91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

三星和臺積電的先進制程就又站到了同一起跑線上

旺材芯片 ? 來源:旺材芯片 ? 作者:旺材芯片 ? 2020-12-11 10:47 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近年來臺積電在先進制程工藝的路上可謂是一騎絕塵,擊敗了眾多代工廠,身價也是水漲船高。

今年一季度臺積電就已經開始大規(guī)模投產5nm工藝,3nm也正在快馬加鞭地研發(fā)之中。臺積電表示,將會在2021年開始量產3nm,并最終在2022年下半年實現(xiàn)規(guī)模量產。

而在更進一步的2nm,有消息稱臺積電在去年就已組建了研發(fā)團隊,確定了2nm工藝的研發(fā)路線,預計臺積電的2nm工藝可能會在在2024年大規(guī)模投產。

此前也有消息人士表示,臺積電目前對2nm工藝在2023年下半年風險試產、2024年大規(guī)模投產非常樂觀,風險試產的良品率預計不會低于90%,但目前還不清楚疫情是否會對他們的計劃造成影響。

不過根據(jù)最新報道,臺積電已經在2nm工藝上取得一項重大的內部突破,雖未披露細節(jié),但是據(jù)此樂觀預計,2nm工藝有望在2023年下半年進行風險性試產,2024年就能步入量產階段。

臺積電還表示,2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距,同時延續(xù)摩爾定律,繼續(xù)挺進1nm工藝的研發(fā)。

臺積電預計,蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。

在技術工藝上,臺積電將放棄延續(xù)多年的FinFET(鰭式場效應晶體管),而是將其拓展成為“MBCFET”(多橋通道場效應晶體管),也就是納米片(nanosheet)。該技術能夠大大改進電路控制,降低漏電率。

不過作為對手,三星并沒有坐以待斃,事實上,從2019年開始,三星就已經啟動了一個“半導體2030計劃”,希望在2030年之前投資133萬億韓元,約合1160億美元,讓自己發(fā)展成為全球最大的半導體公司,其中先進邏輯工藝是重點之一,目標就是要追趕上臺積電。

而根據(jù)最新消息,三星半導體業(yè)務部門的高管日前透露說,三星計劃在2022年量產3nm工藝,而臺積電的計劃是2022年下半年量產3nm工藝。這樣一來,三星和臺積電的先進制程就又站到了同一起跑線上。

責任編輯:lq

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 三星電子
    +關注

    關注

    34

    文章

    15894

    瀏覽量

    183141
  • 臺積電
    +關注

    關注

    44

    文章

    5803

    瀏覽量

    176488
  • 制程工藝
    +關注

    關注

    0

    文章

    46

    瀏覽量

    9810

原文標題:資訊 | 臺積電2nm研究重大突破,有望2023年下半年試產

文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    未來10年產能至少翻倍!AI存儲需求旺,SK海力士和三星業(yè)績飄紅

    Vera Rubin 是由 6 款不同的芯片組成,這些芯片每顆都是世界上最先進的芯片,做得非常好,他們非常非常努力,我們今年的需求量非常龐大?!盨K海力士和
    的頭像 發(fā)表于 02-02 10:50 ?8561次閱讀
    <b class='flag-5'>臺</b><b class='flag-5'>積</b><b class='flag-5'>電</b>未來10年產能至少翻倍!AI存儲需求旺,SK海力士和<b class='flag-5'>三星</b>業(yè)績飄紅

    計劃建設4座先進封裝廠,應對AI芯片需求

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道 近日消息,計劃在嘉義科學園區(qū)先進封裝二期和南部科學園區(qū)期各建設兩座先進
    的頭像 發(fā)表于 01-19 14:15 ?6194次閱讀

    1.4nm制程工藝!公布量產時間表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日,全球半導體代工龍頭先進制程領域持續(xù)展現(xiàn)強勁發(fā)展勢頭。據(jù)行業(yè)信源確認,
    的頭像 發(fā)表于 01-06 08:45 ?6961次閱讀

    Q3凈利潤4523億元新臺幣 英偉達或取代蘋果成最大客戶

    39.1%,凈利潤創(chuàng)下紀錄新高,在上年同期凈利潤為3252.58億新臺幣。 每股盈余為新臺幣17.44元,同比增加39.0%。 目前臺
    的頭像 發(fā)表于 10-16 16:57 ?3260次閱讀

