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半導(dǎo)體研究所趙德剛的科學(xué)家精神

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:中國科學(xué)報(bào) ? 作者:卜葉 ? 2020-10-30 10:57 ? 次閱讀
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來源:中國科學(xué)報(bào) 作者 |卜葉

“趙德剛在哪兒?” “不在實(shí)驗(yàn)室,就在去實(shí)驗(yàn)室的路上。” 這是課題組成員對(duì)趙德剛的印象。 20余年來,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所(以下簡稱半導(dǎo)體所)研究員趙德剛幾乎每天泡在實(shí)驗(yàn)室里,周圍同事同學(xué)對(duì)他的行蹤了如指掌。 趙德剛所從事的半導(dǎo)體光電子材料與器件事業(yè)是信息時(shí)代的基石。 在這個(gè)朝陽產(chǎn)業(yè)里,他沒有向著“高產(chǎn)”的新型材料奔去,而是選擇堅(jiān)守展現(xiàn)出應(yīng)用價(jià)值但研究步入深水區(qū)的傳統(tǒng)材料——氮化鎵,并鉆堅(jiān)研微,克服種種困難,帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)研制出國內(nèi)第一支氮化鎵基紫外激光器、大功率藍(lán)光激光器。 “我是國家培養(yǎng)出來的‘土著科研人’,用實(shí)際行動(dòng)回報(bào)祖國是我的夙愿。作為一名科研人,國家的需要在哪里,我的研究方向就在哪里?!壁w德剛說。

艱難的領(lǐng)域 巨大的難題

簡單來說,半導(dǎo)體研究有兩大類,微電子和光電子。 集成電路、晶體管在微電子研究的范疇內(nèi),而光電子研究多指激光及相關(guān)產(chǎn)品。 上世紀(jì)90年代,中國的微電子行業(yè)相對(duì)落后,在電子科技大學(xué)學(xué)習(xí)了7年的趙德剛深深為這個(gè)專業(yè)著迷。在這期間,他申請(qǐng)加入了中國共產(chǎn)黨。 1997年,進(jìn)入半導(dǎo)體所進(jìn)一步學(xué)習(xí)之后,趙德剛發(fā)現(xiàn)我國對(duì)半導(dǎo)體器件需求巨大,但世界上生產(chǎn)該類器件的原材料卻尚未成熟。 “這也是我選擇氮化鎵光電子材料與器件研究的原因?!壁w德剛說。 氮化鎵是繼硅、砷化鎵之后的第三代半導(dǎo)體,其光譜覆蓋了近紅外到深紫外全波段,且熱穩(wěn)定性好、抗擊穿、耐腐蝕,在光電子學(xué)和微電子學(xué)領(lǐng)域具有巨大應(yīng)用潛力。

目前,基于氮化鎵材料的藍(lán)光發(fā)光二極管已經(jīng)走進(jìn)了千家萬戶,引發(fā)了照明產(chǎn)業(yè)的革命。 日本學(xué)者赤崎勇、天野浩和中村修二也因發(fā)明“高效藍(lán)色發(fā)光二極管”獲得2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。 作為另外一種高端光電子器件,氮化鎵激光器在激光顯示、激光加工、激光醫(yī)療等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。 但激光器技術(shù)難度大,是國際化合物半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)和制高點(diǎn)。 “要做出藍(lán)光激光器,必須生長出高質(zhì)量的氮化鎵材料。” 趙德剛介紹,由于缺乏匹配的襯底,氮化鎵外延材料質(zhì)量長期困擾著世界各國學(xué)者。 電子遷移率高低是材料性能的綜合反映。 一般來說,電子遷移率越高,材料性能越好。 當(dāng)時(shí),國際領(lǐng)域諾貝爾獎(jiǎng)獲得者中村修二做出來在室溫下900平方厘米/伏特·秒電子遷移率的氮化鎵材料,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了平均水平。

“900這一數(shù)字在當(dāng)時(shí)被認(rèn)為是不可超越的。” 半導(dǎo)體所助理研究員梁鋒說。 當(dāng)時(shí),課題組面臨的最大問題是氮化鎵材料能發(fā)光但無法激射,一向開朗樂觀的趙德剛也發(fā)愁了,飯都吃不下去。 閱讀文獻(xiàn)后,趙德剛發(fā)現(xiàn)做出高質(zhì)量的氮化鎵材料并沒有絕招,關(guān)鍵是要找到影響電子遷移率的散射機(jī)制,并掌握減少散射中心數(shù)量的方法。 因此,趙德剛深入研究了緩沖層原理,同時(shí)結(jié)合材料光學(xué)、電學(xué)、結(jié)構(gòu)性質(zhì)的分析,發(fā)現(xiàn)了缺陷產(chǎn)生和湮滅的物理過程,提出了獨(dú)特的MOCVD外延技術(shù)。 2004年,他們終于實(shí)驗(yàn)生長出高質(zhì)量的氮化鎵材料,在室溫下其電子遷移率超過1000平方厘米/伏特·秒,這也是國際上MOCVD外延氮化鎵材料的最好結(jié)果,得到了國內(nèi)外廣泛認(rèn)可。 “這只是局部超越,整體上我國與日本這樣的技術(shù)先進(jìn)的國家還有差距?!壁w德剛說。

