這幾天，第三代半導(dǎo)體又雙叒叕火了，火的程度不亞于年初小米推出氮化鎵快充引起的熱浪。

這次引起關(guān)注的主要原因是網(wǎng)上流傳的一個(gè)消息，據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入正在制定的“十四五”規(guī)劃。

第三代半導(dǎo)體主要應(yīng)用于功率器件和射頻器件，對(duì)制程工藝要求沒(méi)那么高，但又是一個(gè)嚴(yán)重落后的領(lǐng)域，如果在這方面能夠?qū)崿F(xiàn)逆轉(zhuǎn)，

也是一種策略。

什么是第三代半導(dǎo)體？

從半導(dǎo)體的斷代法來(lái)看，硅（Si）、鍺（Ge）為第一代半導(dǎo)體，特別是 Si，構(gòu)成了一切邏輯器件的基礎(chǔ)，我們的 CPU、GPU 的算力，都離不開(kāi) Si 的功勞；砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為第二代半導(dǎo)體的代表，其中 GaAs 在射頻功放器件中扮演重要角色，InP 在光通信器件中應(yīng)用廣泛……

而到了半導(dǎo)體的第三代，就涌現(xiàn)出了碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等新興材料。

所以就導(dǎo)致很多材料學(xué)的人詫異，啥，這都是半導(dǎo)體？金剛石咋就微微導(dǎo)電了？

首先需要從一個(gè)科普的問(wèn)題入手，什么是半導(dǎo)體？

官方的給出的解釋非常中庸，導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，稱為半導(dǎo)體。

那么半導(dǎo)體到底是導(dǎo)呢？還是不導(dǎo)呢？還是微微導(dǎo)？這是個(gè)很容易誤導(dǎo)人的解釋，信還是不信，微微信。

其實(shí)半導(dǎo)體真實(shí)的意思應(yīng)該這樣理解：

在特定情況下導(dǎo)電，在特定情況下絕緣的材料。

換成這個(gè)角度，一切問(wèn)題就豁然開(kāi)朗。我們知道，數(shù)字世界的基礎(chǔ)為二進(jìn)制的 0 和 1，因此，半導(dǎo)體的導(dǎo)和不導(dǎo)，就構(gòu)成了 0 和 1 的基礎(chǔ)。

同樣的，在電力電子領(lǐng)域，電力供應(yīng)和傳輸?shù)拈_(kāi)和關(guān)，也可以用半導(dǎo)體的導(dǎo)和不導(dǎo)來(lái)實(shí)現(xiàn)，這就構(gòu)成了功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)。

而功率半導(dǎo)體，恰恰就是第三代半導(dǎo)體的主要用武之地。

在第三代半導(dǎo)體的代表中，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）目前是技術(shù)較為成熟的材料（當(dāng)然是相對(duì)而言，價(jià)格還是居高不下，也談不上成熟）。

而氧化鋅（ZnO）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等就更落后了，還處在研究階段，剛剛起步?？蒲腥藛T也就只能用爐子制造一些零零碎碎的“彩鉆”來(lái)玩玩，想要把金剛石制成大晶圓，還為時(shí)尚早。

業(yè)內(nèi)人士對(duì)于第三代半導(dǎo)體也褒貶不一，有的人甘之如飴，有的人避之不及。

特別在投資領(lǐng)域，一些人在蹭熱點(diǎn)，一些人在挖價(jià)值，一些人在隨風(fēng)起舞，一些人在避風(fēng)駐足。

消極觀點(diǎn)的原因就是，第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比太低，而且相比之下應(yīng)用空間比 Si 要小很多，功率半導(dǎo)體、射頻器件，比起邏輯芯片來(lái)，市場(chǎng)規(guī)模小巫見(jiàn)大巫。

其實(shí)筆者想說(shuō)的是，并不存在十全十美的半導(dǎo)體材料，被業(yè)界選中并廣泛使用的，都是在各個(gè)性能指標(biāo)之間的平衡。頻率、功率、耐壓、溫度……就算各個(gè)指標(biāo)表現(xiàn)優(yōu)異，還得考慮制造工藝復(fù)雜性和成本。

第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化，也需要在各個(gè)方面尋找到平衡。

一代、二代、三代半導(dǎo)體之間，并非簡(jiǎn)單的取代關(guān)系，行業(yè)足夠大、需求足夠多樣，每一種材料都會(huì)找到適合的需求空間。

對(duì)于第三代半導(dǎo)體材料而言，一般射頻器件主要采用 GaN，功率器件主要采用 SiC 和 GaN。

比如 5G 的毫米波射頻，離不開(kāi) GaN；高功率器件需要基于 SiC 的二極管、MOS 管等；而前文提到的小米快充，則是采用的 GaN 功率器件。

既然第三代半導(dǎo)體的風(fēng)口來(lái)了，那么各懷心思蹭熱點(diǎn)的現(xiàn)象也層出不窮，比如那些搞個(gè)空殼公司各地簽約幾十、幾百億大項(xiàng)目，什么火做什么，什么難做什么。

比如那些搞 LED 的公司，也站出來(lái)炒 LED 概念。

半導(dǎo)體投資人士陳穰（化名）義正言辭地說(shuō)，“那些做 LED 的，氮化鎵就是瞎炒概念！”

氮化鎵（GaN）在 LED 應(yīng)用中早已不是什么新鮮事兒，其實(shí) GaN 之所以被選出來(lái)作為半導(dǎo)體材料的初衷，為了藍(lán)光 LED 而生。

而我們現(xiàn)在追捧的第三代半導(dǎo)體特性，寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率等，屬于適用于射頻、功率等領(lǐng)域的特性要求，就是另外一回事了。
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