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中芯國際:將于年底小批量試產(chǎn)第二代FinFET N+1芯片

我快閉嘴 ? 來源:金十?dāng)?shù)據(jù) ? 作者:廖力思 ? 2020-12-08 15:41 ? 次閱讀
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據(jù)最新消息,我國芯片生產(chǎn)巨頭中芯國際在互動(dòng)平臺(tái)公開表示,該司即將在2020年底小批量試產(chǎn)第二代FinFET N+1芯片,目前這一芯片已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。去年年底,中芯國際率先完成任務(wù),完成了第一代FinFET 14nm芯片的量產(chǎn)工作。

資料顯示,對(duì)比起一代14nm芯片,二代FinFET N+1芯片的工藝將提升至12nm,晶體管尺寸將進(jìn)一步縮減,功耗降低20%、性能提升10%,錯(cuò)誤率降低20%。據(jù)悉,此前業(yè)界曾“誤傳”,中芯國際N+1、N+2工藝項(xiàng)目的可以媲美臺(tái)積電的7nm芯片工藝。

今年3月,中芯國際也對(duì)此澄清道,該司N+1、N+2工藝項(xiàng)目與臺(tái)積電7nm芯片還有差距,只能說,在功耗以及穩(wěn)定性能與其相提并論。不過,雖然與國際最先進(jìn)的芯片代工產(chǎn)商還有距離,但是中芯國際當(dāng)前取得的成績實(shí)屬來之不易。據(jù)悉,目前全球能生產(chǎn)14nm芯片的企業(yè)僅有6家,中芯國際就是其中之一。

除了中國企業(yè)試圖趕超國際高端芯片的先進(jìn)制程,美國芯片巨頭英特爾Intel)也在加緊行動(dòng)。截至目前,作為美國第一大芯片生產(chǎn)商,英特爾芯片工藝僅發(fā)展至10nm,7nm工藝的進(jìn)展還屢次被延遲。近期,已經(jīng)有不少業(yè)界人士猜測(cè),由于本土產(chǎn)能受限,英特爾很有可能會(huì)將美國本土的芯片訂單轉(zhuǎn)交給臺(tái)積電等幫忙代工。

此外,我國芯片產(chǎn)業(yè)也在不斷傳來重磅利好。就在今日(12月4日),中芯國際宣布旗下子公司中芯控股將和國家集成電路基金II、亦莊國聯(lián)手成立合資企業(yè)。據(jù)天眼查公布的報(bào)告,我國已有超過20000家芯片相關(guān)企業(yè)擁有自家獨(dú)有的專利,占比相關(guān)企業(yè)總量的8.45%。這意味著,我國日后將在芯片專利領(lǐng)域擁有更多話語權(quán)。

就連我國北京市也送來了一則“好消息”。據(jù)報(bào)道,北京市多名代表人士“公開放話”,接下來將力爭(zhēng)突破集成電路、關(guān)鍵新材料等“卡脖子”技術(shù),加快推進(jìn)世界一流重大科技基礎(chǔ)設(shè)施集群建設(shè)。不難想象,當(dāng)我們集全國的力量攻克生產(chǎn)難題,芯片產(chǎn)業(yè)迎來“彎道超車”的一天也就不遠(yuǎn)了。
責(zé)任編輯:tzh

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