據(jù)IC insights發(fā)布的《2020-2024年全球晶圓產(chǎn)能》報(bào)告提供的數(shù)據(jù)，未來幾年10nm以下工藝的IC產(chǎn)能預(yù)計(jì)將進(jìn)入快速增長(zhǎng)期，并且到2024年，該制程的芯片將成為該行業(yè)月安裝容量的最大占比。到2020年底，10nm以下的產(chǎn)能預(yù)計(jì)將占IC行業(yè)總晶圓產(chǎn)能的10%，預(yù)計(jì)到2022年將首次超過20%，并在2024年增加至全球產(chǎn)能的30%。

芯片的制程越來越先進(jìn)，隨著IC設(shè)計(jì)制造精度的提高，現(xiàn)代已經(jīng)量產(chǎn)的芯片中能在晶圓上雕刻出的電路之間的間距越來越短，但帶來的問題是，隨著芯片工藝水平的提升，邊際收益遞減，讓不少芯片設(shè)計(jì)人員懷疑功效的提升是否能彌補(bǔ)成本的上升。

10nm以下的制程設(shè)備成本已經(jīng)飆升至讓許多IC供應(yīng)商無法承受的地步。目前只有三星、臺(tái)積電和英特爾有能力承受小于10nm工藝技術(shù)的晶圓廠。

同時(shí)，設(shè)計(jì)難題（如繼續(xù)縮小DRAM和NAND閃存單元的體積）以及復(fù)雜的基于邏輯的芯片（如ASIC、FPGA和其他高級(jí)邏輯設(shè)備）也面臨工藝提升帶來的挑戰(zhàn)。

另外，IC insights的《2020-2024年全球晶圓產(chǎn)能報(bào)告》還提供了一些關(guān)鍵性數(shù)據(jù)：

到2020年，預(yù)計(jì)所有晶圓容量的48%將小于或等于20nm（小于10nm的占比為10.0%； 10-20nm該數(shù)字為38.4%）。此類設(shè)備包括具有等效10nm級(jí)技術(shù)的高密度DRAM和高密度3D NAND閃存，高性能微處理器，低功耗應(yīng)用處理c2器以及基于16/14nm，12/10nm的高級(jí)ASIC/ ASSP/FPGA器件，或7/5nm技術(shù)。

在低于20nm的工藝中，韓國(guó)擁有66%的產(chǎn)能，與其他地區(qū)或國(guó)家相比，韓國(guó)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)仍然明顯得多。鑒于三星和SK Hynix對(duì)高密度DRAM，閃存和三星應(yīng)用處理器的重視，該國(guó)擁有最先進(jìn)的專用晶圓產(chǎn)能是順理成章的。

因?yàn)樘O果、華為和高通持續(xù)使用臺(tái)積電的先進(jìn)工藝服務(wù)，這就使得中國(guó)臺(tái)灣小于20nm工藝的總產(chǎn)能超過35%。盡管如此，28nm、45/40nm和65nm世代繼續(xù)為臺(tái)積電和聯(lián)電等代工廠創(chuàng)造大量業(yè)務(wù)。

中國(guó)大陸大多數(shù)小于20nm的產(chǎn)能由其他地區(qū)的公司把控，包括三星、SK海力士、英特爾和臺(tái)積電，長(zhǎng)江存儲(chǔ)和中芯國(guó)際是僅有的提供小于20nm制程技術(shù)的中國(guó)大陸公司。
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