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第三代化合物半導(dǎo)體發(fā)展如火如荼,中國(guó)企業(yè)率先入局

21克888 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:Norris ? 2020-09-02 18:53 ? 次閱讀
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化合物半導(dǎo)體在軍事中的應(yīng)用領(lǐng)域也不少,在大功率的高速交通工具也是關(guān)鍵材料,所以被各國(guó)視為戰(zhàn)略物資,半絕緣的化合物半導(dǎo)體甚至要拿到證明才可以出口,是相當(dāng)重要的上游材料。

我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料也在緊鑼密鼓的布局和謀劃,據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),已有15家半導(dǎo)體企業(yè)投資化合物半導(dǎo)體,可以看出第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目在國(guó)內(nèi)已處于井噴。



士蘭微

2018年10月18日,士蘭微廈門12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線暨先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線在海滄動(dòng)工。這是國(guó)內(nèi)首條12英寸特色工藝芯片制造生產(chǎn)線和下一代化合物生產(chǎn)線。

士蘭微電子廈門項(xiàng)目將建設(shè)兩條12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線,及一條先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線。其中兩條12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線總投資170億元,第一條芯片制造生產(chǎn)線總投資70億元,規(guī)劃產(chǎn)能8萬(wàn)片/月,分兩期實(shí)施。第二條芯片制造生產(chǎn)線,預(yù)計(jì)總投資100億元,定位為功率半導(dǎo)體芯片及MEMS傳感器。項(xiàng)目一期預(yù)計(jì)2020年完成廠房建設(shè)及設(shè)備安裝調(diào)試,2021年實(shí)現(xiàn)通線生產(chǎn),2022年達(dá)產(chǎn)。項(xiàng)目二期2022年前后啟動(dòng),2024年達(dá)產(chǎn)。

另一條先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線總投資50億元,定位為第三代功率半導(dǎo)體、光通訊器件、高端LED芯片。項(xiàng)目一期預(yù)計(jì)在2019年第一季度完成廠房建設(shè)及設(shè)備安裝調(diào)試,2019年實(shí)現(xiàn)通線生產(chǎn),2021年達(dá)產(chǎn);項(xiàng)目二期計(jì)劃2021年啟動(dòng),2024年達(dá)產(chǎn)。

康鵬

浙江康鵬半導(dǎo)體有限公司年產(chǎn)300萬(wàn)片化合物半導(dǎo)體基板材料項(xiàng)目,由北京卜俊鵬團(tuán)隊(duì)、乾照光電、福建安芯基金聯(lián)合投資,項(xiàng)目占地面積34.19畝,總建筑面積約3.2萬(wàn)平方米,項(xiàng)目可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)4英寸砷化鎵晶片200萬(wàn)片,年產(chǎn)6英寸砷化鎵晶片100萬(wàn)片,年銷售額可達(dá)8億元。

康鵬半導(dǎo)體項(xiàng)目的技術(shù)運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)都是從事砷化鎵工作具有十年以上的成員組成,在國(guó)內(nèi)具有較高的技術(shù)水平和長(zhǎng)期的一線生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)?!斑@一項(xiàng)目屬于半導(dǎo)體材料端創(chuàng)新研發(fā)成果的產(chǎn)業(yè)化,對(duì)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料的強(qiáng)鏈補(bǔ)鏈具有突破性意義,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)射頻芯片用砷化鎵襯底材料產(chǎn)業(yè)的空白。”浙江康鵬半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)、首席技術(shù)專家卜俊鵬說(shuō),該項(xiàng)目的投產(chǎn)不僅可以助力信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展,而且對(duì)國(guó)家在該領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)自主可控具有現(xiàn)實(shí)意義。

溢泰

據(jù)了解,該化合物半導(dǎo)體新材料產(chǎn)業(yè)園計(jì)劃投資21億元,規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn)240萬(wàn)片4英寸光電用砷化鎵晶片、36萬(wàn)片6英寸微電用砷化鎵晶片、120萬(wàn)片2英寸磷化銦晶片、6萬(wàn)片6英寸碳化硅晶片、120萬(wàn)片2英寸鉭酸鋰晶片、化合物半導(dǎo)體新材料研發(fā)中心等6個(gè)子項(xiàng)目。

