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CoolSiC MOSFET 400V與440V

第二代器件

CoolSiC MOSFET 400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢(shì)，同時(shí)有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V與440V碳化硅MOSFET可在兩電平和三電平的硬開關(guān)與軟開關(guān)拓?fù)渲?，提供卓越的功率密度和系統(tǒng)效率，主要面向人工智能服務(wù)器電源、開關(guān)電源、電機(jī)控制、可再生能源與儲(chǔ)能系統(tǒng)以及D類音頻放大器等功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

產(chǎn)品型號(hào)：

■IMW40R011M2H

■IMZA40R011M2H

■IMW40R015M2H

■IMZA40R015M2H

■IMW40R025M2H

■IMZA40R025M2H

■IMW40R036M2H

■IMZA40R036M2H

■IMLT40R045M2H

■IMLT40R036M2H

■IMLT40R025M2H

■IMLT40R015M2H

■IMLT40R011M2H

■IMW40R045M2H

■IMZA40R045M2H

■IMT44R011M2H

■IMT44R015M2H

■IMT44R025M2H

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產(chǎn)品特性

相比650V SiC MOSFET，具有更優(yōu)的FOM

快速換流魯棒性二極管，具備低反向恢復(fù)電荷

低導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)

柵極閾值電壓VGS(th)=4.5V

支持單極性驅(qū)動(dòng)（關(guān)斷柵壓VGSoff=0V）

完成100%雪崩測(cè)試

開關(guān)速度的高可控性

高電壓變化率工況下低過沖

采用.XT互連技術(shù)

應(yīng)用價(jià)值

高系統(tǒng)效率

高功率密度設(shè)計(jì)

高設(shè)計(jì)魯棒性

簡(jiǎn)化電磁干擾濾波需求

適用于硬開關(guān)拓?fù)?/p>

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

助力實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新拓?fù)鋺?yīng)用（如三電平功率因數(shù)校正、有源中性點(diǎn)鉗位型拓?fù)洌?/p>

應(yīng)用領(lǐng)域

AI服務(wù)器電源PSU

開關(guān)電源SMPS

電機(jī)控制

輕型電動(dòng)汽車

叉車

電動(dòng)航空eAviation