出基于GAN的電源方案。公司創(chuàng)立十多年來，Transphorm一直專注于將高壓GaN FET推向市場。致力于為電力電子市場（數(shù)據(jù)中心服務器、PV轉(zhuǎn)換器、感應/伺服電機、工業(yè)及汽車等商業(yè)供電市場）設計、制造和銷售GaN產(chǎn)品。 2017年3月，又推出了市場上僅有的一款經(jīng)過AEC-Q101認證的650V車用GaN器件。