根據(jù)溢泰半導(dǎo)體2019年4月公布的年產(chǎn)240萬(wàn)片4英寸砷化鎵拋光片項(xiàng)目公眾參與說(shuō)明顯示,年產(chǎn)240萬(wàn)片4英寸砷化鎵拋光片項(xiàng)目總投資2.5億元。

當(dāng)前,作為半絕緣砷化鎵下游產(chǎn)業(yè)的砷化鎵集成電路業(yè)市場(chǎng)平均增長(zhǎng)近年都在40%以上,砷化鎵射頻器件市場(chǎng)具有30%的年增長(zhǎng),加之衛(wèi)星通訊系統(tǒng)和車載雷達(dá)用砷化鎵單晶的潛在市場(chǎng),半絕緣砷化鎵的需求前景較好。

仁奇

6月15日,太極實(shí)業(yè)發(fā)布公告稱,公司控股子公司信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計(jì)研究院科技工程股份有限公司(“十一科技”)與江蘇仁奇科技有限公司(“江蘇仁奇”,項(xiàng)目業(yè)主)就江蘇仁奇發(fā)包的江蘇仁奇科技有限公司芯片產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目簽訂了《EPC總承包工程同》。公告指出,江蘇仁奇科技有限公司芯片產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目擬利用2年時(shí)間,在江蘇宿遷泗陽(yáng)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)建成一個(gè)涵蓋芯片制造、封測(cè)、研發(fā)的產(chǎn)業(yè)化基地,形成年產(chǎn)6英寸0.25um芯片線60萬(wàn)片,年封測(cè)10億顆的生產(chǎn)能力。根據(jù)泗陽(yáng)人民政府此前發(fā)布的公告稱,同意江蘇仁奇科技有限公司在擬定地點(diǎn)(江蘇泗陽(yáng)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)太湖路東側(cè)、浙江路北側(cè))年產(chǎn)18萬(wàn)片GaAs、年封測(cè)13億片集成電路項(xiàng)目。由此看來(lái),江蘇任奇此次的投資布局應(yīng)是瞄準(zhǔn)化合物半導(dǎo)體砷化鎵領(lǐng)域。

中微科技

6月23日,四川邛崍市舉行天府新區(qū)新能源新材料產(chǎn)業(yè)功能區(qū)重大項(xiàng)目集中簽約儀式暨2020年下半年重點(diǎn)項(xiàng)目攻堅(jiān)行動(dòng)啟動(dòng)大會(huì),會(huì)上簽約的中微科技化合物半導(dǎo)體材料研究中心(獨(dú)角獸工場(chǎng))項(xiàng)目總投資15億元,建筑面積約4.1萬(wàn)平方米,主要以化合物半導(dǎo)體材料及微波射頻芯片、相控陣?yán)走_(dá)、5G通信、衛(wèi)星通信、微波定向能應(yīng)用產(chǎn)品線為主導(dǎo),重點(diǎn)圍繞化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)行項(xiàng)目建設(shè)、研發(fā)、測(cè)試和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用建設(shè)的科技創(chuàng)新平臺(tái)。

惠科

5月19日,青島市即墨區(qū)惠科6英寸晶圓半導(dǎo)體功率器件及第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目舉辦封頂儀式。該項(xiàng)目是集功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試為一體的全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目。同時(shí)也是惠科電子有限公司第一個(gè)芯片生產(chǎn)廠區(qū),投產(chǎn)后產(chǎn)品可應(yīng)用在高鐵動(dòng)力系統(tǒng)、汽車動(dòng)力系統(tǒng)、消費(fèi)及通訊電子系統(tǒng)等領(lǐng)域,月產(chǎn)芯片20萬(wàn)片、WLCSP封裝10萬(wàn)片,年銷售收入25億元,聚力打造國(guó)內(nèi)最大的功率器件生產(chǎn)基地,在集成電路產(chǎn)業(yè)方面是青島市具有里程碑意義的項(xiàng)目,對(duì)青島市發(fā)展自主可控的產(chǎn)業(yè)鏈具有更重要的意義。


