今日啟迪股份技術總監(jiān)鈕應喜博士發(fā)表了題為“碳化硅晶體生長、加工技術和裝備”的主題演講。

鈕應喜博士指出，GaN/SiC器件的應用可以提供高頻、高校、高功率密度的設計，其中，SiC器件對于提升效率降低裝置損耗，實現節(jié)能具有重要意義，因此應用場景廣泛。

2019年，SiC電子器件市場規(guī)模達5.6億美元，預計2024年將超19億美元。中低壓需求較為強勁的是新能源汽車，“十四五”將是新能源汽車的爆發(fā)期，同時將拉動SiC產業(yè)快速發(fā)展。

鈕應喜博士表示，SiC產業(yè)鏈包括晶體、襯底、外延、器件、模塊和系統(tǒng)。SiC材料上國內主要是4英寸，6英寸在擴展中，8英寸處于研發(fā)階段。

其中，SiC襯底市場長期被美國、歐洲、日本壟斷，面對快速增長的市場形勢，國內廠商紛紛布局，近幾年，國內開展相關項目30余個。

最后，鈕應喜博士指出在SiC單晶、襯底領域，應優(yōu)化技術，降低成本，加快6英寸產能擴充，突破8英寸技術攻關；在SiC外延領域，應加快國產設備、輔助材料以及石墨件研發(fā)進度。

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