單片機(jī)運(yùn)行時(shí)的數(shù)據(jù)都存在于 RAM（隨機(jī)存儲(chǔ)器）中，在掉電后 RAM 中的數(shù)據(jù)是無(wú)法保留的，那么怎樣使數(shù)據(jù)在掉電后不丟失呢？這就需要使用 EEPROM 或 FLASHROM 等存儲(chǔ)器來(lái)實(shí)現(xiàn)。

插播一段：ROM 最初不能編程，出廠(chǎng)什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來(lái)出現(xiàn)了 PROM，可以自己寫(xiě)入一次，要是寫(xiě)錯(cuò)了，只能換一片。隨著不斷改進(jìn)，終于出現(xiàn)了可多次擦除寫(xiě)入的 EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線(xiàn)上照一下，想一下你往單片機(jī)上下了一個(gè)程序之后發(fā)現(xiàn)有個(gè)地方需要加一句話(huà)，為此你要把單片機(jī)放紫外燈下照半小時(shí)，然后才能再下一次，這么折騰一天也改不了幾次。歷史的車(chē)輪不斷前進(jìn)，偉大的 EEPROM 出現(xiàn)了，拯救了一大批程序員，終于可以隨意的修改 ROM 中的內(nèi)容了。

EEPROM 的全稱(chēng)是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”，即 Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對(duì)于紫外擦除的 rom 來(lái)講的。但是今天已經(jīng)存在多種 EEPROM 的變種，變成了一類(lèi)存儲(chǔ)器的統(tǒng)稱(chēng)。

狹義的 EEPROM：

這種 rom 的特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)和修改任何一個(gè)字節(jié)，可以往每個(gè) bit 中寫(xiě)入 0 或者 1。這是最傳統(tǒng)的一種 EEPROM，掉電后數(shù)據(jù)不丟失，可以保存 100 年，可以擦寫(xiě) 100w 次。具有較高的可靠性，但是電路復(fù)雜 / 成本也高。因此目前的 EEPROM 都是幾十千字節(jié)到幾百千字節(jié)的，絕少有超過(guò) 512K 的。

Flash:

Flash 屬于廣義的 EEPROM，因?yàn)樗彩请姴脸?ROM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫(xiě)的 EEPROM，我們都叫它 Flash。

既然兩者差不多，為什么單片機(jī)中還要既有 Flash 又有 EEPROM 呢？

通常，單片機(jī)里的 Flash 都用于存放運(yùn)行代碼，在運(yùn)行過(guò)程中不能改；EEPROM 是用來(lái)保存用戶(hù)數(shù)據(jù)，運(yùn)行過(guò)程中可以改變，比如一個(gè)時(shí)鐘的鬧鈴時(shí)間初始化設(shè)定為 12：00，后來(lái)在運(yùn)行中改為 6：00，這是保存在 EEPROM 里，不怕掉電，就算重新上電也不需要重新調(diào)整到 6：00。

但最大區(qū)別是其實(shí)是：FLASH 按扇區(qū)操作，EEPROM 則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH 的電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比 EEPROM 低，因而適合用作程序存儲(chǔ)器，EEPROM 則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。當(dāng)然用 FLASH 做數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器也行，但操作比 EEPROM 麻煩的多，所以更“人性化”的 MCU 設(shè)計(jì)會(huì)集成 FLASH 和 EEPROM 兩種非易失性存儲(chǔ)器，而廉價(jià)型設(shè)計(jì)往往只有 FLASH，早期可電擦寫(xiě)型 MCU 則都是 EEPRM 結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。

在芯片的內(nèi)電路中，F(xiàn)LASH 和 EEPROM 不僅電路不同，地址空間也不同，操作方法和指令自然也不同，不論馮諾伊曼結(jié)構(gòu)還是哈佛結(jié)構(gòu)都是這樣。技術(shù)上，程序存儲(chǔ)器和非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器都可以只用 FALSH 結(jié)構(gòu)或 EEPROM 結(jié)構(gòu)，甚至可以用“變通”的技術(shù)手段在程序存儲(chǔ)區(qū)模擬“數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)”，但就算如此，概念上二者依然不同，這是基本常識(shí)問(wèn)題。