英諾賽科

6月1日英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司項(xiàng)目主體施工已經(jīng)完成。英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資68.55億元人民幣,注冊(cè)資本20億元,占地368.6畝,主要建設(shè)從器件設(shè)計(jì),驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā),材料制造,器件制備,后段高端封測(cè)以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導(dǎo)體器件制造平臺(tái)。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測(cè)試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)。據(jù)規(guī)劃,項(xiàng)目開(kāi)工后兩年內(nèi)投產(chǎn),投產(chǎn)后三年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)78萬(wàn)片功率控制電路及半導(dǎo)體電力電子器件的總目標(biāo),年銷售收入約80億元,年稅收不低于10億元。

博方嘉芯

3月3日,浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目總投資25億元,占地111.35畝,于2019年11月7日簽約落地,全部達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年銷售30億元以上,可進(jìn)一步推動(dòng)南湖區(qū)集成電路新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。同時(shí)嘉興科技城與浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司正式簽約,共建第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院。

世紀(jì)金光

3月12日,世紀(jì)金光簽署投資協(xié)議并完成首期出資,這也標(biāo)志著合肥首個(gè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目正式落地。據(jù)悉,下一步,世紀(jì)金光將與合肥產(chǎn)投資本合作,在合肥高新區(qū)投資建設(shè)6英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)及加工項(xiàng)目。世紀(jì)金光是一家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè),是致力于第三代半導(dǎo)體功能材料和功率器件研發(fā)與生產(chǎn)的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。

泰科天潤(rùn)

3月29日,由泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司投資建設(shè)的6寸半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件生產(chǎn)線項(xiàng)目正式簽約落戶九江經(jīng)開(kāi)區(qū)。泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司是國(guó)內(nèi)第一家致力于第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)電力電子器件制造的高新技術(shù)企業(yè),總部坐落于中國(guó)北京中關(guān)村,在北京擁有一座完整的半導(dǎo)體工藝晶圓廠,可在4英寸SiC晶圓上實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體功率器件的制造工藝,并擁有目前國(guó)內(nèi)唯一一條碳化硅器件生產(chǎn)線。

中鴻新晶

4月8日,中鴻新晶總投資超百億的第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶濟(jì)南。據(jù)山東開(kāi)發(fā)區(qū)官微指出,中鴻新晶第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群項(xiàng)目總投資約111億元,總建設(shè)周期5年,分三期進(jìn)行。資料顯示,中鴻新晶科技有限公司成立于2017年,是為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈提供原材料和裝備解決方案的高科技企業(yè)、專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體高純碳化硅微粉生產(chǎn)、碳化硅單晶爐的研發(fā)制造,碳化硅和氮化鎵芯片設(shè)計(jì)和制造的企業(yè)。

華通芯電

6月19日,上海市金山區(qū)與中國(guó)科技金融產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟線上簽約儀式舉行,華通芯電第三代化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目正式落戶金山。據(jù)悉,該項(xiàng)目總投資29億元,固定資產(chǎn)投資22.7億元,計(jì)劃用地50畝,將通過(guò)第三方代建的模式,在上海金山購(gòu)置土地并建設(shè)廠房和潔凈車間,項(xiàng)目分為兩階段實(shí)施,其產(chǎn)品將廣泛用于5G基站、雷達(dá)、微波等工業(yè)領(lǐng)域。

新微半導(dǎo)體

6月29日,在2020年中國(guó)(上海)自貿(mào)區(qū)臨港新片區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上,總投資80億元的新微半導(dǎo)體第三代化合物半導(dǎo)體制造平臺(tái)項(xiàng)目已經(jīng)簽約。該項(xiàng)目作為臨港新片區(qū)導(dǎo)入的重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目,定位于戰(zhàn)略性材料和器件技術(shù)研發(fā)平臺(tái)和量產(chǎn)線,致力于解決國(guó)家在射頻毫米波、光電器件和電力電子器件等領(lǐng)域長(zhǎng)期面臨的一系列“卡脖子”問(wèn)題。

