這幾年，天字一號代工廠臺積電在新工藝進展上簡直是開掛一般的存在，7nm工藝全面普及，5nm工藝一路領先，3nm工藝近在眼前，2nm工藝也進展神速。

根據(jù)最新報道，臺積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項重大的內部突破，雖未披露細節(jié)，但是據(jù)此樂觀預計，2nm工藝有望在2023年下半年進行風險性試產(chǎn)，2024年就能步入量產(chǎn)階段。

臺積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距，同時延續(xù)摩爾定律，繼續(xù)挺進1nm工藝的研發(fā)。

臺積電預計，蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。

2nm工藝上，臺積電將放棄延續(xù)多年的FinFET（鰭式場效應晶體管），甚至不使用三星規(guī)劃在3nm工藝上使用的GAAFET（環(huán)繞柵極場效應晶體管），也就是納米線（nanowire），而是將其拓展成為“MBCFET”（多橋通道場效應晶體管），也就是納米片（nanosheet）。

從GAAFET到MBCFET，從納米線到納米片，可以視為從二維到三維的躍進，能夠大大改進電路控制，降低漏電率。

當然，新工藝的成本越發(fā)會成為天文數(shù)字，三星已經(jīng)在5nm工藝研發(fā)上已經(jīng)投入了大約4.8億美元，3nmGAAFET上會大大超過5億美元。

臺積電很少披露具體工藝節(jié)點上的投入數(shù)字，但是大家可以放開去想象了。

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