EEPROM：電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器，F(xiàn)lash 的操作特性完全符合 EEPROM 的定義，屬 EEPROM 無(wú)疑，首款 Flash 推出時(shí)其數(shù)據(jù)手冊(cè)上也清楚的標(biāo)明是 EEPROM，現(xiàn)在的多數(shù) Flash 手冊(cè)上也是這么標(biāo)明的，二者的關(guān)系是“白馬”和“馬”。至于為什么業(yè)界要區(qū)分二者，主要的原因是 Flash EEPROM 的操作方法和傳統(tǒng) EEPROM 截然不同，次要的原因是為了語(yǔ)言的簡(jiǎn)練，非正式文件和口語(yǔ)中 Flash EEPROM 就簡(jiǎn)稱(chēng)為 Flash，這里要強(qiáng)調(diào)的是白馬的“白”屬性而非其“馬”屬性以區(qū)別 Flash 和傳統(tǒng) EEPROM。

Flash 的特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，同樣工藝和同樣晶元面積下可以得到更高容量且大數(shù)據(jù)量下的操作速度更快，但缺點(diǎn)是操作過(guò)程麻煩，特別是在小數(shù)據(jù)量反復(fù)重寫(xiě)時(shí)，所以在 MCU 中 Flash 結(jié)構(gòu)適于不需頻繁改寫(xiě)的程序存儲(chǔ)器。

很多應(yīng)用中，需要頻繁的改寫(xiě)某些小量數(shù)據(jù)且需掉電非易失，傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的 EEPROM 在此非常適合，所以很多 MCU 內(nèi)部設(shè)計(jì)了兩種 EEPROM 結(jié)構(gòu)，F(xiàn)LASH 的和傳統(tǒng)的，以期獲得成本和功能的均衡，這極大的方便了使用者。隨著 ISP、IAP 的流行，特別是在程序存儲(chǔ)地址空間和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)地址空間重疊的 MCU 系中，現(xiàn)在越來(lái)越多的 MCU 生產(chǎn)商用支持 IAP 的程序存儲(chǔ)器來(lái)模擬 EEPROM 對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，這是低成本下實(shí)現(xiàn)非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的一種變通方法。為在商業(yè)宣傳上取得和雙 EEPROM 工藝的“等效”性，不少采用 Flash 程序存儲(chǔ)器“模擬”（注意，技術(shù)概念上并非真正的模擬）EEPROM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的廠(chǎng)家紛紛宣稱(chēng)其產(chǎn)品是帶 EEPROM 的，嚴(yán)格說(shuō)，這是非常不嚴(yán)謹(jǐn)?shù)?，但商人有商人的目的和方法，?Flash“模擬”EEPROM 可以獲取更大商業(yè)利益，所以在事實(shí)上，技術(shù)概念混淆的始作俑者正是他們。

從成本上講，用 Flash“模擬”EEPROM 是合算的，反之不會(huì)有人干，用 EEPROM 模擬 Flash 是怎么回事呢？這可能出在某些程序存儲(chǔ)空間和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間連續(xù)的 MCU 上。這類(lèi) MCU 中特別是存儲(chǔ)容量不大的低端 MCU 依然采用 EEPROM 作為非易失存儲(chǔ)器，這在成本上反而比采用 Flash 和傳統(tǒng) EEPROM 雙工藝的設(shè)計(jì)更低，但這種現(xiàn)象僅僅限于小容量前提下。因 Flash 工藝的流行，現(xiàn)在很多商人和不夠嚴(yán)謹(jǐn)?shù)募夹g(shù)人員將程序存儲(chǔ)器稱(chēng)為 Flash，對(duì)于那些僅采用傳統(tǒng) EEPROM 工藝的 MCU 而言，他們不求甚解，故而錯(cuò)誤的將 EEPROM 程序存儲(chǔ)器稱(chēng)為“ 模擬 Flash”，根本的原因是他們未理解 Flash 只是一種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)而非存儲(chǔ)器的用途，錯(cuò)誤的前提自然導(dǎo)致錯(cuò)誤的結(jié)論。商業(yè)上講，用 EEPROM 模擬 Flash 是不會(huì)有人真去做的愚蠢行為，這違背商業(yè)追求最大利益的原則，技術(shù)上也不可行，而對(duì)于技術(shù)人員而言。本質(zhì)的問(wèn)題是 Flash 是一種存儲(chǔ)器類(lèi)型而非 MCU 中的程序存儲(chǔ)器，即使 MCU 的程序存儲(chǔ)器用的是 Flash，但其逆命題不成立。

一家之言，你有什么看法呢？

審核編輯黃昊宇