三安光電

7月20日,長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開(kāi)工活動(dòng)在長(zhǎng)沙高新區(qū)舉行。開(kāi)工的長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資160億元,總占地面積1000畝,主要建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模,并帶動(dòng)上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計(jì)逾千億元。

露笑科技

7月30日,浙江紹興諸暨重大項(xiàng)目集中開(kāi)工儀式在數(shù)字安防產(chǎn)業(yè)基地舉行。露笑科技子公司浙江露笑碳硅晶體有限公司新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目參與了此次集中開(kāi)工儀式。據(jù)悉,該項(xiàng)目計(jì)劃總投資6.95億元,項(xiàng)目主要采用碳化硅升華法長(zhǎng)晶工藝及SiC襯底加工工藝,引進(jìn)具有國(guó)際先進(jìn)水平的6英寸導(dǎo)電晶體生長(zhǎng)爐、4英寸高純半絕緣晶體生長(zhǎng)爐等設(shè)備,購(gòu)置多線切割機(jī)、拋光機(jī)等國(guó)產(chǎn)設(shè)備,建成后形成年產(chǎn)8.8萬(wàn)片碳化硅襯底片的生產(chǎn)能力。

科友半導(dǎo)體

7月3日消息,科友半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項(xiàng)目在哈爾濱新區(qū)江北一體發(fā)展區(qū)正式開(kāi)工建設(shè),項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后,最終形成年產(chǎn)高導(dǎo)晶片近10萬(wàn)片,高純半絕緣晶體1000公斤的產(chǎn)能;PVT-SIC晶體生長(zhǎng)成套設(shè)備年產(chǎn)銷200臺(tái)套。目前,該公司已完成6英寸第三代半導(dǎo)體襯底制備,正在進(jìn)行8英寸研制,有望成為國(guó)內(nèi)首家攻克8英寸第三代半導(dǎo)體襯底的企業(yè),填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。同時(shí),還是國(guó)內(nèi)首家攻克8英寸第三代半導(dǎo)體裝備制造的企業(yè)。

本文由電子發(fā)燒友綜合報(bào)道,內(nèi)容參考自士蘭微、聯(lián)盟動(dòng)態(tài)、三安光電、露笑科技、華通芯電等,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。

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    搭載第三代無(wú)線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過(guò)PSA 4級(jí)認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 10-09 15:57 ?4.3w次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?848次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺(tái)深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    【2025九峰山論壇】從材料革命到制造工藝破,揭秘化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重構(gòu)密碼

    在新能源革命與算力爆發(fā)的雙重驅(qū)動(dòng)下,化合物半導(dǎo)體正以"材料代際躍遷"重構(gòu)全球電子產(chǎn)業(yè)格局。從第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)的規(guī)模化應(yīng)用,到第四
    的頭像 發(fā)表于 09-30 15:44 ?1660次閱讀
    【2025九峰山論壇】從材料革命到制造工藝破<b class='flag-5'>局</b>,揭秘<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)重構(gòu)密碼

    核芯聚變·鏈動(dòng)未來(lái) | 2026中國(guó)光谷國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì) 再次啟航!開(kāi)啟化合物半導(dǎo)體新紀(jì)元

    2026年4月23–25日,第三中國(guó)光谷國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE 2026)將在武漢光谷科技會(huì)展中心盛大啟幕。 本屆展會(huì)以“核芯聚變·鏈動(dòng)未來(lái)”為主題聚焦
    的頭像 發(fā)表于 09-22 14:31 ?1248次閱讀
    核芯聚變·鏈動(dòng)未來(lái) | 2026<b class='flag-5'>中國(guó)</b>光谷國(guó)際<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)博覽會(huì) 再次啟航!開(kāi)啟<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>新紀(jì)元

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?763次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2528次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過(guò)降低能量損耗,來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?943次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    方正微電子亮相2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)

    此前,2025年4月23日至25日,第三屆九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體博覽會(huì)(以下簡(jiǎn)稱“CSE”)在武漢光谷科技會(huì)展中心舉行,作為國(guó)內(nèi)碳化硅三代半IDM的代表,方正微電子以“智啟未來(lái)”為主
    的頭像 發(fā)表于 04-27 11:21 ?893次閱讀