    2納米制程試產成功,AI、5G、汽車芯片

    2nm 制程試產成功 近日,晶圓代工龍頭
    的頭像 發(fā)表于 10-16 15:48 ?1907次閱讀

    三星在美工廠遇大麻煩

    據(jù)外媒報道;三星的在美國的芯片工廠正面臨大麻煩。電工廠4年虧超86億,
    的頭像 發(fā)表于 09-30 18:31 ?4264次閱讀

    引領全球半導體制程創(chuàng)新,2納米制程備受關注

    在全球半導體行業(yè)中,先進制程技術的競爭愈演愈烈。目前,只有、三星和英特爾家公司能夠進入3
    的頭像 發(fā)表于 07-21 10:02 ?1092次閱讀
    <b class='flag-5'>臺</b><b class='flag-5'>積</b><b class='flag-5'>電</b>引領全球半導體<b class='flag-5'>制程</b>創(chuàng)新,2納米<b class='flag-5'>制程</b>備受關注

    Q2凈利潤3982.7億新臺幣 暴增60% 創(chuàng)歷史新高

    在第二季度毛利率達到58.6%;營業(yè)利潤率為49.6%,凈利率為42.7%。 在2025年第二季度,3納米制程出貨占晶圓總收入的24
    的頭像 發(fā)表于 07-17 15:27 ?2113次閱讀

    2nm良率大戰(zhàn)!傲視群雄,英特爾VS三星誰能贏到最后?

    帶動主要晶圓代工伙伴在今天股市高開,股價沖到237.71美元。明天臺將召開法說會,展望全球半導體產業(yè)走向,2nm
    的頭像 發(fā)表于 07-17 00:33 ?4739次閱讀
    2nm良率大戰(zhàn)!<b class='flag-5'>臺</b><b class='flag-5'>積</b><b class='flag-5'>電</b>傲視群雄,英特爾VS<b class='flag-5'>三星</b>誰能贏到最后?

    力旺NeoFuse于N3P制程完成可靠度驗證

    力旺電子宣布,其次性可編程內存(One-Time Programmable, OTP)NeoFuse已于N3P制程完成可靠度驗證。N
    的頭像 發(fā)表于 07-01 11:38 ?1067次閱讀

    加大投資布局 2納米制程研發(fā)取得積極進展

    進行全期投資,預計總額將超過新臺幣1.5萬億元(約合500億美元)。在全球半導體行業(yè)中,直處于領導地位,其先進制程的技術實力備受矚目
    的頭像 發(fā)表于 05-27 11:18 ?991次閱讀
    <b class='flag-5'>臺</b><b class='flag-5'>積</b><b class='flag-5'>電</b>加大投資布局 2納米<b class='flag-5'>制程</b>研發(fā)取得積極進展

    先進制程漲價,最高或達30%!

    %,最高可能提高30%。 ? 今年1月初也傳出過漲價消息,將針對3nm、5nm等先進制程技術進行價格調整,漲幅預計在3%到8%之間,特別是AI相關高性能計算產品的訂單漲幅可能達到
    發(fā)表于 05-22 01:09 ?1265次閱讀

    AMD實現(xiàn)首個基于N2制程的硅片里程碑

    基于先進2nm(N2)制程技術的高性能計算產品。這彰顯了AMD與
    的頭像 發(fā)表于 05-06 14:46 ?803次閱讀
    AMD實現(xiàn)首個基于<b class='flag-5'>臺</b><b class='flag-5'>積</b><b class='flag-5'>電</b>N2<b class='flag-5'>制程</b>的硅片里程碑

    三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率

    似乎遇到了些問題 。 另家韓媒《DealSite》當?shù)貢r間17日報道稱,自 1z nm 時期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產造成明顯影響。
    發(fā)表于 04-18 10:52

    全球芯片產業(yè)進入2納米競爭階段:率先實現(xiàn)量產!

    隨著科技的不斷進步,全球芯片產業(yè)正在進入個全新的競爭階段,2納米制程技術的研發(fā)和量產成為了各大芯片制造商的主要目標。近期,
    的頭像 發(fā)表于 03-25 11:25 ?1437次閱讀
    全球芯片產業(yè)進入2納米競爭階段:<b class='flag-5'>臺</b><b class='flag-5'>積</b><b class='flag-5'>電</b>率先實現(xiàn)量產!