獨(dú)到的眼光 獨(dú)特的思路

研究出世界頂級(jí)的高質(zhì)量氮化鎵材料并不意味著激光器的研制成功。 剛過而立之年的趙德剛毫不遲疑地投入到另一個(gè)難題——氮化鎵的p型摻雜的研究中。 “碳雜質(zhì)的作用可能不簡單,碳雜質(zhì)的研究不能停止?!边@個(gè)聲音縈繞在趙德剛心中。 進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn),碳雜質(zhì)在p型氮化鎵中扮演著“破壞者”的角色。 通過結(jié)合生長機(jī)理的研究,課題組掌握了抑制碳雜質(zhì)的方法,制備出高質(zhì)量的低溫p型材料。 “碳雜質(zhì)在其他材料中有沒有這種現(xiàn)象?”課題組順藤摸瓜,發(fā)現(xiàn)碳雜質(zhì)在量子阱中的作用也是破壞性的。 “碳雜質(zhì)難道沒有優(yōu)點(diǎn)?”趙德剛帶領(lǐng)課題組發(fā)現(xiàn),歐姆接觸中,適當(dāng)引入碳雜質(zhì)有助于電流的輸入和輸出。 三連問逐漸形成了對(duì)碳雜質(zhì)的系統(tǒng)性研究。 “我總是從當(dāng)前的課題中發(fā)現(xiàn)下一個(gè)課題,很少是從熱點(diǎn)、報(bào)告、文獻(xiàn)中獲得課題?!? 趙德剛說,“半導(dǎo)體研究應(yīng)該立足國家需要,被國外牽著鼻子走不太容易形成自身的研究特色、產(chǎn)生國內(nèi)需要的研究成果?!?

解決問題的能力源于實(shí)踐

2012年,趙德剛指導(dǎo)研究生研究量子阱。 實(shí)驗(yàn)遇到問題,遲遲未能解決。 同事介紹,當(dāng)時(shí)趙德剛凝神靜氣觀察一番,拍了拍腦門問,“是不是V型坑對(duì)器件有影響?”事實(shí)證明的確如此,次年,諾貝爾獎(jiǎng)獲得者中村修二教授也在相關(guān)研究中引用了該結(jié)論。 當(dāng)問及趙德剛屢屢取得成績的秘訣,他表示,秘訣只有兩個(gè)字——“實(shí)踐”,問題從實(shí)踐中來,答案也在實(shí)踐中。 “半導(dǎo)體是理論與實(shí)踐結(jié)合密切的行業(yè),技術(shù)積累很關(guān)鍵,必須沉下心做積累,才有可能在研究中獲得突破。”趙德剛說。 趙德剛承擔(dān)了許多研究任務(wù),平時(shí)基本“釘”在實(shí)驗(yàn)室,但他依然保持著看書的習(xí)慣,他認(rèn)為理論學(xué)習(xí)不能放下,沒有深厚的理論功底,看問題很難透徹。 科研人員最重要的本領(lǐng)是發(fā)現(xiàn)問題,最大的本事是解決問題。

以從事20余年的氮化鎵研究為例,趙德剛向記者介紹,氮化鎵是目前已知的材料中最具應(yīng)用價(jià)值的材料之一,一旦獲得突破將為整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來改變,而新型材料走上應(yīng)用可能還需要更漫長的道路。 他時(shí)刻關(guān)注氮化鎵材料和光電器件的研究進(jìn)展與熱點(diǎn),有點(diǎn)近乎“癡迷”,這種研究風(fēng)格也感染著他的學(xué)生。 “博士階段選擇研究方向時(shí),新型材料研究容易發(fā)論文、評(píng)職稱,對(duì)年輕科研人員的誘惑力很大,但是跟趙德剛老師交流后,我毫不猶豫選擇了氮化鎵,并且畢業(yè)后留所繼續(xù)從事這項(xiàng)事業(yè)?!绷轰h說。 為國家半導(dǎo)體科技事業(yè)發(fā)展培養(yǎng)后備力量,是趙德剛的心愿。 在趙德剛的鼓勵(lì)下,其博士生還推導(dǎo)出氮化鎵二維電子氣的理論公式,促進(jìn)了氮化鎵微電子器件的研究。 這讓趙德剛倍感欣慰。

“發(fā)展半導(dǎo)體必須有一批踏踏實(shí)實(shí)的研究人員沉在基層。作為一名黨員,希望越來越多的青年立足國家需要做研究,在科研實(shí)踐中實(shí)現(xiàn)個(gè)人價(jià)值?!壁w德剛說。 《中國科學(xué)報(bào)》 (2020-10-23 第1版 要聞)

原文標(biāo)題:趙德剛: 只做國家有需要的研究|弘揚(yáng)新時(shí)代科學(xué)家精神

文章出處:【微信公眾號(hào):中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

責(zé)任編輯:haq

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