中芯國(guó)際在互動(dòng)平臺(tái)上回答投資者時(shí)表示，第二代FinFET 已進(jìn)入小量試產(chǎn)。

在回答投資者 “近來(lái)公司 7 納米產(chǎn)品生產(chǎn)研發(fā)進(jìn)展如何？”的問(wèn)題時(shí)，中芯國(guó)際表示，公司第一代 FinFET 14nm 已于 2019 年四季度進(jìn)入量產(chǎn)，第二代 FinFET 已進(jìn)入小量試產(chǎn)。

IT之家了解到，中芯國(guó)際于 2019 年實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的 14nm 工藝制程量產(chǎn)，并已為華為麒麟 710A 芯片等進(jìn)行代工。

今年9月份，投資者向中芯國(guó)際求證中芯關(guān)于下一代芯片量產(chǎn)消息，中芯國(guó)際回答表示：中芯國(guó)際第二代 FinFET N+1 已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，可望于 2020 年底進(jìn)行小批量試產(chǎn)。

今年10月份， 中國(guó)一站式 IP 和定制芯片企業(yè)芯動(dòng)科技（INNOSILICON）宣布已完成全球首個(gè)基于中芯國(guó)際 FinFET N+1 先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試，所有 IP 全自主國(guó)產(chǎn)，功能一次測(cè)試通過(guò)。關(guān)于N+1工藝，中芯國(guó)際聯(lián)合CEO梁孟松今年初曾透露，該工藝在功率和穩(wěn)定性方面與7nm工藝非常相似，且不需要EUV光刻機(jī)，但在性能方面提升還不夠，所以N+1工藝是面向低功耗應(yīng)用領(lǐng)域的。其曾表示，中芯國(guó)際N+1工藝和14nm相比，性能提升20%，功耗降低57%，而7nm市場(chǎng)基準(zhǔn)性能提升應(yīng)該是35%。

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