第三代半導(dǎo)體材料受市場關(guān)注，包括碳化硅（SiC）材料以及氮化鎵（GaN）產(chǎn)品，臺積電（2330）也于上周宣布與意法半導(dǎo)體合作切入氮化鎵市場，半導(dǎo)體業(yè)者包廠商也開始切入此領(lǐng)域，隨著此類第三代半導(dǎo)體材料具有更高效節(jié)能、更高功率等優(yōu)勢，更適用在5G通訊、超高壓產(chǎn)品如電動車領(lǐng)域，未來市場成長看好，但事實(shí)上，碳化硅以及氮化鎵產(chǎn)品在市場上已久，但一直未可大量量產(chǎn)，技術(shù)上進(jìn)入門檻相當(dāng)高，市場商機(jī)是否都可雨露均沾，恐怕仍有考驗(yàn)。

第三代半導(dǎo)體材料市場潛力看好

據(jù)半導(dǎo)體材料分類，第一代半導(dǎo)體材料包括鍺以及硅，也是目前最大宗的半導(dǎo)體材料，成本相對便宜，制程技術(shù)也最為成熟，應(yīng)用領(lǐng)域在資訊產(chǎn)業(yè)以及微電子產(chǎn)業(yè)；第二代半導(dǎo)體材料則包括砷化鎵以及磷化銦，主要應(yīng)用在通訊產(chǎn)業(yè)以及照明產(chǎn)業(yè)；而第三代半導(dǎo)體才以碳化硅以及氮化鎵為代表，則可應(yīng)用在更高階的高壓功率元件以及高頻通訊元件領(lǐng)域。

至于碳化硅以及氮化鎵雖然同為第三代半導(dǎo)體材料，但應(yīng)用略有不同，氮化鎵主要用在中壓領(lǐng)域約600伏特的產(chǎn)品，一部分會與硅材料的市場重疊，但氮化鎵有很好的移動性，適用在頻率高的產(chǎn)品，此特性在基地臺、5G等高速產(chǎn)品就會很有優(yōu)勢；而碳化硅則可以用在更高壓，如上千伏的產(chǎn)品，包括電動車用、高鐵或工業(yè)用途，具有很好的耐高溫以及高壓特性。

也因如此，以碳化硅晶圓為例，市場更看好其在車用市場的應(yīng)用，包括充電樁、新能源車以及馬達(dá)驅(qū)動等領(lǐng)域，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Developpement表示，碳化硅晶圓到2023年時(shí)市場規(guī)?？蛇_(dá)15億美金，年復(fù)合成長率逾31%；而用在通訊元件領(lǐng)域，到2023年市場也可達(dá)13億美金，年復(fù)合成長率則可達(dá)23%，商機(jī)受矚。

最大挑戰(zhàn)量產(chǎn)難度高

也因?yàn)榈谌雽?dǎo)體材料后市看俏，所以也有不少廠商很早就開始投入研發(fā)，可望成為下一代的明日之星，惟就業(yè)者表示，要生產(chǎn)一片碳化硅晶圓并不難，困難的是要怎么從一片到一百片、一千片的量產(chǎn)能力，這些都受限技術(shù)、專利以及成本門檻，造成量產(chǎn)的挑戰(zhàn)。

以碳化硅來說，技術(shù)難度在于第一、在長晶的源頭晶種來源就要求相當(dāng)高的純度、取得困難，第二，長晶的時(shí)間相當(dāng)長，以一般硅材料長晶來說，平均約3-4天即可長成一根晶棒，但碳化硅晶棒則約需要7天，由于長晶過程中要隨著監(jiān)測溫度以及制程的穩(wěn)定，以免良率不佳，故時(shí)間拉長更增添長晶制作過程中的難度；第三則是長晶棒的生成，一般的硅晶棒約可有200公分的長度，但長一根碳化硅的長晶棒只能長出2公分，造成量產(chǎn)的困難。

單打困難 打群架較容易突破困局

雖然第一代的硅材料原料上取得方便，制程技術(shù)又相對成熟，但在高頻高壓的應(yīng)用領(lǐng)域上，效能不如碳化硅或氮化鎵產(chǎn)品，隨著5G等應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)大，第一代的硅材料優(yōu)勢受到壓抑，而第三代半導(dǎo)體材料的成長將成為趨勢，使業(yè)者不得不關(guān)注并切入此領(lǐng)域。

但除了技術(shù)和生產(chǎn)上的困難外，材料的開發(fā)還是需要下游應(yīng)用的配合，所以單獨(dú)切入研發(fā)相對困難，還是需要上下游的互相合作，合晶則表示，公司一直有在關(guān)注碳化硅或氮化鎵，也認(rèn)同此為趨勢上的產(chǎn)品，目前也啟動策略合作的評估，未來會需要打群架，如CREE與英飛凌結(jié)盟，除了技術(shù)上的合作，更可以確保未來上游材料的取得以及下游確保出?？?。
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